- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
트랜지스터 (13833)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPD60R400CEAUMA1 | 1.4600 |  | 15 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD60R | MOSFET (금속 (() | PG-to252-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 14.7A (TC) | 10V | 400mohm @ 3.8a, 10V | 3.5V @ 300µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 100 v | - | 112W (TC) | ||||||||||||||
 | IPP70N04S3-07 | - | | 6613 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ t | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 425 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 70a, 10V | 4V @ 50µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 2700 pf @ 25 v | - | 79W (TC) | |||||||||||||||
| auirlr3410 | - | | 3096 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | auirlr3410 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 100 v | 17A (TC) | 4V, 10V | 10A @ 10A, 10V | 2V @ 250µA | 34 NC @ 5 v | ± 16V | 800 pf @ 25 v | - | 79W (TC) | ||||||||||||||
 | IRF2807S | - | | 5063 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 75 v | 82A (TC) | 10V | 13mohm @ 43a, 10V | 4V @ 250µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 3820 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||||
 | auirfs3004trl | 4.0181 | | 3823 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AUIRFS3004 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 10V | 1.75mohm @ 195a, 10V | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 9200 pf @ 25 v | - | 380W (TC) | ||||||||||||||
| AUIRFR3504 | - | | 9827 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001517376 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 56A (TC) | 10V | 9.2MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 71 NC @ 10 v | ± 20V | 2150 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||
 | BCR 148F B6327 | - | | 7321 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SOT-723 | BCR 148 | 250 MW | PG-TSFP-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 30,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 70 @ 5MA, 5V | 100MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||
 | IRF150P221AKMA1 | 7.9000 | | 181 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Strongirfet ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 150 v | 186A (TC) | 10V | 4.5mohm @ 100a, 10V | 4.6V @ 264µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 6000 pf @ 75 v | - | 3.8W (TA), 341W (TC) | |||||||||||||||
 | BSP297L6327 | - | | 7116 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4-21 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 660MA (TA) | 4.5V, 10V | 1.8ohm @ 660ma, 10V | 1.8V @ 400µA | 16.1 NC @ 10 v | ± 20V | 357 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA) | |||||||||||||||
 | IRF7805ATRPBF | - | | 7503 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 13A (TA) | 4.5V | 11mohm @ 7a, 4.5v | 3V @ 250µA | 31 NC @ 5 v | ± 12V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||
 | BCR 166L3 E6327 | - | | 7083 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | BCR 166 | 250 MW | PG-TSLP-3-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 70 @ 5MA, 5V | 160MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||
| IPB80N06S2L09ATMA1 | - | | 6450 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB80N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 8.2MOHM @ 52A, 10V | 2V @ 125µA | 105 NC @ 10 v | ± 20V | 2620 pf @ 25 v | - | 190W (TC) | ||||||||||||||
| irl530nstrr | - | | 4547 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 17A (TC) | 4V, 10V | 100mohm @ 9a, 10V | 2V @ 250µA | 34 NC @ 5 v | ± 20V | 800 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 79W (TC) | |||||||||||||||
 | AUIRFS8409-7P | 13.0100 | | 908 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | AUIRF8409 | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 240A (TC) | 10V | 0.75mohm @ 100a, 10V | 3.9V @ 250µA | 460 nc @ 10 v | ± 20V | 13975 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||||
| IPB08CNE8N g | - | | 3845 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB08C | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 85 v | 95A (TC) | 10V | 8.2MOHM @ 95A, 10V | 4V @ 130µA | 99 NC @ 10 v | ± 20V | 6690 pf @ 40 v | - | 167W (TC) | |||||||||||||||
 | IPI100N12S305AKSA1 | - | | 8866 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI100N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 120 v | 100A (TC) | 10V | 5.1MOHM @ 100A, 10V | 4V @ 240µA | 185 NC @ 10 v | ± 20V | 11570 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||
| IRL7833SPBF | - | | 1320 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 150A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 38a, 10V | 2.3V @ 250µA | 47 NC @ 4.5 v | ± 20V | 4170 pf @ 15 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||
| irfr3710ztr | - | | 1697 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 42A (TC) | 10V | 18mohm @ 33a, 10V | 4V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 2930 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||
 | IPB080N03L g | 0.4000 | | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 3 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 50a | 4.5V, 10V | 8mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 1900 pf @ 15 v | - | 47W (TC) | |||||||||||||||
| IRFS4010TRRPBF | - | | 9317 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001576222 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 180A (TC) | 10V | 4.7mohm @ 106a, 10V | 4V @ 250µA | 215 NC @ 10 v | ± 20V | 9575 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||||
| imic22v01x6sa2 | - | | 3833 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001121576 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC097N06NSATMA1 | 0.9500 | | 18 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC097 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 46A (TC) | 6V, 10V | 9.7mohm @ 40a, 10V | 3.3V @ 14µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 1075 pf @ 30 v | - | 2.5W (TA), 36W (TC) | ||||||||||||||
 | BGB 540 E6327 | - | | 9729 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-82A, SOT-343 | 120MW | PG-SOT343-3D | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 16dB ~ 17.5dB | 3.5V | 30ma | NPN | - | - | 1.3dB ~ 2db @ 900MHz ~ 1.8GHz | ||||||||||||||||||||
 | BCX69-25E6327 | 0.1300 | | 23 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | 3 w | PG-SOT89-4-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 20 v | 1 a | 100NA (ICBO) | 500mv @ 100ma, 1a | 160 @ 500ma, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||
| auirfz24nstrr | - | | 8647 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 17A (TC) | 10V | 70mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 370 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 45W (TC) | ||||||||||||||||
| irfr2407trrpbf | - | | 4954 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR2407 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 75 v | 42A (TC) | 10V | 26mohm @ 25a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||
 | BFR92WH6327XTSA1 | - | | 6155 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BFR92 | 280MW | PG-SOT323 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 11.5dB ~ 17dB | 15V | 45MA | NPN | 70 @ 15ma, 8v | 5GHz | 1.4dB ~ 2db @ 900MHz ~ 1.8GHz | |||||||||||||||||||
 | BCR 164T E6327 | - | | 1521 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | BCR 164 | 250 MW | PG-SC75-3D | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 30 @ 5MA, 5V | 160MHz | 4.7 Kohms | 10 KOHMS | |||||||||||||||||
 | IRF6724MTR1PBF | - | | 5937 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 MX | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ MX | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 27A (TA), 150A (TC) | 4.5V, 10V | 2.5mohm @ 27a, 10V | 2.35V @ 100µa | 54 NC @ 4.5 v | ± 20V | 4404 pf @ 15 v | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | ||||||||||||||||
 | IRFB4610 | - | | 2164 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFB4610 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 73A (TC) | 10V | 14mohm @ 44a, 10V | 4V @ 100µa | 140 NC @ 10 v | ± 20V | 3550 pf @ 50 v | - | 190W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)