SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BSC097N06NSTATMA1 Infineon Technologies BSC097N06NSTATMA1 1.2400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC097 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 13A (TA), 48A (TC) 6V, 10V 9.7mohm @ 40a, 10V 3.3V @ 14µA 15 nc @ 10 v ± 20V 1075 pf @ 30 v - 3W (TA), 43W (TC)
BCR166WH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR166WH6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 7860 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 BCR166 250 MW PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 500µa, 10ma 70 @ 5MA, 5V 160MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
SMBT3904SH6327XTSA1 Infineon Technologies SMBT3904SH6327XTSA1 0.0800
RFQ
ECAD 5595 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 SMBT 3904 330MW PG-SOT363-PO 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 200ma 50NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPP11N60C3XKSA1 4.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp11n60 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10V 3.9V @ 500µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
PTFA092201F V1 Infineon Technologies PTFA092201F V1 -
RFQ
ECAD 1294 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 PTFA092201 960MHz LDMOS H-37260-2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 10µA 1.85 a 220W 18.5dB - 30 v
IPA60R380P6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R380P6XKSA1 2.2500
RFQ
ECAD 6466 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P6 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA60R380 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 10.6A (TC) 10V 380mohm @ 3.8a, 10V 4.5V @ 320µA 19 NC @ 10 v ± 20V 877 pf @ 100 v - 31W (TC)
IPL60R125P7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R125P7AUMA1 4.1000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-powertsfn IPL60R MOSFET (금속 (() PG-VSON-4 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 27A (TC) 10V 125mohm @ 8.2a, 10V 4V @ 410µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1544 pf @ 400 v - 111W (TC)
SPI11N60CFDHKSA1 Infineon Technologies SPI11N60CFDHKSA1 -
RFQ
ECAD 3916 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA spi11n MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 440mohm @ 7a, 10V 5v @ 500µa 64 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
IPL60R125C7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R125C7AUMA1 5.7500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-powertsfn IPL60R MOSFET (금속 (() PG-VSON-4 다운로드 Rohs3 준수 2A (4 주) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 17A (TC) 10V 125mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 390µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 400 v - 103W (TC)
BCP 55-16 E6327 Infineon Technologies BCP 55-16 E6327 -
RFQ
ECAD 3269 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP 55 2 w PG-SOT223-4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 100MHz
BSS87H6327XTSA1 Infineon Technologies BSS87H6327XTSA1 0.1749
RFQ
ECAD 7217 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BSS87 MOSFET (금속 (() PG-SOT89-4-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001195034 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 240 v 260MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 260ma, 10V 1.8V @ 108µA 5.5 nc @ 10 v ± 20V 97 pf @ 25 v - 1W (TA)
BCR119WE6327 Infineon Technologies BCR119WE6327 0.0200
RFQ
ECAD 147 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
IPD90P03P404ATMA1 Infineon Technologies IPD90P03P404ATMA1 1.2576
RFQ
ECAD 5894 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD90 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 90A (TC) 10V 4.5mohm @ 90a, 10V 4V @ 253µA 130 NC @ 10 v ± 20V 10300 pf @ 25 v - 137W (TC)
BCR196WE6327 Infineon Technologies BCR196WE6327 0.0200
RFQ
ECAD 24 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BCR196 250 MW PG-SOT323-3 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 15,000 50 v 70 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 500µa, 10ma 50 @ 5MA, 5V 150MHz 47 Kohms 22 KOHMS
IRFZ48ZS Infineon Technologies IRFZ48ZS -
RFQ
ECAD 1603 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ48ZS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 61A (TC) 10V 11mohm @ 37a, 10V 4V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 1720 pf @ 25 v - 91W (TC)
BC817K40E6327HTSA1 Infineon Technologies BC817K40E6327HTSA1 0.3700
RFQ
ECAD 117 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 500MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 170MHz
IRF6631TRPBF Infineon Technologies IRF6631TRPBF -
RFQ
ECAD 1437 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Sq 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 30 v 13A (TA), 57A (TC) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 13a, 10V 2.35V @ 25µA 18 nc @ 4.5 v ± 20V 1450 pf @ 15 v - 2.2W (TA), 42W (TC)
AUXVNGP4062D-E Infineon Technologies auxvngp4062d-e -
RFQ
ECAD 5730 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 AUXVNGP4062 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
BFR 193W E6327 Infineon Technologies BFR 193W E6327 -
RFQ
ECAD 5008 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BFR 193 580MW PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 10.5dB ~ 16dB 12V 80ma NPN 70 @ 30MA, 8V 8GHz 1db ~ 1.6db @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRF7521D1 Infineon Technologies IRF7521D1 -
RFQ
ECAD 7103 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) MOSFET (금속 (() Micro8 ™ 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 20 v 2.4A (TA) 2.7V, 4.5V 135mohm @ 1.7a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 8 NC @ 4.5 v ± 12V 260 pf @ 15 v Schottky 분리 (다이오드) 1.3W (TA)
BSZ0602LSATMA1 Infineon Technologies BSZ0602LSATMA1 1.7000
RFQ
ECAD 9607 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ0602 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 FL 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 80 v 13A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 36µA 18 nc @ 4.5 v ± 20V 2340 pf @ 40 v - 69W (TC)
IRF7834PBF Infineon Technologies IRF7834PBF -
RFQ
ECAD 3599 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001565546 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 19A (TA) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 19a, 10V 2.25V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 20V 3710 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IRLR3714ZPBF Infineon Technologies IRLR3714ZPBF -
RFQ
ECAD 7036 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 20 v 37A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 15a, 10V 2.55V @ 250µA 7.1 NC @ 4.5 v ± 20V 560 pf @ 10 v - 35W (TC)
SPP12N50C3HKSA1 Infineon Technologies SPP12N50C3HKSA1 -
RFQ
ECAD 2716 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp12n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 560 v 11.6A (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10V 3.9V @ 500µA 49 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
SPD06N80C3BTMA1 Infineon Technologies SPD06N80C3BTMA1 -
RFQ
ECAD 1861 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SPD06N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 800 v 6A (TA) 10V 900mohm @ 3.8a, 10V 3.9V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 785 pf @ 100 v - 83W (TC)
BTS282ZE3180ANTMA1 Infineon Technologies BTS282ZE3180ANTMA1 -
RFQ
ECAD 1246 0.00000000 인피온 인피온 Tempfet® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA MOSFET (금속 (() PG-to263-7-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 49 v 80A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 36a, 10V 2V @ 240µA 232 NC @ 10 v ± 20V 4800 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRFZ48VPBF Infineon Technologies IRFZ48VPBF -
RFQ
ECAD 2424 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 72A (TC) 10V 12MOHM @ 43A, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 1985 pf @ 25 v - 150W (TC)
BCR 512 B6327 Infineon Technologies BCR 512 B6327 -
RFQ
ECAD 6158 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR 512 330 MW PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 30,000 50 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 60 @ 50MA, 5V 100MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
IPU04N03LA G Infineon Technologies IPU04N03LA g -
RFQ
ECAD 2858 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU04N MOSFET (금속 (() P-to251-3-1 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 50a, 10V 2V @ 80µa 41 NC @ 5 v ± 20V 5199 pf @ 15 v - 115W (TC)
IPB120N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies IPB120N06S4H1ATMA2 4.3600
RFQ
ECAD 8041 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB120 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 2.4mohm @ 100a, 10V 4V @ 200µA 270 nc @ 10 v ± 20V 21900 pf @ 25 v - 250W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고