SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IPD135N03LGATMA1 Infineon Technologies IPD135N03LGATMA1 0.8700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD135 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 1000 pf @ 15 v - 31W (TC)
IRFHM8228TRPBF Infineon Technologies irfhm8228trpbf -
RFQ
ECAD 4300 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 25 v 19A (TA) 4.5V, 10V 5.2MOHM @ 20A, 10V 2.35V @ 25µA 18 nc @ 10 v ± 20V 1667 pf @ 10 v - 2.8W (TA), 34W (TC)
IRF8302MTR1PBF Infineon Technologies IRF8302MTR1PBF -
RFQ
ECAD 5624 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX IRF8302 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 31A (TA), 190a (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 31a, 10V 2.35V @ 150µA 53 NC @ 4.5 v ± 20V 6030 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 104W (TC)
BC846SE6327BTSA1 Infineon Technologies BC846SE6327BTSA1 -
RFQ
ECAD 1301 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC846S 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
SPD50N03S2L06GBTMA1 Infineon Technologies SPD50N03S2L06GBTMA1 -
RFQ
ECAD 6631 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SPD50N MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 6.4mohm @ 50a, 10V 2V @ 85µA 68 NC @ 10 v ± 20V 2530 pf @ 25 v - 136W (TC)
IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies IPD050N10N5ATMA1 3.0500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD050 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 80A (TC) 6V, 10V 5MOHM @ 40A, 10V 3.8V @ 84µA 64 NC @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 50 v - 150W (TC)
SGP30N60XKSA1 Infineon Technologies sgp30n60xksa1 -
RFQ
ECAD 4484 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sgp30n 기준 250 W. TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 500 400V, 30A, 11ohm, 15V NPT 600 v 41 a 112 a 2.4V @ 15V, 30A 1.29mj 140 NC 44ns/291ns
SPI73N03S2L-08 Infineon Technologies SPI73N03S2L-08 -
RFQ
ECAD 7964 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA SPI73N MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 30 v 73A (TC) 4.5V, 10V 8.4mohm @ 36a, 10V 2V @ 55µA 46.2 NC @ 10 v ± 20V 1710 pf @ 25 v - 107W (TC)
IRF7460 Infineon Technologies IRF7460 -
RFQ
ECAD 3636 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF7460 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 20 v 12A (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 20V 2050 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
BCR48PNE6327BTSA1 Infineon Technologies BCR48PNE6327BTSA1 -
RFQ
ECAD 7847 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR48 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 70ma, 100ma - 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 100MHz, 200MHz 47kohms, 2.2kohms 47kohms
IPI80N06S405AKSA2 Infineon Technologies IPI80N06S405AKSA2 1.3805
RFQ
ECAD 2182 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI80N06 MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 80A (TC) 10V 5.7mohm @ 80a, 10V 4V @ 60µA 81 NC @ 10 v ± 20V 6500 pf @ 25 v - 107W (TC)
IPU60R950C6AKMA1 Infineon Technologies IPU60R950C6AKMA1 -
RFQ
ECAD 3498 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C6 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU60R MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 600 v 4.4A (TC) 10V 950mohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 130µA 13 nc @ 10 v ± 20V 280 pf @ 100 v - 37W (TC)
IRF7335D1TR Infineon Technologies IRF7335D1TR -
RFQ
ECAD 4348 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF733 MOSFET (금속 (() 2W 14 -Soic 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q1902365 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 비대칭 30V 10A 17.5mohm @ 10a, 4.5v 1V @ 250µA 20NC @ 4.5V 1500pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRFB3607PBF Infineon Technologies IRFB3607pbf 1.2400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB3607 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 80A (TC) 10V 9mohm @ 46a, 10V 4V @ 100µa 84 NC @ 10 v ± 20V 3070 pf @ 50 v - 140W (TC)
BSL308CL6327HTSA1 Infineon Technologies BSL308CL6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 4093 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 BSL308 MOSFET (금속 (() 500MW PG-TSOP6-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 2.3a, 2a 80mohm @ 2a, 10V 2V @ 11µA 500NC @ 10V 275pf @ 15V 논리 논리 게이트
SPB80N08S2-07 Infineon Technologies SPB80N08S2-07 -
RFQ
