SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 소음 소음 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IPW50R350CP Infineon Technologies IPW50R350CP 1.2300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() PG-to247-3-21 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 10A (TC) 10V 350mohm @ 5.6a, 10V 3.5V @ 370µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1020 pf @ 100 v - 89W (TC)
IGW30N60TPXKSA1 Infineon Technologies IGW30N60TPXKSA1 2.5600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IGW30N60 기준 200 w PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10.5OHM, 15V 트렌치 트렌치 정지 600 v 53 a 90 a 1.8V @ 15V, 30A 710µJ (on), 420µJ (OFF) 130 NC 15ns/179ns
BFP183WE6327BTSA1 Infineon Technologies BFP183WE6327BTSA1 -
RFQ
ECAD 9914 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 BFP183 450MW PG-SOT343-3D 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 22db 12V 65MA NPN 70 @ 15ma, 8v 8GHz 0.9dB ~ 1.4DB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRFH5220TRPBF Infineon Technologies IRFH5220TRPBF -
RFQ
ECAD 4753 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vqfn q 패드 MOSFET (금속 (() PQFN (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001570846 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 200 v 3.8A (TA), 20A (TC) 10V 99.9mohm @ 5.8a, 10v 5V @ 100µa 30 nc @ 10 v ± 20V 1380 pf @ 50 v - 3.6W (TA), 8.3W (TC)
PTFA092201F V1 Infineon Technologies PTFA092201F V1 -
RFQ
ECAD 1294 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 PTFA092201 960MHz LDMOS H-37260-2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 10µA 1.85 a 220W 18.5dB - 30 v
IRF7105QTRPBF Infineon Technologies IRF7105QTRPBF -
RFQ
ECAD 7150 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF71 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 및 p 채널 25V 3.5a, 2.3a 100mohm @ 1a, 10V 3V @ 250µA 27NC @ 10V 330pf @ 15V -
IRGP4263D-EPBF Infineon Technologies IRGP4263D-EPBF -
RFQ
ECAD 2574 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 325 w TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 400V, 48A, 10ohm, 15V 170 ns - 650 v 90 a 192 a 2.1V @ 15V, 48A 2.9mj (on), 1.4mj (OFF) 145 NC 70ns/140ns
IPA65R600C6XKSA1 Infineon Technologies IPA65R600C6XKSA1 -
RFQ
ECAD 8252 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA65R MOSFET (금속 (() PG-to220-3-111 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 2.1a, 10V 3.5V @ 210µA 23 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 100 v - 28W (TC)
BC 817-40 E6327 Infineon Technologies BC 817-40 E6327 -
RFQ
ECAD 4103 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC 817 330 MW PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 170MHz
BSC012N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC012N06NSATMA1 4.0200
RFQ
ECAD 4419 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC012 MOSFET (금속 (() PG-TSON-8-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 36A (TA), 306A (TC) 6V, 10V 1.2mohm @ 50a, 10V 3.3V @ 147µA 143 NC @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 30 v - 214W (TC)
BCR129WE6327HTSA1 Infineon Technologies BCR129WE6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 1608 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 BCR129 250 MW PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 120 @ 5MA, 5V 150MHz 10 KOHMS
IRL540NSTRRPBF Infineon Technologies irl540nstrrpbf -
RFQ
ECAD 9138 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001550372 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 36A (TC) 4V, 10V 44mohm @ 18a, 10V 2V @ 250µA 74 NC @ 5 v ± 16V 1800 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 140W (TC)
IRFS3507TRLPBF Infineon Technologies IRFS3507trlpbf -
RFQ
ECAD 1302 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 97A (TC) 10V 8.8mohm @ 58a, 10V 4V @ 100µa 130 NC @ 10 v ± 20V 3540 pf @ 50 v - 190W (TC)
IRF6678TR1PBF Infineon Technologies irf6678tr1pbf -
RFQ
ECAD 2441 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 30A (TA), 150A (TC) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 30A, 10V 2.25V @ 250µA 65 NC @ 4.5 v ± 20V 5640 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
BCR08PNB6327XT Infineon Technologies BCR08PNB6327XT -
RFQ
