SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 소음 소음 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 트랜지스터 트랜지스터 DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IRL3402 Infineon Technologies irl3402 -
RFQ
ECAD 3557 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3402 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 85A (TC) 4.5V, 7V 8mohm @ 51a, 7v 700mv @ 250µa (최소) 78 NC @ 4.5 v ± 10V 3300 pf @ 15 v - 110W (TC)
IPD30N06S2L13ATMA1 Infineon Technologies IPD30N06S2L13ATMA1 -
RFQ
ECAD 2127 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 55 v 30A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 30a, 10V 2V @ 80µa 69 NC @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 25 v - 136W (TC)
IPA50R500CE Infineon Technologies IPA50R500CE -
RFQ
ECAD 5001 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA50R MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 7.6A (TC) 13V 500mohm @ 2.3a, 13v 3.5V @ 200µA 18.7 NC @ 10 v ± 20V 433 PF @ 100 v - 28W (TC)
IPU09N03LA G Infineon Technologies IPU09N03LA g -
RFQ
ECAD 1988 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU09N MOSFET (금속 (() PG-to251-3-21 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 30a, 10V 2V @ 20µA 13 nc @ 5 v ± 20V 1642 pf @ 15 v - 63W (TC)
IPD65R1K4CFDBTMA1 Infineon Technologies IPD65R1K4CFDBTMA1 -
RFQ
ECAD 4773 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD65R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 2.8A (TC) 10V 1.4ohm @ 1a, 10V 4.5V @ 100µa 10 nc @ 10 v ± 20V 262 pf @ 100 v - 28.4W (TC)
AUIRFP2602 Infineon Technologies AUIRFP2602 -
RFQ
ECAD 2210 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001522246 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 24 v 180A (TC) 10V 1.6MOHM @ 180A, 10V 4V @ 250µA 390 NC @ 10 v ± 20V 11220 pf @ 25 v - 380W (TC)
IRL3103D2PBF Infineon Technologies IRL3103D2PBF -
RFQ
ECAD 6344 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3103D2PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 54A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 32a, 10V 1V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 16V 2300 pf @ 25 v - 2W (TA), 70W (TC)
AUIRF1404ZL Infineon Technologies AUIRF1404ZL -
RFQ
ECAD 6576 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 160A (TC) 10V 3.7mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 4340 pf @ 25 v - 200W (TC)
IKP28N65ES5XKSA1 Infineon Technologies IKP28N65ES5XKSA1 4.0300
RFQ
ECAD 3434 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 5 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IKP28N65 기준 130 W. PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 28A, 34OHM, 15V 73 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 38 a 90 a 1.9V @ 15V, 28A 530µJ (on), 400µJ (OFF) 50 NC 27ns/184ns
IPL60R360P6SATMA1 Infineon Technologies IPL60R360P6SATMA1 2.1400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IPL60R360 MOSFET (금속 (() 8- 테인 팩 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 600 v 11.3A (TC) 10V 360mohm @ 4.5a, 10V 4.5V @ 370µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1010 pf @ 100 v - 89.3W (TC)
IPU80R1K4CEAKMA1 Infineon Technologies IPU80R1K4CEAKMA1 -
RFQ
ECAD 6395 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU80R MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001593930 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 800 v 3.9A (TC) 10V 1.4ohm @ 2.3a, 10V 3.9V @ 240µA 23 nc @ 10 v ± 20V 570 pf @ 100 v - 63W (TC)
IPA50R140CPXK Infineon Technologies IPA50R140CPXK -
RFQ
ECAD 9087 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-111 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 23A (TC) 10V 140mohm @ 14a, 10V 3.5V @ 930µA 64 NC @ 10 v ± 20V 2540 pf @ 100 v - 34W (TC)
IRLTS2242TRPBF Infineon Technologies irlts2242trpbf 0.5000
RFQ
ECAD 73 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 IRLTS2242 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6.9A (TA) 2.5V, 4.5V 32mohm @ 6.9a, 4.5v 1.1V @ 10µA 12 nc @ 4.5 v ± 12V 905 pf @ 10 v - 2W (TA)
AUIRFSL6535 Infineon Technologies auirfsl6535 -
RFQ
ECAD 4875 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() PG-to262-3-901 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 300 v 19A (TC) 10V 185mohm @ 11a, 10V 5V @ 150µA 57 NC @ 10 v ± 20V 2340 pf @ 25 v - 210W (TC)
IRL3715Z Infineon Technologies IRL3715Z -
RFQ
