SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BSC0924NDIATMA1 Infineon Technologies BSC0924ndiatma1 1.3500
RFQ
ECAD 79 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC0924 MOSFET (금속 (() 1W PG-Tison-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 비대칭 30V 17a, 32a 5MOHM @ 20A, 10V 2V @ 250µA 10NC @ 4.5V 1160pf @ 15V 논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브
IPP037N06L3GHKSA1 Infineon Technologies IPP037N06L3GHKSA1 -
RFQ
ECAD 1774 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP037 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000398072 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 90A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 90a, 10V 2.2V @ 93µA 79 NC @ 4.5 v ± 20V 13000 pf @ 30 v - 167W (TC)
BCX70KE6327HTSA1 Infineon Technologies BCX70KE6327HTSA1 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX70 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 20NA (ICBO) NPN 550MV @ 1.25ma, 50ma 380 @ 2MA, 5V 250MHz
BCV61BE6433HTMA1 Infineon Technologies BCV61BE6433HTMA1 0.1302
RFQ
ECAD 9563 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 30V 현재 현재 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BCV61 PG-SOT-143-3D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 100ma 2 npn,, 수집기 접합부
64-4123PBF Infineon Technologies 64-4123pbf -
RFQ
ECAD 5514 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001518380 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
BG3123H6327XTSA1 Infineon Technologies BG3123H6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 7714 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 8 v 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BG3123 800MHz MOSFET PG-SOT363-PO 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 25MA, 20MA 14 MA - 25db 1.8dB 5 v
IST019N08NM5AUMA1 Infineon Technologies IST019N08NM5AUMA1 4.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 5-powersfn IST019N MOSFET (금속 (() PG-HSOF-5-1 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 32A (TA), 290A (TC) 6V, 10V 1.9mohm @ 100a, 10V 3.8V @ 148µA 132 NC @ 10 v ± 20V 6600 pf @ 40 v - 3.8W (TA), 313W (TC)
BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies BFR181E6327HTSA1 0.4700
RFQ
ECAD 396 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BFR181 175MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 18.5dB 12V 20MA NPN 70 @ 5MA, 8V 8GHz 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRG8CH29K10D Infineon Technologies IRG8CH29K10D -
RFQ
ECAD 8420 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 irg8ch 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
IRFB4610PBF Infineon Technologies IRFB4610PBF 2.4000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB4610 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 100 v 73A (TC) 10V 14mohm @ 44a, 10V 4V @ 100µa 140 NC @ 10 v ± 20V 3550 pf @ 50 v - 190W (TC)
IPB120N10S405ATMA1 Infineon Technologies IPB120N10S405ATMA1 3.9600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB120 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 120A (TC) 10V 5MOHM @ 100A, 10V 3.5V @ 120µA 91 NC @ 10 v ± 20V 6540 pf @ 25 v - 190W (TC)
BC847CB5003 Infineon Technologies BC847CB5003 0.0200
RFQ
ECAD 48 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23-3-11 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 250MHz
IPQC60T017S7AXTMA1 Infineon Technologies IPQC60T017S7AXTMA1 12.7508
RFQ
ECAD 6892 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-IPQC60T017S7AXTMA1TR 750
IRF7233TRPBF Infineon Technologies IRF7233TRPBF -
RFQ
ECAD 8296 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 12 v 9.5A (TA) 2.5V, 4.5V 20mohm @ 9.5a, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 74 NC @ 5 v ± 12V 6000 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
IPQC65R125CFD7AXTMA1 Infineon Technologies IPQC65R125CFD7AXTMA1 2.5642
RFQ
ECAD 6257 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 22-powerbsop op MOSFET (금속 (() PG-HDSOP-22-1 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 750 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 125mohm @ 7.8a, 10V 4.5V @ 390µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1566 pf @ 400 v - 160W (TC)