ECAD 6635 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 75 v 80A (TC) 10V 7.1MOHM @ 66A, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 6130 pf @ 25 v - 300W (TC)
AUIRF3305 Infineon Technologies AUIRF3305 -
RFQ
ECAD 1822 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AUIRF3305 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 140A (TC) 10V 8mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 3650 pf @ 25 v - 330W (TC)
IPTC044N15NM5ATMA1 Infineon Technologies IPTC044N15NM5ATMA1 7.9300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 16-Powersop op MOSFET (금속 (() PG-HDSOP-16-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,800 n 채널 150 v 19.4A (TA), 174A (TC) 8V, 10V 4.4mohm @ 50a, 10V 4.6V @ 235µA 89 NC @ 10 v ± 20V 7000 pf @ 75 v - 3.8W (TA), 300W (TC)
IRFR120Z Infineon Technologies IRFR120Z -
RFQ
ECAD 9413 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR120Z 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 8.7A (TC) 10V 190mohm @ 5.2a, 10V 4V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 310 pf @ 25 v - 35W (TC)
IPP041N04NGXKSA1 Infineon Technologies IPP041N04NGXKSA1 1.5000
RFQ
ECAD 279 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP041 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 4.1mohm @ 80a, 10V 4V @ 45µA 56 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 20 v - 94W (TC)
BSP89 E6327 Infineon Technologies BSP89 E6327 -
RFQ
ECAD 8535 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 240 v 350MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 350ma, 10V 1.8V @ 108µA 6.4 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
SN7002W L6327 Infineon Technologies SN7002W L6327 -
RFQ
ECAD 8663 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SN7002W MOSFET (금속 (() PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 230MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 230ma, 10V 1.8V @ 26µA 1.5 nc @ 10 v ± 20V 45 pf @ 25 v - 500MW (TA)
IPL60R085P7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R085P7AUMA1 6.4200
RFQ
ECAD 2651 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-powertsfn IPL60R085 MOSFET (금속 (() PG-VSON-4 다운로드 Rohs3 준수 2A (4 주) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 39A (TC) 10V 85mohm @ 11.8a, 10V 4V @ 590µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2180 pf @ 400 v - 154W (TC)
BFP193WE6327HTSA1 Infineon Technologies BFP193WE6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 1014 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 BFP193 580MW PG-SOT343-3D 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 13.5dB ~ 20.5dB 12V 80ma NPN 70 @ 30MA, 8V 8GHz 1db ~ 1.6db @ 900MHz ~ 1.8GHz
BFP181E7764HTSA1 Infineon Technologies BFP181E7764HTSA1 0.4300
RFQ
ECAD 549 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BFP181 175MW PG-SOT-143-3D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 17.5dB ~ 21dB 12V 20MA NPN 70 @ 70ma, 8V 8GHz 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRFR3708TRRPBF Infineon Technologies irfr3708trrpbf -
RFQ
ECAD 5439 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR3708 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001575934 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 61A (TC) 2.8V, 10V 12.5mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 12V 2417 pf @ 15 v - 87W (TC)
IRF7831PBF Infineon Technologies IRF7831PBF -
RFQ
ECAD 1673 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001551568 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 21A (TA) 4.5V, 10V 3.6MOHM @ 20A, 10V 2.35V @ 250µA 60 nc @ 4.5 v ± 12V 6240 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
SIGC81T60NCX7SA1 Infineon Technologies SIGC81T60NCX7SA1 -
RFQ
ECAD 7596 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC81T60 기준 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 300V, 100A, 2.2OHM, 15V NPT 600 v 100 a 300 a 2.5V @ 15V, 100A - 95NS/200ns
PTFA191001EV4R250XTMA1 Infineon Technologies PTFA191001001001EV4R250XTMA1 -
RFQ
ECAD 4687 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드 PTFA191001 1.96GHz LDMOS H-36248-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 250 10µA 900 MA 44dbm 17dB - 30 v
BFR 182W E6327 Infineon Technologies BFR 182W E6327 -
RFQ
ECAD 8086 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BFR 182 250MW PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 19db 12V 35MA NPN 70 @ 10ma, 8v 8GHz 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고