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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFP064VPBF | - | ![]() | 6141 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 가방 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 60 v | 130A (TC) | 10V | 5.5mohm @ 78a, 10V | 4V @ 250µA | 260 NC @ 10 v | ± 20V | 6760 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | BSS138N E6908 | - | ![]() | 3481 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 채널 | 60 v | 230MA (TA) | 4.5V, 10V | 3.5ohm @ 230ma, 10V | 1.4V @ 250µA | 1.4 NC @ 10 v | ± 20V | 41 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | ||||||||||||||||
![]() | irf7504tr | - | ![]() | 7810 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | IRF7504 | MOSFET (금속 (() | 1.25W | Micro8 ™ | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 1.7a | 270mohm @ 1.2a, 4.5v | 700MV @ 250µA | 8.2NC @ 4.5V | 240pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||
![]() | IPS60R1K5CEAKMA1 | 0.3086 | ![]() | 7334 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IPS60R1 | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 600 v | 5A (TJ) | 10V | 1.5ohm @ 1.1a, 10V | 3.5V @ 90µA | 9.4 NC @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 100 v | - | 49W (TC) | |||||||||||||||
![]() | BCR39PN-E6327 | 0.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPL60R125P7AUMA1 | 4.1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-powertsfn | IPL60R | MOSFET (금속 (() | PG-VSON-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 27A (TC) | 10V | 125mohm @ 8.2a, 10V | 4V @ 410µA | 36 nc @ 10 v | ± 20V | 1544 pf @ 400 v | - | 111W (TC) | |||||||||||||||
![]() | IPD14N06S280ATMA2 | 0.9100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD14N06 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 55 v | 17A (TC) | 10V | 80mohm @ 7a, 10V | 4V @ 14µA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 293 pf @ 25 v | - | 47W (TC) | |||||||||||||||
![]() | irll2703trpbf | - | ![]() | 3246 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 3.9A (TA) | 4V, 10V | 45mohm @ 3.9a, 10V | 2.4V @ 250µA | 14 nc @ 5 v | ± 16V | 530 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | IPB70P04P409ATMA1 | - | ![]() | 9184 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB70P04 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 72A (TC) | 10V | 9.1MOHM @ 70A, 10V | 4V @ 120µA | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 4810 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | |||||||||||||||
![]() | IMBG65R057M1HXTMA1 | 11.8000 | ![]() | 940 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolsic ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | IMBG65 | sicfet ((카바이드) | PG-to263-7-12 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 448-IMBG65R057M1HXTMA1CT | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 39A (TC) | 18V | 74mohm @ 16.7a, 18V | 5.7V @ 5MA | 28 nc @ 18 v | +23V, -5V | 930 pf @ 400 v | - | 161W (TC) | ||||||||||||||
![]() | IPD048N06L3GATMA1 | 1.3500 | ![]() | 1465 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD048N | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-311 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 90a, 10V | 2.2V @ 58µA | 50 nc @ 4.5 v | ± 20V | 8400 pf @ 30 v | - | 115W (TC) | |||||||||||||||
![]() | BCP 55-16 E6327 | - | ![]() | 3269 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BCP 55 | 2 w | PG-SOT223-4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 2v | 100MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | BC860CWE6327 | 0.0200 | ![]() | 113 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 420 @ 2MA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | BFP540E6327BTSA1 | - | ![]() | 9855 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-82A, SOT-343 | BFP540 | 250MW | PG-SOT343-3D | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 21.5dB | 5V | 80ma | NPN | 50 @ 20MA, 3.5V | 30GHz | 0.9dB ~ 1.4db @ 1.8GHz | ||||||||||||||||||||
![]() | BCR119SH6433XTMA1 | - | ![]() | 2863 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR119 | 250MW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50V | 100ma | - | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 500µA, 10MA | 120 @ 5MA, 5V | 150MHz | 4.7kohms | - | ||||||||||||||||||
![]() | IPP60R600E6XKSA1 | - | ![]() | 4724 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP60R | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 7.3A (TC) | 10V | 600mohm @ 2.4a, 10V | 3.5V @ 200µA | 20.5 nc @ 10 v | ± 20V | 440 pf @ 100 v | - | 63W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | irlr9343trpbf | 1.1000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR9343 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 55 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 105mohm @ 3.4a, 10V | 1V @ 250µA | 47 NC @ 10 v | ± 20V | 660 pf @ 50 v | - | 79W (TC) | |||||||||||||||
