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트랜지스터 (13833)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	테스트 테스트	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IRF7862TRPBF	1.2300	RFQ	14	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IRF7862		MOSFET (금속 (()			도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000		n 채널			30 v	21A (TA)	4.5V, 10V	3.7mohm @ 20a, 10V	2.35V @ 100µa	45 NC @ 4.5 v	± 20V	4090 pf @ 15 v	-	2.5W (TA)
FS75R12KE3B9BPSA1	184.7500	RFQ	5465	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	FS75R12			350 w	기준	Ag-Econo2b	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	15	전체 전체 인버터															-	1200 v	105 a		2.15V @ 15V, 75A				5 MA	예	5.3 NF @ 25 v
IRF6892ST1PBF	-	RFQ	5529	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DirectFet ™ ™ 메트릭 S3C			MOSFET (금속 (()			DirectFet ™ S3C	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널			25 v	28A (TA), 125A (TC)	4.5V, 10V	1.7mohm @ 28a, 10V	2.1V @ 50µA	25 nc @ 4.5 v	± 16V	2510 pf @ 13 v	-	2.1W (TA), 42W (TC)
IRF7807ZTR	-	RFQ	5382	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MOSFET (금속 (()			도 8-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001572296	귀 99	8541.29.0095	4,000		n 채널			30 v	11A (TA)	4.5V, 10V	13.8mohm @ 11a, 10V	2.25V @ 250µA	11 NC @ 4.5 v	± 20V	770 pf @ 15 v	-	2.5W (TA)
IPL60R095CFD7AUMA1	6.1800	RFQ	6190	인피온 인피온	CoolMOS ™ CFD7	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-powertsfn	IPL60R095		MOSFET (금속 (()			PG-VSON-4	다운로드	Rohs3 준수	2A (4 주)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			600 v	25A (TC)	10V	95mohm @ 1.4a, 10V	4.5V @ 570µA	51 NC @ 10 v	± 20V	2103 PF @ 400 v	-	147W (TC)
IRGS4064DTRRPBF	-	RFQ	1963	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		기준		101 w		d²pak	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001536502	귀 99	8541.29.0095	800			400V, 10A, 22ohm, 15V												62 ns	도랑	600 v	20 a	40 a	1.91V @ 15V, 10A	29µJ (on), 200µJ (OFF)	32 NC	27ns/79ns
irlr3103trr	-	RFQ	3181	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			30 v	55A (TC)	4.5V, 10V	19mohm @ 33a, 10V	1V @ 250µA	50 nc @ 4.5 v	± 16V	1600 pf @ 25 v	-	107W (TC)
BSM15GD120DN2E3224BOSA1	78.2250	RFQ	2492	인피온 인피온	-	쟁반	마지막으로 마지막으로	150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	BSM15G			145 w	기준	기준 기준	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10	전체 전체															-	1200 v	25 a		3V @ 15V, 15a				500 µA	아니요	1 nf @ 25 v
IPN70R900P7SATMA1	0.7800	RFQ	7992	인피온 인피온	Coolmos ™ P7	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	IPN70R900		MOSFET (금속 (()			PG-SOT223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			700 v	6A (TC)	10V	900mohm @ 1.1a, 10V	3.5V @ 60µA	6.8 NC @ 10 v	± 16V	211 PF @ 400 v	-	6.5W (TC)
IRGP4750DPBF	-	RFQ	6432	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		기준		273 w		TO-247AC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	25			400V, 35A, 10ohm, 15V												150 ns	-	650 v	70 a	105 a	2V @ 15V, 35A	1.3mj (on), 500µJ (OFF)	105 NC	50ns/105ns
IPA80R1K4P7	-	RFQ	6451	인피온 인피온	Coolmos ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩			MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-31 풀 팩	다운로드						0000.00.0000	1		n 채널			800 v	4A (TC)	10V	1.4ohm @ 1.4a, 10V	3.5V @ 70µA	10 nc @ 10 v	± 20V	250 pf @ 500 v	-	24W (TC)
SPI20N60CFD	1.9300	RFQ	168	인피온 인피온	Coolmos ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA			MOSFET (금속 (()			PG-to262-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	168		n 채널			600 v	20.7A (TC)	10V	220mohm @ 13.1a, 10V	5V @ 1MA	124 NC @ 10 v	± 20V	2400 pf @ 25 v	-	208W (TC)
AUIRF3415	-	RFQ	5883	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001516548	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널			150 v	43A (TC)	10V	42mohm @ 22a, 10V	4V @ 250µA	200 nc @ 10 v	± 20V	2400 pf @ 25 v	-	200W (TC)
BCR 108F E6327	-	RFQ	8008	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	SOT-723	BCR 108			250 MW		PG-TSFP-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																	50 v	100 MA						100NA (ICBO)			npn-사전-	300MV @ 500µA, 10MA	70 @ 5MA, 5V	170 MHz	2.2 Kohms	47 Kohms
auirl2203n	-	RFQ	4411	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널			30 v	75A (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 60a, 10V	1V @ 250µA	60 nc @ 4.5 v	± 16V	3290 pf @ 25 v	-	180W (TC)
