SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
IPA075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies IPA075N15N3GXKSA1 7.8100
RFQ
ECAD 7900 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA075 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 43A (TC) 8V, 10V 7.5mohm @ 43a, 10V 4V @ 270µA 93 NC @ 10 v ± 20V 7280 pf @ 75 v - 39W (TC)
FF150R12ME3GBOSA1 Infineon Technologies FF150R12ME3GBOSA1 149.8350
RFQ
ECAD 6303 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF150R12M 695 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 200a 2.15V @ 15V, 150A 5 MA 10.5 nf @ 25 v
IPP029N06NAK5A1 Infineon Technologies IPP029N06NAK5A1 -
RFQ
ECAD 3689 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 24A (TA), 100A (TC) 6V, 10V 2.9mohm @ 100a, 10V 2.8V @ 75µA 56 NC @ 10 v ± 20V 4100 pf @ 30 v - 3W (TA), 136W (TC)
IPI50R250CPXKSA1 Infineon Technologies IPI50R250CPXKSA1 -
RFQ
ECAD 9551 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA ipi50r MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 13A (TC) 10V 250mohm @ 7.8a, 10V 3.5V @ 520µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1420 pf @ 100 v - 114W (TC)
IPI600N25N3GAKSA1 Infineon Technologies IPI600N25N3GAKSA1 -
RFQ
ECAD 4633 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI600 MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 250 v 25A (TC) 10V 60mohm @ 25a, 10V 4V @ 90µA 29 NC @ 10 v ± 20V 2350 pf @ 100 v - 136W (TC)
SPD30N06S2-15 Infineon Technologies SPD30N06S2-15 -
RFQ
ECAD 3523 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 spd30n MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 30A (TC) 10V 14.7mohm @ 30a, 10V 4V @ 80µa 52 NC @ 10 v ± 20V 2070 pf @ 25 v - 136W (TC)
BSO303SPNTMA1 Infineon Technologies BSO303SPNTMA1 -
RFQ
ECAD 7150 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() PG-DSO-8 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 8.9A (TA) 4.5V, 10V 21mohm @ 8.9a, 10V 2V @ 100µa 69 NC @ 10 v ± 20V 1754 pf @ 25 v - 2.35W (TA)
BSB015N04NX3GXUMA1 Infineon Technologies BSB015N04NX3GXUMA1 -
RFQ
ECAD 1240 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-Wdson MOSFET (금속 (() Mg-Wdson-2, Canpak M ™ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 36A (TA), 180A (TC) 10V 1.5mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 142 NC @ 10 v ± 20V 12000 pf @ 20 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
PTFA211801F V4 Infineon Technologies PTFA211801F V4 -
RFQ
ECAD 8246 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 PTFA211801 2.14GHz LDMOS H-37260-2 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 10µA 1.2 a 35W 15.5dB - 28 v
IRF7343QTRPBF Infineon Technologies IRF7343QTRPBF -
RFQ
ECAD 9892 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF734 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 및 p 채널 55V 4.7a, 3.4a 50mohm @ 4.7a, 10V 1V @ 250µA 36NC @ 10V 740pf @ 25V -
IPS70R1K4CEAKMA1 Infineon Technologies IPS70R1K4CEAKMA1 -
RFQ
ECAD 9603 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK IPS70R1 MOSFET (금속 (() PG-to251-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 700 v 5.4A (TC) 10V 1.4ohm @ 1a, 10V 3.5V @ 100µA 10.5 nc @ 10 v ± 20V 225 pf @ 100 v - 53W (TC)
BSL205NL6327 Infineon Technologies BSL205NL6327 -
RFQ
ECAD 3099 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 BSL205 MOSFET (금속 (() 500MW PG-TSOP6-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 2.5A 50mohm @ 2.5a, 4.5v 1.2V @ 11µA 3.2NC @ 4.5V 419pf @ 10V 논리 논리 게이트
IPP80R600P7XKSA1 Infineon Technologies IPP80R600P7XKSA1 2.1700
RFQ
ECAD 6617 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80R600 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 8A (TC) 10V 600mohm @ 3.4a, 10V 3.5V @ 170µA 20 nc @ 10 v ± 20V 570 pf @ 500 v - 60W (TC)
AUIRF7313QTR Infineon Technologies AUIRF7313QTR 2.4100
RFQ
ECAD 9744 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AUIRF7313 MOSFET (금속 (() 2.4W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 30V 6.9A 29mohm @ 6.9a, 10V 3V @ 250µA 33NC @ 10V 755pf @ 25V 논리 논리 게이트
IPG16N10S461AATMA1 Infineon Technologies IPG16N10S461AATMA1 1.1400
RFQ
ECAD 1146 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn IPG16N10 MOSFET (금속 (() 29W PG-TDSON-8-10 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 100V 16A 61mohm @ 16a, 10V 3.5V @ 9µA 7NC @ 10V 490pf @ 25V -