ECAD 1998 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3715Z 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 50A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10V 2.55V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 870 pf @ 10 v - 45W (TC)
BCW68E6359HTMA1 Infineon Technologies BCW68E6359HTMA1 -
RFQ
ECAD 3775 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000015038 0000.00.0000 3,000
SPB100N03S203T Infineon Technologies SPB100N03S203T 2.1400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB100N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 100A (TC) 10V 3MOHM @ 80A, 10V 4V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 7020 pf @ 25 v - 300W (TC)
PTFA092211FLV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA092211FLV4XWSA1 -
RFQ
ECAD 5107 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 920MHz ~ 960MHz LDMOS H-34288-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000688948 5A991G 8541.29.0095 40 - 175 MA 50W 18db - 30 v
IPP120P04P4L03AKSA2 Infineon Technologies IPP120P04P4L03AKSA2 3.4900
RFQ
ECAD 80 0.00000000 인피온 인피온 Optimos®-P2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP120 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 40 v 120A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 100a, 10V 2.2V @ 340µA 234 NC @ 10 v +5V, -16V 15000 pf @ 25 v - 136W (TC)
IPP086N10N3GHKSA1 Infineon Technologies IPP086N10N3GHKSA1 -
RFQ
ECAD 5444 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP086N MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000485980 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 80A (TC) 6V, 10V 8.6mohm @ 73a, 10V 3.5V @ 75µA 55 NC @ 10 v ± 20V 3980 pf @ 50 v - 125W (TC)
SPD03N60S5BTMA1 Infineon Technologies SPD03N60S5BTMA1 -
RFQ
ECAD 5314 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SPD03N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 3.2A (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10V 5.5V @ 135µA 16 nc @ 10 v ± 20V 420 pf @ 25 v - 38W (TC)
IRF7456TRPBF-1 Infineon Technologies IRF7456TRPBF-1 -
RFQ
ECAD 2487 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 20 v 16A (TA) 2.8V, 10V 6.5mohm @ 16a, 10V 2V @ 250µA 62 NC @ 5 v ± 12V 3640 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IRFZ48ZSPBF Infineon Technologies IRFZ48ZSPBF -
RFQ
ECAD 6918 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 61A (TC) 10V 11mohm @ 37a, 10V 4V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 1720 pf @ 25 v - 91W (TC)
BFR 183T E6327 Infineon Technologies BFR 183T E6327 -
RFQ
ECAD 3507 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 BFR 183 250MW PG-SC-75 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 19.5dB 12V 65MA NPN 50 @ 15ma, 8v 8GHz 1.2dB ~ 2db @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRF7807D2TRPBF Infineon Technologies IRF7807D2TRPBF -
RFQ
ECAD 6160 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 8.3A (TA) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5v 1V @ 250µA 17 nc @ 5 v ± 12V Schottky 분리 (다이오드) 2.5W (TA)
IRF9530NPBF Infineon Technologies IRF9530NPBF 1.1600
RFQ
ECAD 51 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9530 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 14A (TC) 10V 200mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 20V 760 pf @ 25 v - 79W (TC)
IRFZ48Z Infineon Technologies IRFZ48Z -
RFQ
ECAD 2726 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ48Z 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 61A (TC) 10V 11mohm @ 37a, 10V 4V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 1720 pf @ 25 v - 91W (TC)
IRFR2407TRR Infineon Technologies irfr2407trr -
RFQ
ECAD 5975 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR2407 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 75 v 42A (TC) 10V 26mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 110W (TC)
IPW65R230CFD7AXKSA1 Infineon Technologies IPW65R230CFD7AXKSA1 4.1200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 230mohm @ 5.2a, 10V 4.5V @ 260µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1044 pf @ 400 v - 63W (TC)
IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies IMBF170R450M1XTMA1 8.9500
RFQ
ECAD 1748 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA IMBF170 sicfet ((카바이드) PG-to263-7-13 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 1700 v 9.8A (TC) 12V, 15V 450mohm @ 2a, 15V 5.7v @ 2.5ma 11 nc @ 12 v +20V, -10V 610 pf @ 1000 v - 107W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고