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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce |
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![]() | BSS88 | 1.0000 | ![]() | 3605 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | BSS8 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP05CN10NGHKSA1 | - | ![]() | 1809 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 2 | 튜브 | 활동적인 | IPP05CN10 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000096461 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | 100A (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF300R08W2P2B11ABOMA1 | 89.8700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EasyPack ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FF300R08 | 20 MW | 기준 | Ag-EASY2B-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 2 독립 | - | 750 v | 200a | 1.18V @ 15V, 200a | 1 MA | 예 | 53 NF @ 50 v | |||||||||||||||||||||
![]() | SPI07N65C3 | 0.8300 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 650 v | 7.3A (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 3.9V @ 350µA | 27 NC @ 10 v | ± 20V | 790 pf @ 25 v | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FS3L25R12W2H3PB11BPSA1 | 92.7500 | ![]() | 4575 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 쟁반 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 18 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP75R12N3T7B11BPSA1 | 206.2200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Econopim ™ 3 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 20 MW | 3 정류기 정류기 브리지 | Ag-Econo3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 75 a | 1.8V @ 15V, 75A | 13 µA | 예 | 15.1 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||
![]() | F475R12KS4BPSA1 | 194.0000 | ![]() | 1500 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | F475R12 | 500 W. | 기준 | Ag-Econo2b | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 전체 전체 인버터 | - | 1200 v | 100 a | 3.75V @ 15V, 75A | 5 MA | 예 | 5.1 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||
![]() | irlsl4030pbf | 4.5600 | ![]() | 7490 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRLSL4030 | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 180A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 110a, 10V | 2.5V @ 250µA | 130 NC @ 4.5 v | ± 16V | 11360 pf @ 50 v | - | 370W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IPD25DP06NMATMA1 | 0.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD25DP06 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-313 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 6.5A (TC) | 10V | 250mohm @ 6.5a, 10V | 4V @ 270µA | 10.6 NC @ 10 v | ± 20V | 420 pf @ 30 v | - | 28W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRF3808STRRPBF | - | ![]() | 9626 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001570154 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 75 v | 106A (TC) | 10V | 7mohm @ 82a, 10V | 4V @ 250µA | 220 NC @ 10 v | ± 20V | 5310 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IQFH99N06NM5ATMA1 | 2.4512 | ![]() | 1165 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKQ120N60TAXKSA1 | - | ![]() | 2136 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, TrenchStop ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IKQ120N | 기준 | 833 w | PG-to247-3-46 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | 400V, 120A, 3ohm, 15V | 280 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 160 a | 480 a | 2V @ 15V, 120A | 4.1mj (on), 2.8mj (OFF) | 772 NC | 33ns/310ns | |||||||||||||||||||
IPI180N10N3GXKSA1 | 1.0571 | ![]() | 7182 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI180 | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 100 v | 43A (TC) | 6V, 10V | 18mohm @ 33a, 10V | 3.5V @ 33µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 1800 pf @ 50 v | - | 71W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | auirfu1010z | - | ![]() | 5339 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | - | TO-262 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001516086 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | - | 42A (TC) | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF3805S | - | ![]() | 9188 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001518016 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 160A (TC) | 10V | 3.3mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 290 NC @ 10 v | ± 20V | 7960 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IAUC120N06S5L015ATMA1 | 1.2811 | ![]() | 3054 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ -5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-43 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 235A (TJ) | 4.5V, 10V | 1.5mohm @ 60a, 10V | 2.2V @ 94µA | 114 NC @ 10 v | ± 20V | 8193 pf @ 30 v | - | 167W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | BSM100GD120DN2BDLA1 | - | ![]() | 5687 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | BSM100 | 680 W. | 기준 | 기준 기준 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 전체 전체 | - | 1200 v | 150 a | 3V @ 15V, 100A | 2 MA | 아니요 | 6.5 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||
![]() | IRF3315STRL | - | ![]() | 4426 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 150 v | 21A (TC) | 10V | 82mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 95 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 94W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | IPD200N15N3GBTMA1 | - | ![]() | 2157 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD200N | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 150 v | 50A (TC) | 8V, 10V | 20mohm @ 50a, 10V | 4V @ 90µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 1820 pf @ 75 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | BTS282ZE3180AATMA2 | 6.7900 | ![]() | 7958 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Tempfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | BTS282 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-7-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 49 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 36a, 10V | 2V @ 240µA | 232 NC @ 10 v | ± 20V | 4800 pf @ 25 v | 온도 온도 다이오드 | 300W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | AUIRFR8401 | - | ![]() | 4370 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR8401 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 10V | 4.25mohm @ 60a, 10V | 3.9V @ 50µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 2200 pf @ 25 v | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | F3L11MR12W2M1B74BOMA1 | 198.0200 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EasyPack ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | F3L11MR12 | 20 MW | 기준 | Ag-Easy2b-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 3 레벨 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 100 a | 1.5V @ 15V, 100A | 9 µA | 예 | 21.7 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||
![]() | irfr6215cpbf | - | ![]() | 2627 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 150 v | 13A (TC) | 295mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 v | 860 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BSD816SNH6327XTSA1 | - | ![]() | 7256 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT363-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 1.4A (TA) | 1.8V, 2.5V | 160mohm @ 1.4a, 2.5v | 950MV @ 3.7µA | 0.6 nc @ 2.5 v | ± 8V | 180 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||||||
IPI100N04S303AKSA1 | - | ![]() | 1564 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI100N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 10V | 2.8mohm @ 80a, 10V | 4V @ 150µA | 145 NC @ 10 v | ± 20V | 9600 pf @ 25 v | - | 214W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | IPC65SR048CFDAE8206X2SA2 | - | ![]() | 2984 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | IPC65S | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP12CNE8N g | - | ![]() | 9407 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP12C | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 85 v | 67A (TC) | 10V | 12.9mohm @ 67a, 10V | 4V @ 83µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 4340 pf @ 40 v | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | IgLD60R190D1AUMA3 | 14.3900 | ![]() | 100 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolgan ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-ldfn n 패드 | Ganfet ((갈륨) | PG-LSON-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 10A (TC) | - | - | 1.6V @ 960µa | -10V | 157 pf @ 400 v | - | 62.5W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | IRF7769L2TRPBF | - | ![]() | 7954 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 100 v | 375A (TC) | 10V | 3.5mohm @ 74a, 10V | 4V @ 250µA | 300 NC @ 10 v | ± 20V | 11560 pf @ 25 v | - | 3.3W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FS75R12KT4BPSA2 | 153.0900 | ![]() | 9747 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EconoPack ™ 2 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS75R12 | 20 MW | 기준 | Ag-Econo2b | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 75 a | 2.15V @ 15V, 75A | 1 MA | 예 | 4.3 NF @ 25 v |
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