BCR 142F E6327 Infineon Technologies BCR 142F E6327 -
RFQ
ECAD 8942 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-723 BCR 142 250 MW PG-TSFP-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 150MHz 22 KOHMS 47 Kohms
IPS70R950CEAKMA1 Infineon Technologies IPS70R950CEAKMA1 -
RFQ
ECAD 3021 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK IPS70R950 MOSFET (금속 (() PG-to251-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 700 v 7.4A (TC) 10V 950mohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 150µA 15.3 NC @ 10 v ± 20V 328 pf @ 100 v - 68W (TC)
SIPC03S2N03LX3MA1 Infineon Technologies SIPC03S2N03LX3MA1 0.3144
RFQ
ECAD 2088 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 SIPC03 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000014961 0000.00.0000 5,000
IRF9956TR Infineon Technologies IRF9956TR -
RFQ
ECAD 1651 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF995 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 30V 3.5a 100mohm @ 2.2a, 10V 1V @ 250µA 14NC @ 10V 190pf @ 15V 논리 논리 게이트
IPD034N06N3GATMA1 Infineon Technologies IPD034N06N3GATMA1 1.8300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD034 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 100A (TC) 10V 3.4mohm @ 100a, 10V 4V @ 93µA 130 NC @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 30 v - 167W (TC)
IRF3709ZSTRLPBF Infineon Technologies IRF3709ZSTRLPBF -
RFQ
ECAD 1510 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 87A (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 21a, 10V 2.25V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 20V 2130 pf @ 15 v - 79W (TC)
SMBT 3904 E6433 Infineon Technologies SMBT 3904 E6433 1.0000
RFQ
ECAD 7611 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 330 MW PG-SC74-6 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
FF100R12RT4HOSA1 Infineon Technologies FF100R12RT4HOSA1 72.9100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF100R12 555 W. 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1200 v 100 a 2.15V @ 15V, 100A 1 MA 아니요 630 NF @ 25 v
PTF140451E V1 Infineon Technologies PTF140451E V1 -
RFQ
ECAD 3738 0.00000000 인피온 인피온 Goldmos® 쟁반 sic에서 중단되었습니다 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드 1.5GHz LDMOS H-30265-2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 1µA 550 MA 45W 18db - 28 v
IPW60R250CPFKSA1 Infineon Technologies IPW60R250CPFKSA1 -
RFQ
ECAD 7675 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
IPU95R1K2P7AKMA1 Infineon Technologies IPU95R1K2P7AKMA1 1.6400
RFQ
ECAD 7198 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU95R1 MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 SP001792322 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 950 v 6A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.7a, 10V 3.5V @ 140µA 15 nc @ 10 v ± 20V 478 pf @ 400 v - 52W (TC)
IAUC41N06S5L100ATMA1 Infineon Technologies IAUC41N06S5L100ATMA1 0.8900
RFQ
ECAD 6138 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IAUC41 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 41A (TJ) 10MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 13µA 16.4 NC @ 10 v ± 16V 1205 pf @ 30 v - 42W (TC)
BSC072N08NS5ATMA1 Infineon Technologies BSC072N08NS5ATMA1 1.8300
RFQ
ECAD 53 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC072 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 80 v 74A (TC) 6V, 10V 7.2MOHM @ 37A, 10V 3.8V @ 36µA 29 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 40 v - 2.5W (TA), 69W (TC)
BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS83PH6327XTSA1 0.4100
RFQ
ECAD 2943 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS83PH6327 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 330ma (TA) 4.5V, 10V 2ohm @ 330ma, 10V 2V @ 80µa 3.57 NC @ 10 v ± 20V 78 pf @ 25 v - 360MW (TA)
IRF6714MTRPBF Infineon Technologies IRF6714MTRPBF -
RFQ
ECAD 5790 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX IRF6714 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001532368 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 25 v 29A (TA), 166A (TC) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 29a, 10V 2.4V @ 100µa 44 NC @ 4.5 v ± 20V 3890 pf @ 13 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고