SIC
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트랜지스터 (13833)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
PTF080101M V1 Infineon Technologies PTF080101M V1 -
RFQ
 ECAD 1174 0.00000000 인피온 인피온 Goldmos® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 65 v 표면 표면 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) 960MHz LDMOS PG-RFP-10 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 1µA 180 MA 10W 16db - 28 v
IRF7607 Infineon Technologies IRF7607 -
RFQ
 ECAD 3385 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) MOSFET (금속 (() Micro8 ™ 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 20 v 6.5A (TA) 2.5V, 4.5V 30mohm @ 6.5a, 4.5v 1.2V @ 250µA 22 nc @ 5 v ± 12V 1310 pf @ 15 v - 1.8W (TA)
IRFR5505PBF Infineon Technologies IRFR5505PBF -
RFQ
 ECAD 7002 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 55 v 18A (TC) 10V 110mohm @ 9.6a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 650 pf @ 25 v - 57W (TC)
ICA32V20X1SA1 Infineon Technologies ICA32V20X1SA1 -
RFQ
 ECAD 6827 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001113920 쓸모없는 0000.00.0000 1
IPZA60R080P7XKSA1 Infineon Technologies IPZA60R080P7XKSA1 7.6200
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IPZA60 MOSFET (금속 (() PG-to247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 37A (TC) 10V 80mohm @ 11.8a, 10V 4V @ 590µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2180 pf @ 400 v - 129W (TC)
SMBT3904E6433HTMA1 Infineon Technologies SMBT3904E6433HTMA1 0.0523
RFQ
 ECAD 3340 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SMBT 3904 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
AUIRF1405ZS Infineon Technologies AUIRF1405ZS -
RFQ
 ECAD 3176 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 150A (TC) 10V 4.9mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 4780 pf @ 25 v - 230W (TC)
IRF7380QTRPBF Infineon Technologies IRF7380QTRPBF -
RFQ
 ECAD 8285 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7380 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 80V 3.6a 73mohm @ 2.2a, 10v 4V @ 250µA 23NC @ 10V 660pf @ 25v 논리 논리 게이트
SPW35N60C3FKSA1 Infineon Technologies SPW35N60C3FKSA1 11.9100
RFQ
 ECAD 5293 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SPW35N60 MOSFET (금속 (() PG-to247-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 34.6a (TC) 10V 100mohm @ 21.9a, 10V 3.9v @ 1.9ma 200 nc @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v - 313W (TC)
BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies BFR181E6327HTSA1 0.4700
RFQ
 ECAD 396 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BFR181 175MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 18.5dB 12V 20MA NPN 70 @ 5MA, 8V 8GHz 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
BG3123H6327XTSA1 Infineon Technologies BG3123H6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 7714 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 8 v 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BG3123 800MHz MOSFET PG-SOT363-PO 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 25MA, 20MA 14 MA - 25db 1.8dB 5 v
IRFB4610PBF Infineon Technologies IRFB4610PBF 2.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB4610 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 100 v 73A (TC) 10V 14mohm @ 44a, 10V 4V @ 100µa 140 NC @ 10 v ± 20V 3550 pf @ 50 v - 190W (TC)
FF600R17ME4PB11BOSA1 Infineon Technologies FF600R17ME4PB11BOSA1 489.9300
RFQ
 ECAD 9750 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF600R17 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 하프 하프 인버터 트렌치 트렌치 정지 1700 v 600 a 2.3V @ 15V, 600A 1 MA 예 48 NF @ 25 v
IPP037N06L3GHKSA1 Infineon Technologies IPP037N06L3GHKSA1 -
RFQ
 ECAD 1774 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP037 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000398072 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 90A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 90a, 10V 2.2V @ 93µA 79 NC @ 4.5 v ± 20V 13000 pf @ 30 v - 167W (TC)
BCX70KE6327HTSA1 Infineon Technologies BCX70KE6327HTSA1 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX70 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 20NA (ICBO) NPN 550MV @ 1.25ma, 50ma 380 @ 2MA, 5V 250MHz
