SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
IRFB7434GPBF Infineon Technologies IRFB7434GPBF -
RFQ
ECAD 8217 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 195a (TC) 6V, 10V 1.6MOHM @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 324 NC @ 10 v ± 20V 10820 pf @ 25 v - -
BCR 166T E6327 Infineon Technologies BCR 166T E6327 -
RFQ
ECAD 5541 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-75, SOT-416 BCR 166 250 MW PG-SC-75 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 160MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
IPP020N08N5AKSA1 Infineon Technologies IPP020N08N5AKSA1 6.2400
RFQ
ECAD 494 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP020 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 120A (TC) 6V, 10V 2MOHM @ 100A, 10V 3.8V @ 280µA 223 NC @ 10 v ± 20V 16900 pf @ 40 v - 375W (TC)
BUZ30A E3045A Infineon Technologies BUZ30A E3045A -
RFQ
ECAD 8900 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 21A (TC) 10V 130mohm @ 13.5a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 1900 pf @ 25 v - 125W (TC)
SPP100N03S2L-03 Infineon Technologies SPP100N03S2L-03 -
RFQ
ECAD 2761 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp100n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SPP100N03S2L-03IN 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 30 v 100A (TC) 10V 3MOHM @ 80A, 10V 2V @ 250µA 220 NC @ 10 v ± 20V 8180 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRLR2905TRLPBF Infineon Technologies irlr2905trlpbf 1.5600
RFQ
ECAD 38 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR2905 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 42A (TC) 4V, 10V 27mohm @ 25a, 10V 2V @ 250µA 48 NC @ 5 v ± 16V 1700 pf @ 25 v - 110W (TC)
SPI15N60CFD Infineon Technologies SPI15N60CFD 1.7400
RFQ
ECAD 11 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 13.4A (TC) 10V 330mohm @ 9.4a, 10V 5V @ 750µA 84 NC @ 10 v ± 20V 1820 pf @ 25 v - 156W (TC)
IRL3715ZCSPBF Infineon Technologies IRL3715ZCSPBF -
RFQ
ECAD 7149 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 50A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10V 2.55V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 870 pf @ 10 v - 45W (TC)
BSM100GD120DN2BDLA1 Infineon Technologies BSM100GD120DN2BDLA1 -
RFQ
ECAD 5687 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 BSM100 680 W. 기준 기준 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 전체 전체 - 1200 v 150 a 3V @ 15V, 100A 2 MA 아니요 6.5 NF @ 25 v
IPP065N04N G Infineon Technologies IPP065N04N g -
RFQ
ECAD 4903 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP065N MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 50A (TC) 10V 6.5mohm @ 50a, 10V 4V @ 200µA 34 NC @ 10 v ± 20V 2800 pf @ 20 v - 68W (TC)
IRF1407L Infineon Technologies IRF1407L -
RFQ
ECAD 6962 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF1407L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 100A (TC) 10V 7.8mohm @ 78a, 10V 4V @ 250µA 250 nc @ 10 v ± 20V 5600 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
IRFR120NTRPBF Infineon Technologies irfr120ntrpbf 1.0500
RFQ
ECAD 55 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 9.4A (TC) 10V 210mohm @ 5.6a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 330 pf @ 25 v - 48W (TC)
IPP139N08N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP139N08N3GXKSA1 0.6100
RFQ
ECAD 632 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 80 v 45A (TC) 6V, 10V 13.9mohm @ 45a, 10V 3.5V @ 33µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1730 pf @ 40 v - 79W (TC)
SPB02N60C3 Infineon Technologies SPB02N60C3 0.5100
RFQ
ECAD 11 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 1.8A (TC) 10V 3ohm @ 1.1a, 10V 3.9V @ 80µA 12.5 nc @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 25W (TC)
IRFC4310EF Infineon Technologies IRFC4310EF -
RFQ
ECAD 9338 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
IPD65R600C6ATMA1 Infineon Technologies IPD65R600C6ATMA1 -
RFQ