IRF6631TR1PBF	-	RFQ	6794	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq			MOSFET (금속 (()			DirectFet ™ Sq	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널			30 v	13A (TA), 57A (TC)	4.5V, 10V	7.8mohm @ 13a, 10V	2.35V @ 25µA	18 nc @ 4.5 v	± 20V	1450 pf @ 15 v	-	2.2W (TA), 42W (TC)
BFP450E6327	-	RFQ	1849	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-82A, SOT-343				450MW		PG-SOT343-4	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0075	1				15.5dB													5V	100ma									NPN		60 @ 50MA, 4V	24GHz			1.25dB @ 1.8GHz
IRF7103PBF	-	RFQ	9067	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IRF71		MOSFET (금속 (()	2W		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	95	2 n 채널 (채널)				50V	3A		130mohm @ 3a, 10V	3V @ 250µA	30NC @ 10V		290pf @ 25V	-
ISP75DP06LMXTSA1	0.6300	RFQ	8725	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	ISP75D		MOSFET (금속 (()			PG-SOT223-4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		p 채널			60 v	1.1A (TA)	4.5V, 10V	750mohm @ 1.1a, 10V	2V @ 77µA	4 NC @ 10 v	± 20V	120 pf @ 30 v	-	1.8W (TA), 4.2W (TC)
BFP 182W H6327	0.0700	RFQ	6	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-82A, SOT-343				250MW		PG-SOT343-4	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0095	3,000				22db													12V	35MA									NPN		70 @ 10ma, 8v	8GHz			0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPU075N03L g	-	RFQ	2445	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	IPU075N		MOSFET (금속 (()			PG-to251-3-21	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500		n 채널			30 v	50A (TC)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 30a, 10V	2.2V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 20V	1900 pf @ 15 v	-	47W (TC)
AIMDQ75R060M1HXUMA1	9.3056	RFQ	1250	인피온 인피온	*	테이프 & tr (TR)	활동적인										-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	448-AIMDQ75R060M1HXUMA1TR			750
IRG7PH37K10D-EPBF	-	RFQ	5707	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	irg7ph	기준		216 W.		TO-247AD	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001549436	귀 99	8541.29.0095	25			600V, 15a, 10ohm, 15V												120 ns	-	1200 v	45 a	60 a	2.4V @ 15V, 15a	1mj (on), 600µJ (OFF)	135 NC	50ns/240ns
FF300R17ME4PB11BPSA1	269.0100	RFQ	8020	인피온 인피온	Econodual ™ 3	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C	섀시 섀시	기준 기준	FF300R17			20 MW	기준	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	6	반 반															트렌치 트렌치 정지	1700 v	600 a		2.3V @ 15V, 300A				3 MA	예	24.5 NF @ 25 v
ikw30n65el5xksa1	5.5600	RFQ	5009	인피온 인피온	TrenchStop ™ 5	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IKW30N65	기준		227 w		PG-to247-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30			400V, 30A, 10ohm, 15V												100 ns	-	650 v	85 a	120 a	1.35V @ 15V, 30A	470µJ (on), 1.35mj (OFF)	168 NC	33ns/308ns
IRGS4715DTRRPBF	-	RFQ	5704	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		기준		100 W.		D2PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001542306	귀 99	8541.29.0095	800			400V, 8A, 50ohm, 15V												86 ns	-	650 v	21 a	24 a	2V @ 15V, 8A	200µJ (on), 90µJ (OFF)	30 NC	30ns/100ns
SPB80N03S2L-04 g	-	RFQ	4951	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SPB80N		MOSFET (금속 (()			PG-to263-3-2	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널			30 v	80A (TC)	4.5V, 10V	3.9mohm @ 80a, 10V	2V @ 130µA	105 NC @ 10 v	± 20V	3900 pf @ 25 v	-	188W (TC)
irlu3303pbf	-	RFQ	4319	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA			MOSFET (금속 (()			i-pak	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	75		n 채널			30 v	35A (TC)	4.5V, 10V	31mohm @ 21a, 10V	1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 v	± 16V	870 pf @ 25 v	-	68W (TC)
IRG4BC20SPBF	-	RFQ	8625	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		기준		60 W.		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			480V, 10A, 50ohm, 15V													-	600 v	19 a	38 a	1.6V @ 15V, 10A	120µJ (on), 2.05mj (OFF)	27 NC	27ns/540ns
FZ1200R12KL4CNOSA1	-	RFQ	8633	인피온 인피온	IHM-B	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준				7800 w	기준	-	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000014916	귀 99	8541.29.0095	2	단일 단일															-	1200 v	1900 a		2.6V @ 15V, 1.2ka				5 MA	아니요	90 NF @ 25 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²