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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
IPP60R190E6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R190E6XKSA1 3.7100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R190 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 20.2A (TC) 10V 190mohm @ 9.5a, 10V 3.5V @ 630µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 100 v - 151W (TC)
IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP040N06N3GXKSA1 2.0100
RFQ
ECAD 500 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP040 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 90A (TC) 10V 4MOHM @ 90A, 10V 4V @ 90µA 98 NC @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 30 v - 188W (TC)
IPP80N04S303AKSA1 Infineon Technologies IPP80N04S303AKSA1 -
RFQ
ECAD 1922 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 3.5mohm @ 80a, 10V 4V @ 120µA 110 NC @ 10 v ± 20V 7300 pf @ 25 v - 188W (TC)
IRG4PH30K Infineon Technologies irg4ph30k -
RFQ
ECAD 2156 0.00000000 인피온 인피온 - 가방 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 100 W. TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irg4ph30k 귀 99 8541.29.0095 25 960V, 10A, 23ohm, 15V - 1200 v 20 a 40 a 4.2V @ 15V, 10A 640µJ (on), 920µJ (OFF) 53 NC 28ns/200ns
IRG4BC40W Infineon Technologies IRG4BC40W -
RFQ
ECAD 9963 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 160 W. TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRG4BC40W 귀 99 8541.29.0095 50 480V, 20A, 10ohm, 15V - 600 v 40 a 160 a 2.5V @ 15V, 20A 110µJ (on), 230µJ (OFF) 98 NC 27ns/100ns
IRF6638TR1PBF Infineon Technologies irf6638tr1pbf -
RFQ
ECAD 1555 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 25A (TA), 140A (TC) 4.5V, 10V 2.9mohm @ 25a, 10V 2.35V @ 100µa 45 NC @ 4.5 v ± 20V 3770 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
F4100R06KL4BOSA1 Infineon Technologies F4100R06KL4BOSA1 -
RFQ
ECAD 5490 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 F4100R 430 w 기준 기준 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 - 600 v 130 a 2.55V @ 15V, 100A 5 MA 4.3 NF @ 25 v
FF100R12YT3B60BOMA1 Infineon Technologies FF100R12YT3B60BOMA1 52.0000
RFQ
ECAD 13 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 1650 w 기준 - - 2156-FF100R12YT3B60BOMA1 6 반 반 도랑 1200 v 140 a 2.15V @ 15V, 100A 3 MA 18.5 nf @ 25 v
IRG6IC30U-110P Infineon Technologies IRG6IC30U-1110p -
RFQ
ECAD 9198 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모 쓸모 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IRG6IC30 기준 43 W. TO-220AB Full-Pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 - 도랑 330 v 28 a 2.38V @ 15V, 120A - -
IPU09N03LB G Infineon Technologies IPU09N03LB g -
RFQ
ECAD 7354 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU09N MOSFET (금속 (() PG-to251-3-21 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 9.3mohm @ 50a, 10V 2V @ 20µA 13 nc @ 5 v ± 20V 1600 pf @ 15 v - 58W (TC)
FF100R12KS4HOSA1 Infineon Technologies FF100R12KS4HOSA1 131.5100
RFQ
ECAD 7512 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF100R12 780 W. 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 - 1200 v 150 a 3.7V @ 15V, 100A 5 MA 아니요 650 NF @ 25 v
IPI180N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPI180N10N3GXKSA1 1.0571
RFQ
ECAD 7182 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI180 MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 43A (TC) 6V, 10V 18mohm @ 33a, 10V 3.5V @ 33µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 50 v - 71W (TC)
BC857AE6327 Infineon Technologies BC857AE6327 0.0400
RFQ
ECAD 36 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,460 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 250MHz
IPB60R385CPATMA1 Infineon Technologies IPB60R385CPATMA1 -
RFQ
ECAD 4600 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CP 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB60R MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 385mohm @ 5.2a, 10V 3.5V @ 340µA 22 nc @ 10 v ± 20V 790 pf @ 100 v - 83W (TC)
IPP65R075CFD7AAKSA1 Infineon Technologies IPP65R075CFD7AAKSA1 7.1717
RFQ
ECAD 5018 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP65R MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 32A (TC) 10V 75mohm @ 16.4a, 10V 4.5V @ 820µA 68 NC @ 10 v ± 20V 3288 pf @ 400 v - 171W (TC)