BSS119L6327HTSA1 Infineon Technologies BSS119L6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 7520 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 170ma (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 170ma, 10V 2.3V @ 50µA 2.5 nc @ 10 v ± 20V 78 pf @ 25 v - 360MW (TA)
BCV61BE6433HTMA1 Infineon Technologies BCV61BE6433HTMA1 0.1302
RFQ
 ECAD 9563 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 30V 현재 현재 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BCV61 PG-SOT-143-3D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 100ma 2 npn,, 수집기 접합부
IRG8CH29K10D Infineon Technologies IRG8CH29K10D -
RFQ
 ECAD 8420 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 irg8ch 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
IRG5K100HF12B Infineon Technologies IRG5K100HF12B -
RFQ
 ECAD 8946 0.00000000 인피온 인피온 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Powir® 62 2 780 W. 기준 Powir® 62 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 반 반 - 1200 v 200a 2.6V @ 15V, 100A 2 MA 아니요 11.7 NF @ 25 v
IPQC60T017S7AXTMA1 Infineon Technologies IPQC60T017S7AXTMA1 12.7508
RFQ
 ECAD 6892 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-IPQC60T017S7AXTMA1TR 750
IRG4BC20UDPBF Infineon Technologies irg4bc20udpbf -
RFQ
 ECAD 4566 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 60 W. TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 480V, 6.5A, 50ohm, 15V 37 ns - 600 v 13 a 52 a 2.1V @ 15V, 6.5A 160µJ (on), 130µJ (OFF) 27 NC 39ns/93ns
IRG4PSH71KDPBF Infineon Technologies irg4psh71kdpbf -
RFQ
 ECAD 2109 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-274AA IRG4PSH71 기준 350 w Super-247 ™ (TO-274AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 800V, 42A, 5ohm, 15V 107 ns - 1200 v 78 a 156 a 3.9V @ 15V, 42A 5.68mj (on), 3.23mj (OFF) 410 NC 67NS/230NS
BSC0924NDIATMA1 Infineon Technologies BSC0924ndiatma1 1.3500
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC0924 MOSFET (금속 (() 1W PG-Tison-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 비대칭 30V 17a, 32a 5MOHM @ 20A, 10V 2V @ 250µA 10NC @ 4.5V 1160pf @ 15V 논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브
IRGS4B60KD1TRRP Infineon Technologies IRGS4B60KD1TRRP -
RFQ
 ECAD 8783 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRGS4B60 기준 63 W. D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001534000 귀 99 8541.29.0095 800 400V, 4A, 100ohm, 15V 93 ns NPT 600 v 11 a 22 a 2.5V @ 15V, 4A 73µJ (on), 47µJ (OFF) 12 NC 22ns/100ns
BFP420FH6327XTSA1 Infineon Technologies BFP420FH6327XTSA1 0.4400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 리드 BFP420 160MW 4-TSFP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 19.5dB 5.5V 35MA NPN 60 @ 5MA, 4V 25GHz 1.1db @ 1.8ghz
ICA32V23X1SA1 Infineon Technologies ICA32V23X1SA1 -
RFQ
 ECAD 9178 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001113928 쓸모없는 0000.00.0000 1
PTFB093608SVV2R250XTMA1 Infineon Technologies PTFB093608SVV2R250XTMA1 -
RFQ
 ECAD 2694 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 65 v 표면 표면 H-37275G-6/2 PTFB093608 920MHz ~ 960MHz LDMOS H-37275G-6/2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000957080 귀 99 8541.29.0095 250 - 360W 20dB -
IPP086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP086N10N3GXKSA1 1.9300
RFQ
 ECAD 8651 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP086 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 80A (TC) 6V, 10V 8.6mohm @ 73a, 10V 3.5V @ 75µA 55 NC @ 10 v ± 20V 3980 pf @ 50 v - 125W (TC)
IPC60R380E6X7SA1 Infineon Technologies IPC60R380E6X7SA1 -
RFQ
 ECAD 8232 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 IPC60R - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001418066 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
BFP 720FESD E6327 Infineon Technologies BFP 720FESD E6327 -
RFQ
 ECAD 7811 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 리드 BFP 720 100MW 4-TSFP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 10dB ~ 29dB 4.7V 30ma NPN 160 @ 15ma, 3v 45GHz 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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