- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
트랜지스터 (13833)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRL1004LPBF | - |  | 7060 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 130A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 78a, 10V | 1V @ 250µA | 100 nc @ 4.5 v | ± 16V | 5330 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BCR 166L3 E6327 | - | | 7083 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | BCR 166 | 250 MW | PG-TSLP-3-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 70 @ 5MA, 5V | 160MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | irf3710strr | - | | 4742 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 57A (TC) | 10V | 23mohm @ 28a, 10V | 4V @ 250µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 3130 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | ICD20V02X1SA1 | - | | 4081 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000946698 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFN18E6327HTSA1 | - | | 5377 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | BFN18 | 1 W. | PG-SOT89 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 300 v | 200 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 2ma, 20ma | 30 @ 30MA, 10V | 70MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IGB10N60TATMA1 | 1.6700 | | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IGB10 | 기준 | 110 W. | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 10A, 23ohm, 15V | npt, 필드 트렌치 중지 | 600 v | 20 a | 30 a | 2.05V @ 15V, 10A | 430µj | 62 NC | 12ns/215ns | ||||||||||||||||||||||||||||
| BCX55H6327XTSA1 | 0.1920 | | 8172 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | BCX55 | 2 w | PG-SOT89 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 40 @ 150ma, 2v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7311PBF | - | | 6047 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF731 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001572034 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 6.6a | 29mohm @ 6a, 4.5v | 700MV @ 250µA | 27NC @ 4.5V | 900pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BFP740FH6327XTSA1 | 0.5500 | | 6 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 리드 | BFP740 | 160MW | 4-TSFP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 27.5dB | 4.7V | 30ma | NPN | 160 @ 25MA, 3V | 42GHz | 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | irlib9343 | - | | 2501 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB Full-Pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *irlib9343 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 55 v | 14A (TC) | 4.5V, 10V | 105mohm @ 3.4a, 10V | 1V @ 250µA | 47 NC @ 10 v | ± 20V | 660 pf @ 50 v | - | 33W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| IPB035N08N3GATMA1 | 3.9700 | | 7566 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB035 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 80 v | 100A (TC) | 6V, 10V | 3.5mohm @ 100a, 10V | 3.5V @ 155µA | 117 NC @ 10 v | ± 20V | 8110 pf @ 40 v | - | 214W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | Irfr12n25dpbf | - | | 7844 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *irfr12n25dpbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 250 v | 14A (TC) | 10V | 260mohm @ 8.4a, 10V | 5V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 30V | 810 pf @ 25 v | - | 144W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | P3000ZL45X168HPSA1 | 10.0000 | | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | TO-200AF | P3000Z | 기준 | BG-P16826K-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 도랑 | 4500 v | 3000 a | 2.5V @ 15V, 3000A | 200 µA | 아니요 | 620 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
| irl3103L | - | | 5856 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL3103L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 64A (TC) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 34A, 10V | 1V @ 250µA | 33 NC @ 4.5 v | ± 16V | 1650 pf @ 25 v | - | 94W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | BC 846B B5003 | - | | 3585 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC 846 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPW60R040C7XKSA1 | 14.2100 | | 412 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IPW60R040 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 50A (TC) | 10V | 40mohm @ 24.9a, 10V | 4V @ 1.24ma | 107 NC @ 10 v | ± 20V | 4340 pf @ 400 v | - | 227W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | irlml2803tr | - | | 8686 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | Micro3 ™/SOT-23 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 1.2A (TA) | 250mohm @ 910ma, 10V | 1V @ 250µA | 5 nc @ 10 v | 85 pf @ 25 v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF3709ZPBF | - | | 3879 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 87A (TC) | 4.5V, 10V | 6.3mohm @ 21a, 10V | 2.25V @ 250µA | 26 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2130 pf @ 15 v | - | 79W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1HTSA1 | 0.0655 | | 5228 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBTA56 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 80 v | 500 MA | 100NA | PNP | 250mv @ 10ma, 100ma | 100 @ 100ma, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ISZ75DP15LMATMA1 | 0.9000 | | 5 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IFS200V12PT4BOSA1 | - | | 6892 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | MIPAQ ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | IFS200 | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 6 | 3 단계 인버터 | - | 1200 v | 200a | 2.15V @ 15V, 200a | 예 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSS225H6327FTSA1 | 0.6600 | | 5692 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | BSS225 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT89 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 90MA (TA) | 4.5V, 10V | 45ohm @ 90ma, 10V | 2.3V @ 94µA | 5.8 nc @ 10 v | ± 20V | 131 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
| BSM75GD120DLCBOSA1 | 334.6000 | | 3760 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | BSM75GD120 | 500 W. | 기준 | 기준 기준 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 전체 전체 | - | 1200 v | 125 a | 2.6V @ 15V, 75A | 92 µA | 아니요 | 5.1 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||
| BFP 740FESD E6327 | - | | 7764 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 리드 | BFP 740 | 160MW | 4-TSFP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 9db ~ 31dB | 4.7V | 45MA | NPN | 160 @ 25MA, 3V | 47GHz | 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPB100N06S2-05 | - | | 3689 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB100N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 100A (TC) | 10V | 4.7mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 6800 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| IRF3315L | - | | 1454 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF3315L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 150 v | 21A (TC) | 10V | 82mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 95 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 94W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | IRGP4790D-EPBF | - | | 7610 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 455 W. | TO-247AD | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001542360 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | 400V, 75A, 10ohm, 15V | 170 ns | - | 650 v | 140 a | 225 a | 2V @ 15V, 75A | 2.5mj (on), 2.2mj (OFF) | 210 NC | 50ns/200ns | ||||||||||||||||||||||||||||
| BCX6925E6327HTSA1 | 0.5100 | | 183 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | BCX69 | 3 w | PG-SOT89 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 20 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100ma, 1a | 160 @ 500ma, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFS 386L6 E6327 | - | | 9433 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-xfdfn | 210MW, 380MW | TSLP-6-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 10dB ~ 14.5dB | 6V | 35ma, 80ma | 2 NPN (() | 60 @ 15ma, 3v / 60 @ 40ma, 3v | 14GHz | 1db ~ 1.6db @ 1.8ghz ~ 3GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPA08N50C3XKAS1 | 1.0000 | | 4176 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-111 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 560 v | 7.6A (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 3.9V @ 350µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 750 pf @ 25 v | - | 32W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)