SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
DF200R12W1H3B27BOMA1 Infineon Technologies DF200R12W1H3B27BOMA1 72.2225
RFQ
ECAD 7929 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 DF200R12 375 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24 2 독립 - 1200 v 30 a 1.3V @ 15V, 30A 1 MA 2 NF @ 25 v
IPI120N06S403AKSA1 Infineon Technologies IPI120N06S403AKSA1 -
RFQ
ECAD 4754 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI120N MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 3.2mohm @ 100a, 10V 4V @ 120µA 160 nc @ 10 v ± 20V 13150 pf @ 25 v - 167W (TC)
IRL3715 Infineon Technologies IRL3715 -
RFQ
ECAD 9062 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3715 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 54A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 26a, 10V 3V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1060 pf @ 10 v - 3.8W (TA), 71W (TC)
SPA07N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPA07N60C3XKSA1 2.7300
RFQ
ECAD 8938 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SPA07N60 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 790 pf @ 25 v - 32W (TC)
IRGIB4620DPBF Infineon Technologies irgib4620dpbf -
RFQ
ECAD 7180 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 140 W. PG-to220-FP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001545068 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 12a, 22ohm, 15V 68 ns NPT 600 v 32 a 36 a 1.85V @ 15V, 12A 185µJ (on), 355µJ (OFF) 25 NC 31ns/83ns
BFP640H6327XTSA1 Infineon Technologies BFP640H6327XTSA1 0.6100
RFQ
ECAD 74 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 BFP640 200MW PG-SOT343-3D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 12.5dB 4.5V 50ma NPN 110 @ 30MA, 3V 40GHz 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
BSO350N03 Infineon Technologies BSO350N03 -
RFQ
ECAD 6117 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) BSO350N03 MOSFET (금속 (() 1.4W PG-DSO-8 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 5a 35mohm @ 6a, 10V 2V @ 6µA 3.7nc @ 5v 480pf @ 15V 논리 논리 게이트
SN7002NH6327XTSA1 Infineon Technologies SN7002NH6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 7403 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, SIPMOS® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SN7002N MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 200MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 1.8V @ 26µA 1.5 nc @ 10 v ± 20V 45 pf @ 25 v - 360MW (TA)
BSC200P03LSGAUMA1 Infineon Technologies BSC200P03LSGAUMA1 -
RFQ
ECAD 1921 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 9.9A (TA), 12.5A (TC) 10V 20mohm @ 12.5a, 10V 2.2v @ 100µa 48.5 nc @ 10 v ± 25V 2430 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 63W (TC)
IRLR3715ZTRL Infineon Technologies IRLR3715ZTRL -
RFQ
ECAD 5338 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001558946 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 49A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10V 2.55V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 810 pf @ 10 v - 40W (TC)
BCP55E6327HTSA1 Infineon Technologies BCP55E6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 7912 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP55 2 w PG-SOT223-4-10 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 100MHz
IRF1404ZSTRL Infineon Technologies IRF1404ZSTRL -
RFQ
ECAD 6923 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 180A (TC) 10V 3.7mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 4340 pf @ 25 v - 220W (TC)
SPB21N10 G Infineon Technologies SPB21N10 g -
RFQ
ECAD 1172 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB21N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 21A (TC) 10V 80mohm @ 15a, 10V 4V @ 44µA 38.4 NC @ 10 v ± 20V 865 pf @ 25 v - 90W (TC)
IPD25N06S4L30ATMA1 Infineon Technologies IPD25N06S4L30ATMA1 -
RFQ
ECAD 3641 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD25N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 25A (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 25a, 10V 2.2V @ 8µA 16.3 NC @ 10 v ± 16V 1220 pf @ 25 v - 29W (TC)
IRF9540NSTRLPBF Infineon Technologies IRF9540NSTRLPBF 2.4900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9540 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 23A (TC) 10V 117mohm @ 14a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 1450 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 110W (TC)