![]() | IRFSL17N20D | - | ![]() | 6010 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFSL17N20D | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 16A (TC) | 10V | 170mohm @ 9.8a, 10V | 5.5V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 30V | 1100 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 140W (TC) | |||||||||||||||
![]() | BC847PNH6327XTSA1 | 0.0886 | ![]() | 1211 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BC847 | 250MW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100ma | 15NA (ICBO) | NPN, PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BCP5316H6433XTMA1 | 0.2533 | ![]() | 2224 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BCP53 | 2 w | PG-SOT223-4-10 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 2v | 125MHz | |||||||||||||||||||
![]() | IAUS200N08S5N023ATMA1 | 4.8300 | ![]() | 652 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 갈매기 날개 | IAUS200 | MOSFET (금속 (() | PG-HSOG-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n 채널 | 80 v | 200a (TC) | 6V, 10V | 2.3mohm @ 100a, 10V | 3.8V @ 130µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 7670 pf @ 40 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||||
IPI100N08S207AKSA1 | - | ![]() | 2418 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI100N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 75 v | 100A (TC) | 10V | 7.1mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 200 nc @ 10 v | ± 20V | 4700 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | BFR340L3E6327XTMA1 | 0.4200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | BFR340 | 60MW | PG-TSLP-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 17.5dB | 9V | 10MA | NPN | 90 @ 5MA, 3V | 14GHz | 1.15dB @ 1.8GHz | |||||||||||||||||||
![]() | BSL308PEH6327XTSA1 | 0.7100 | ![]() | 5570 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | BSL308 | MOSFET (금속 (() | 500MW | PG-TSOP6-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 2A | 80mohm @ 2a, 10V | 1V @ 11µA | 5NC @ 10V | 500pf @ 15V | 논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브 | |||||||||||||||||
![]() | IPD650P06NMATMA1 | 1.6900 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD650 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-313 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 22A (TC) | 10V | 65mohm @ 22a, 10V | 4V @ 1.04ma | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 1600 pf @ 30 v | - | 83W (TC) | |||||||||||||||
![]() | IPP60R380P6XKSA1 | - | ![]() | 4829 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P6 | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP60R | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001017058 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 10.6A (TC) | 10V | 380mohm @ 3.8a, 10V | 4.5V @ 320µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 877 pf @ 100 v | - | 83W (TC) | |||||||||||||||
![]() | BCP49E6327HTSA1 | - | ![]() | 3038 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BCP49 | 1.5 w | PG-SOT223-4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | npn-달링턴 | 1V @ 100µa, 100ma | 10000 @ 100MA, 5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | BTS244ZE3062AATMA2 | 5.5700 | ![]() | 3572 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Tempfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB | BTS244 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-5-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 19a, 10V | 2V @ 130µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 2660 pf @ 25 v | 온도 온도 다이오드 | 170W (TC) | |||||||||||||||
![]() | BSZ0901NSITMA1 | 1.5300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSZ0901 | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-8-FL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 25A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 2.1MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 2600 pf @ 15 v | Schottky Diode (Body) | 2.1W (TA), 69W (TC) | |||||||||||||||
![]() | BSC009NE2LS5ATMA1 | 2.1900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC009 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 25 v | 41A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 0.9mohm @ 30a, 10V | 2V @ 250µA | 57 NC @ 10 v | ± 16V | 3900 pf @ 12 v | - | 2.5W (TA), 74W (TC) |
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