IPI60R600CPAKSA1 Infineon Technologies IPI60R600CPAKSA1 -
RFQ
ECAD 2070 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI60R MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 6.1A (TC) 10V 600mohm @ 3.3a, 10V 3.5V @ 220µA 27 NC @ 10 v ± 20V 550 pf @ 100 v - 60W (TC)
IPP139N08N3G Infineon Technologies IPP139N08N3G 0.5600
RFQ
ECAD 15 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 80 v 45A (TC) 6V, 10V 13.9mohm @ 45a, 10V 3.5V @ 33µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1730 pf @ 40 v - 79W (TC)
IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPD122N10N3GATMA1 1.6300
RFQ
ECAD 22 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD122 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 59A (TC) 6V, 10V 12.2MOHM @ 46A, 10V 3.5V @ 46µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 50 v - 94W (TC)
IPP80R900P7 Infineon Technologies IPP80R900p7 -
RFQ
ECAD 2125 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
IPB22N03S4L-15ATMA1 Infineon Technologies IPB22N03S4L-15ATMA1 -
RFQ
ECAD 6832 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 22A (TC) 4.5V, 10V 14.6MOHM @ 22A, 10V 2.2V @ 10µA 14 nc @ 10 v ± 16V 980 pf @ 25 v - 31W (TC)
IPP80N04S2-H4 Infineon Technologies IPP80N04S2-H4 -
RFQ
ECAD 5591 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 4mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 148 NC @ 10 v ± 20V 4400 pf @ 25 v - 300W (TC)
AIGW50N65H5XKSA1 Infineon Technologies AIGW50N65H5XKSA1 7.7800
RFQ
ECAD 3081 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, TrenchStop ™ 5 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 AIGW50 기준 270 W. PG-to247-3-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 25A, 12ohm, 15V 도랑 650 v 150 a 2.1V @ 15V, 50A 490µJ (ON), 140µJ (OFF) 1018 NC 21ns/156ns
IRG4RC10UTRLPBF Infineon Technologies irg4rc10utrlpbf -
RFQ
ECAD 4568 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 irg4rc10u 기준 38 w D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001547814 귀 99 8541.29.0095 3,000 480V, 5A, 100ohm, 15V - 600 v 8.5 a 34 a 2.6V @ 15V, 5A 80µJ (on), 160µJ (OFF) 15 NC 19ns/116ns
IPP80CN10NGXKSA1 Infineon Technologies IPP80CN10NGXKSA1 0.4600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 2 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-123 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 100 v 13A (TC) 10V 80mohm @ 13a, 10V 4V @ 12µA 11 NC @ 10 v ± 20V 716 pf @ 50 v - 31W (TC)
IAUS300N08S5N011TATMA1 Infineon Technologies IAUS300N08S5N011TATMA1 8.9100
RFQ
ECAD 5880 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 16-Powersop op MOSFET (금속 (() PG-HDSOP-16-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,800 n 채널 80 v 300A (TJ) 6V, 10V 1.1MOHM @ 100A, 10V 3.8V @ 275µA 231 NC @ 10 v ± 20V 16250 pf @ 40 v - 375W (TC)
AUIRFB8405-071 Infineon Technologies AUIRFB8405-071 -
RFQ
ECAD 7744 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 2.5mohm @ 100a, 10V 3.9V @ 100µA 161 NC @ 10 v ± 20V 5193 pf @ 25 v - 163W (TC)
IPT039N15N5ATMA1 Infineon Technologies IPT039N15N5ATMA1 7.3500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn MOSFET (금속 (() PG-HSOF-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 150 v 21A (TA), 190a (TC) 8V, 10V 3.9mohm @ 50a, 10V 4.6V @ 257µA 98 NC @ 10 v ± 20V 7700 pf @ 75 v - 3.8W (TA), 319W (TC)
SPA20N60CFD Infineon Technologies SPA20N60CFD 3.0600
RFQ
ECAD 111 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-313 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 600 v 20.7A (TC) 10V 220mohm @ 13.1a, 10V 5V @ 1MA 124 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 35W (TC)
IPA65R600E6 Infineon Technologies IPA65R600E6 -
RFQ
ECAD 8800 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-111 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 650 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 2.1a, 10V 3.5V @ 210µA 23 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 100 v - 28W (TC)
FD800R17KE3B2NOSA1 Infineon Technologies FD800R17KE3B2NOSA1 1.0000
RFQ
ECAD 1173 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FD800R17 5200 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 단일 단일 - 1700 v 1200 a 2.45V @ 15V, 800A 5 MA 아니요 72 NF @ 25 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고