IPB25N06S3-25 Infineon Technologies IPB25N06S3-25 -
RFQ
ECAD 6174 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB25N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 25A (TC) 10V 24.8mohm @ 15a, 10V 4V @ 20µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1862 pf @ 25 v - 48W (TC)
IRFR3103TRR Infineon Technologies irfr3103trr -
RFQ
ECAD 7563 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 400 v 1.7A (TA) 10V 3.6ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRF8915TR Infineon Technologies IRF8915TR -
RFQ
ECAD 5450 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF89 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 8.9a 18.3mohm @ 8.9a, 10V 2.5V @ 250µA 7.4NC @ 4.5V 540pf @ 10V 논리 논리 게이트
IPB100N06S3-04 Infineon Technologies IPB100N06S3-04 -
RFQ
ECAD 6238 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB100N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 100A (TC) 10V 4.1mohm @ 80a, 10V 4V @ 150µA 314 NC @ 10 v ± 20V 14230 pf @ 25 v - 214W (TC)
IPI041N12N3GAKSA1 Infineon Technologies IPI041N12N3GAKSA1 6.3500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI041 MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 120 v 120A (TC) 10V 4.1MOHM @ 100A, 10V 4V @ 270µA 211 NC @ 10 v ± 20V 13800 pf @ 60 v - 300W (TC)
DF400R07PE4R_B6 Infineon Technologies DF400R07PE4R_B6 -
RFQ
ECAD 6183 0.00000000 인피온 인피온 Econopack ™ 4 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 DF400R07 1100 w 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 단일 단일 NPT 650 v 450 a 1.95V @ 15V, 400A 20 NA 18.5 nf @ 25 v
IRLR3717TRRPBF Infineon Technologies irlr3717trrpbf -
RFQ
ECAD 8867 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001569116 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 120A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 15a, 10V 2.45V @ 250µA 31 NC @ 4.5 v ± 20V 2830 pf @ 10 v - 89W (TC)
SPP08N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPP08N80C3XKSA1 2.9900
RFQ
ECAD 8291 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SPP08N80 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 8A (TC) 10V 650mohm @ 5.1a, 10V 3.9V @ 470µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 100 v - 104W (TC)
PTVA093002TCV1R250XUMA1 Infineon Technologies PTVA093002TCV1R250XUMA1 -
RFQ
ECAD 8324 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 105 v H-37248G-4/2 PTVA093002 730MHz ~ 960MHz LDMOS H-49248H-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001226874 귀 99 8541.29.0095 250 이중, 소스 일반적인 10µA 400 MA 300W 18.5dB - 50 v
F3L25R12W1T4B27BOMA1 Infineon Technologies F3L25R12W1T4B27BOMA1 37.8700
RFQ
ECAD 7491 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 F3L25R12 215 W. 기준 Ag-Easy1b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24 반 반 - 1200 v 45 a 2.25V @ 15V, 25A 1 MA 1.45 NF @ 25 v
IMW65R039M1HXKSA1 Infineon Technologies IMW65R039M1HXKSA1 17.4100
RFQ
ECAD 44 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IMW65R sicfet ((카바이드) PG-to247-3-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 46A (TC) 18V 50mohm @ 25a, 18V 5.7v @ 7.5ma 41 NC @ 18 v +20V, -2V 1393 pf @ 400 v - 176W (TC)
IRFC4010EB Infineon Technologies IRFC4010EB -
RFQ
ECAD 8307 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
SKB06N60ATMA1 Infineon Technologies SKB06N60ATMA1 -
RFQ
ECAD 8352 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SKB06N 기준 68 w PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 6A, 50ohm, 15V 200 ns NPT 600 v 12 a 24 a 2.4V @ 15V, 6A 215µJ 32 NC 25ns/220ns
AIMZHN120R030M1TXKSA1 Infineon Technologies AIMZHN120R030M1TXKSA1 27.5217
RFQ
ECAD 6685 0.00000000 인피온 인피온 * 튜브 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-Aimzhn120R030M1TXKSA1 240
SPD50P03LGXT Infineon Technologies spd50p03lgxt -
RFQ
ECAD 2208 0.00000000 인피온 인피온 Optimos®-P 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-5, DPAK (4 리드 + 탭), TO-252AD SPD50P MOSFET (금속 (() PG-to252-5 - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 SP000086729 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 126 NC @ 10 v ± 20V 6880 pf @ 25 v - 150W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고