전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF8707TRPBF | 0.5700 | ![]() | 33 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF8707 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 11A (TA) | 4.5V, 10V | 11.9mohm @ 11a, 10V | 2.35V @ 25µA | 9.3 NC @ 4.5 v | ± 20V | 760 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL2703STRR | - | ![]() | 1841 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 24A (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 14a, 10V | 1V @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 16V | 450 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFZ48Z | - | ![]() | 2726 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFZ48Z | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 61A (TC) | 10V | 11mohm @ 37a, 10V | 4V @ 250µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 1720 pf @ 25 v | - | 91W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC20MDPBF | - | ![]() | 5715 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 기준 | 60 W. | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 11a, 50ohm, 15V | 37 ns | - | 600 v | 18 a | 36 a | 2.1V @ 15V, 11a | 410µJ (on), 2.03mj (OFF) | 39 NC | 21ns/463ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFZ48ZSPBF | - | ![]() | 6918 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 61A (TC) | 10V | 11mohm @ 37a, 10V | 4V @ 250µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 1720 pf @ 25 v | - | 91W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR191WE6327HTSA1 | - | ![]() | 8279 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BCR191 | 250 MW | PG-SOT323 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 50 @ 5MA, 5V | 200MHz | 22 KOHMS | 22 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC0923NDIATMA1 | 1.5800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC0923 | MOSFET (금속 (() | 1W | PG-Tison-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널) 비대칭 | 30V | 17a, 32a | 5MOHM @ 20A, 10V | 2V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | 1160pf @ 15V | 논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB016N06L3GATMA1 | 4.0100 | ![]() | 4787 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | IPB016 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 180A (TC) | 4.5V, 10V | 1.6MOHM @ 100A, 10V | 2.2V @ 196µA | 166 NC @ 4.5 v | ± 20V | 28000 pf @ 30 v | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFU3709 | - | ![]() | 8044 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFU3709 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 41 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2672 pf @ 16 v | - | 120W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX71JE6433HTMA1 | 0.0529 | ![]() | 1592 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCX71 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45 v | 100 MA | 20NA (ICBO) | PNP | 550MV @ 1.25ma, 50ma | 250 @ 2MA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTAC210802FCV1XWSA1 | - | ![]() | 4896 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | SP001028964 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR142B6327HTLA1 | - | ![]() | 1887 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR142 | 200 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 30,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 70 @ 5MA, 5V | 150MHz | 22 KOHMS | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 64-4095pbf | - | ![]() | 9281 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | - | - | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG 193 E6433 | - | ![]() | 1768 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BFG 193 | 600MW | PG-SOT223-4 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 4,000 | 10.5dB ~ 16dB | 12V | 80ma | NPN | 70 @ 30MA, 8V | 8GHz | 1db ~ 1.6db @ 900MHz ~ 1.8GHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirls3036 | - | ![]() | 8002 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001521322 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 195a (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 165a, 10V | 2.5V @ 250µA | 140 nc @ 4.5 v | ± 16V | 11210 pf @ 50 v | - | 380W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IKB15N65EH5ATMA1 | 3.0500 | ![]() | 968 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop ™ 5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IKB15N65 | 기준 | 105 w | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 15a, 39ohm, 15V | 70 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 30 a | 45 a | 2.1V @ 15V, 15a | 400µJ (on), 80µJ (OFF) | 38 NC | 16ns/145ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | irfz44nstrr | - | ![]() | 9551 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 49A (TC) | 10V | 17.5mohm @ 25a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1470 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 94W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB80N03S2L-03 | - | ![]() | 4317 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB80N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 80a, 10V | 2V @ 250µA | 220 NC @ 10 v | ± 20V | 8180 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BFS483H6327XTSA1 | 0.8300 | ![]() | 52 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BFS483 | 450MW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 19db | 12V | 65MA | 2 NPN (() | 70 @ 15ma, 8v | 8GHz | 0.9dB ~ 1.4DB @ 900MHz ~ 1.8GHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB097N08N3 g | - | ![]() | 8627 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB097N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 80 v | 70A (TC) | 6V, 10V | 9.7mohm @ 46a, 10V | 3.5V @ 46µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 2410 pf @ 40 v | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR119SH6433XTMA1 | - | ![]() | 2863 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR119 | 250MW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50V | 100ma | - | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 500µA, 10MA | 120 @ 5MA, 5V | 150MHz | 4.7kohms | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP196WNH6327XTSA1 | 0.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-82A, SOT-343 | BFP196 | 700MW | PG-SOT343-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 9.7dB | 12V | 150ma | NPN | 70 @ 50MA, 8V | 7.5GHz | 1.3dB @ 900MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPA20N60C3 | - | ![]() | 3680 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-111 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 600 v | 20.7A (TC) | 190mohm @ 13.1a, 10V | 3.9V @ 1mA | 114 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 34.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | F48MR12W2M1HB70BPSA1 | 175.0900 | ![]() | 6851 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 15 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCV29E6327HTSA1 | - | ![]() | 2344 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | BCV29 | 1 W. | PG-SOT89 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 30 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | npn-달링턴 | 1V @ 100µa, 100ma | 20000 @ 100MA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irg4bc30u-s | - | ![]() | 5521 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 100 W. | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *irg4bc30u-s | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 480v, 12a, 23ohm, 15v | - | 600 v | 23 a | 92 a | 2.1V @ 15V, 12a | 160µJ (on), 200µJ (OFF) | 50 NC | 17ns/78ns | |||||||||||||||||||||||||
IPI80N06S3-07 | - | ![]() | 7265 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI80N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 10V | 6.8mohm @ 51a, 10V | 4V @ 80µa | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 7768 pf @ 25 v | - | 135W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBTA14E6327HTSA1 | 0.1265 | ![]() | 3574 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | smbta14 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 v | 300 MA | 100NA (ICBO) | npn-달링턴 | 1.5V @ 100µa, 100ma | 20000 @ 100MA, 5V | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIGC06T60EX1SA2 | - | ![]() | 2952 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop ™ | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | SIGC06 | 기준 | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | - | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 10 a | 30 a | 1.9V @ 15V, 10A | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI120N04S4-01M | - | ![]() | 2230 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | IPI120N | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001251474 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고