BFP183E7764HTSA1 Infineon Technologies BFP183E7764HTSA1 0.4100
RFQ
ECAD 13 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BFP183 250MW PG-SOT-143-3D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 22db 12V 65MA NPN 70 @ 15ma, 8v 8GHz 0.9dB ~ 1.4DB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPW90R120C3FKSA1 Infineon Technologies IPW90R120C3FKSA1 -
RFQ
ECAD 2826 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW90R MOSFET (금속 (() PG-to247-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 900 v 36A (TC) 10V 120mohm @ 26a, 10V 3.5v @ 2.9ma 270 nc @ 10 v ± 20V 6800 pf @ 100 v - 417W (TC)
AUIRFS4010-7P Infineon Technologies AUIRFS4010-7p -
RFQ
ECAD 4665 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 190a (TC) 10V 4mohm @ 110a, 10V 4V @ 250µA 230 nc @ 10 v ± 20V 9830 pf @ 50 v - 380W (TC)
ICA32V23X1SA1 Infineon Technologies ICA32V23X1SA1 -
RFQ
ECAD 9178 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001113928 쓸모없는 0000.00.0000 1
IRGB4715DPBF Infineon Technologies IRGB4715DPBF -
RFQ
ECAD 4365 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 100 W. TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 8A, 50ohm, 15V 86 ns - 650 v 21 a 24 a 2V @ 15V, 8A 200µJ (on), 90µJ (OFF) 30 NC 30ns/100ns
PTFB093608SVV2R250XTMA1 Infineon Technologies PTFB093608SVV2R250XTMA1 -
RFQ
ECAD 2694 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 65 v 표면 표면 H-37275G-6/2 PTFB093608 920MHz ~ 960MHz LDMOS H-37275G-6/2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000957080 귀 99 8541.29.0095 250 - 360W 20dB -
IRF7464TR Infineon Technologies irf7464tr -
RFQ
ECAD 2100 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 200 v 1.2A (TA) 10V 730mohm @ 720ma, 10V 5.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 280 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
IRF7470PBF Infineon Technologies IRF7470PBF -
RFQ
ECAD 4054 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 40 v 10A (TA) 2.8V, 10V 13mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 12V 3430 pf @ 20 v - 2.5W (TA)
ISC009N06LM5ATMA1 Infineon Technologies ISC009N06LM5ATMA1 4.7800
RFQ
ECAD 8085 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn ISC009N MOSFET (금속 (() PG-TSON-8-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 41A (TA), 348A (TC) 4.5V, 10V 0.9mohm @ 50a, 10V 2.3V @ 147µA 209 NC @ 10 v ± 20V 13000 pf @ 30 v - 3W (TA), 214W (TC)
PTFA180701FV4R250XTMA1 Infineon Technologies PTFA180701FV4R250XTMA1 -
RFQ
ECAD 6580 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 PTFA180701 1.84GHz LDMOS H-37265-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 250 10µA 550 MA 60W 16.5dB - 28 v
IRFSL4321PBF Infineon Technologies IRFSL4321PBF -
RFQ
ECAD 5953 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001550194 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 85A (TC) 10V 15mohm @ 33a, 10V 5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 30V 4460 pf @ 25 v - 350W (TC)
IPP086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP086N10N3GXKSA1 1.9300
RFQ
ECAD 8651 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP086 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 80A (TC) 6V, 10V 8.6mohm @ 73a, 10V 3.5V @ 75µA 55 NC @ 10 v ± 20V 3980 pf @ 50 v - 125W (TC)
BFP 720FESD E6327 Infineon Technologies BFP 720FESD E6327 -
RFQ
ECAD 7811 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 리드 BFP 720 100MW 4-TSFP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 10dB ~ 29dB 4.7V 30ma NPN 160 @ 15ma, 3v 45GHz 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz
IRL3714ZSTRRPBF Infineon Technologies IRL3714ZSTRRPBF -
RFQ
ECAD 6827 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 20 v 36A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 15a, 10V 2.55V @ 250µA 7.2 NC @ 4.5 v ± 20V 550 pf @ 10 v - 35W (TC)
IPC60R380E6X7SA1 Infineon Technologies IPC60R380E6X7SA1 -
RFQ
ECAD 8232 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 IPC60R - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001418066 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고