ECAD 3997 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD65R MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001121530 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 2.1a, 10V 3.5V @ 210µA 23 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 100 v - 63W (TC)
IPI03N03LA Infineon Technologies IPI03N03LA -
RFQ
ECAD 9178 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI03N MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 25 v 80A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 55A, 10V 2V @ 100µa 57 NC @ 5 v ± 20V 7027 pf @ 15 v - 150W (TC)
PTFA092201FV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA092201FV4XWSA1 -
RFQ
ECAD 7866 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 PTFA092201 960MHz LDMOS H-37260-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 10µA 1.85 a 220W 18.5dB - 30 v
IRGPC40S Infineon Technologies IRGPC40S -
RFQ
ECAD 3023 0.00000000 인피온 인피온 - 가방 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 160 W. TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 - 600 v 50 a 1.8V @ 15V, 31A
BCR169WE6327 Infineon Technologies BCR169WE6327 0.0200
RFQ
ECAD 54 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BCR169 250 MW PG-SOT323-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 120 @ 5MA, 5V 200MHz 4.7 Kohms
SPA07N60C2 Infineon Technologies SPA07N60C2 0.5600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 5.5V @ 350µA 35 NC @ 10 v ± 20V 970 pf @ 25 v - 32W (TC)
BCR183SE6327BTSA1 Infineon Technologies BCR183SE6327BTSA1 -
RFQ
ECAD 1928 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR183 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma - 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
IRF7756GTRPBF Infineon Technologies IRF7756GTRPBF -
RFQ
ECAD 3304 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) IRF775 MOSFET (금속 (() 1W 8-tssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 12V 4.3A 4.3A, 4.5V 40mohm 900MV @ 250µA 18NC @ 4.5V 1400pf @ 10V 논리 논리 게이트
AUIRF2804 Infineon Technologies AUIRF2804 -
RFQ
ECAD 2879 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AUIRF2804 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001518528 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 195a (TC) 10V 2.3mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 6450 pf @ 25 v - 300W (TC)
BSO211PH Infineon Technologies BSO211PH 0.3300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ p 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 532-BFBGA, FCBGA BSO211 MOSFET (금속 (() 1.6W (TA) 532-FCBGA (23x23) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 2,500 2 p 채널 (채널) 20V 4A (TA) 67mohm @ 4.6a, 4.5v 1.2V @ 25µA 10NC @ 4.5V 1095pf @ 15V 로직 로직 게이트, 2.5V 드라이브
IPI100N04S303AKSA1 Infineon Technologies IPI100N04S303AKSA1 -
RFQ
ECAD 1564 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI100N MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 2.8mohm @ 80a, 10V 4V @ 150µA 145 NC @ 10 v ± 20V 9600 pf @ 25 v - 214W (TC)
IRFS38N20DTRRP Infineon Technologies IRFS38N20DTRRP -
RFQ
ECAD 1722 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001565034 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 43A (TC) 10V 54mohm @ 26a, 10V 5V @ 250µA 91 NC @ 10 v ± 20V 2900 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 300W (TC)
IPD50P03P4L11ATMA1 Infineon Technologies IPD50P03P4L11ATMA1 1.5700
RFQ
ECAD 9014 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD50 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 50a, 10V 2V @ 85µA 55 NC @ 10 v +5V, -16V 3770 pf @ 25 v - 58W (TC)
IPD80R2K8CEBTMA1 Infineon Technologies IPD80R2K8CEBTMA1 -
RFQ
ECAD 3177 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD80R MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 800 v 1.9A (TC) 10V 2.8ohm @ 1.1a, 10V 3.9V @ 120µA 12 nc @ 10 v ± 20V 290 pf @ 100 v - 42W (TC)
BSP315PL6327HTSA1 Infineon Technologies BSP315PL6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 2553 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 1.17A (TA) 4.5V, 10V 800mohm @ 1.17a, 10V 2V @ 160µA 7.8 NC @ 10 v ± 20V 160 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고