ECAD 4117 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR08 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 30,000 50V 100ma - 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 170MHz 2.2kohms 47kohms
IRF6645TR1PBF Infineon Technologies IRF6645TR1PBF -
RFQ
ECAD 5655 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 SJ MOSFET (금속 (() DirectFet ™ SJ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 5.7A (TA), 25A (TC) 10V 35mohm @ 5.7a, 10V 4.9V @ 50µA 20 nc @ 10 v ± 20V 890 pf @ 25 v - 2.2W (TA), 42W (TC)
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies IPD60R1K0PFD7SAUMA1 0.8900
RFQ
ECAD 568 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ PFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 4.7A (TC) 10V 1ohm @ 1a, 10v 4.5V @ 50µA 6 nc @ 10 v ± 20V 230 pf @ 400 v - 26W (TC)
64-2042 Infineon Technologies 64-2042 -
RFQ
ECAD 7675 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF1404 MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 3.7mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 4340 pf @ 25 v - 220W (TC)
IPB80N04S204ATMA2 Infineon Technologies IPB80N04S204ATMA2 7.0400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 3.4mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 5300 pf @ 25 v - 300W (TC)
BDP947E6327HTSA1 Infineon Technologies BDP947E6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 3443 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BDP947 5 w PG-SOT223-4-10 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 45 v 3 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 200ma, 2a 100 @ 500ma, 1V 100MHz
BCX71JE6433HTMA1 Infineon Technologies BCX71JE6433HTMA1 0.0529
RFQ
ECAD 1592 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX71 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 20NA (ICBO) PNP 550MV @ 1.25ma, 50ma 250 @ 2MA, 5V 250MHz
SPP03N60S5HKSA1 Infineon Technologies SPP03N60S5HKSA1 -
RFQ
ECAD 5587 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp03n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 3.2A (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10V 5.5V @ 135µA 16 nc @ 10 v ± 20V 420 pf @ 25 v - 38W (TC)
BC848BL3E6327 Infineon Technologies BC848BL3E6327 0.0900
RFQ
ECAD 180 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW PG-SOT23 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,468 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IRGP4640-EPBF Infineon Technologies IRGP4640-EPBF -
RFQ
ECAD 1905 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRGP4640 기준 250 W. TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 400V, 24A, 10ohm, 15V - 600 v 65 a 72 a 1.9V @ 15V, 24A 100µJ (on), 600µJ (OFF) 75 NC 40ns/105ns
IRLU3303 Infineon Technologies irlu3303 -
RFQ
ECAD 6028 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLU3303 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 31mohm @ 21a, 10V 1V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 16V 870 pf @ 25 v - 68W (TC)
IPD90R1K2C3BTMA1 Infineon Technologies IPD90R1K2C3BTMA1 -
RFQ
ECAD 2606 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD90 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 900 v 5.1A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.8a, 10V 3.5V @ 310µA 28 nc @ 10 v ± 20V 710 pf @ 100 v - 83W (TC)
IRFS4010TRRPBF Infineon Technologies IRFS4010TRRPBF -
RFQ
ECAD 9317 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001576222 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 180A (TC) 10V 4.7mohm @ 106a, 10V 4V @ 250µA 215 NC @ 10 v ± 20V 9575 pf @ 50 v - 375W (TC)
IRG4BC20KPBF Infineon Technologies IRG4BC20KPBF -
RFQ
ECAD 6841 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 60 W. TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 480V, 9A, 50ohm, 15V - 600 v 16 a 32 a 2.8V @ 15V, 9A 150µJ (on), 250µJ (OFF) 34 NC 28ns/150ns
BC 846B B5003 Infineon Technologies BC 846B B5003 -
RFQ
ECAD 3585 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC 846 330 MW PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
BCR198E6393HTSA1 Infineon Technologies BCR198E6393HTSA1 -
RFQ
ECAD 5440 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR198 200 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000010818 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 190 MHz 47 Kohms 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고