- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
트랜지스터 (13833)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPW65R190C7 | - |  | 9446 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 650 v | 13A (TC) | 10V | 190mohm @ 5.7a, 10V | 4V @ 290µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1150 pf @ 400 v | - | 72W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | SPB08P06PGATMA1 | - | | 2848 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB08P | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 60 v | 8.8A (TA) | 10V | 300mohm @ 6.2a, 10V | 4V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 420 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | irl2703pbf | - | | 3929 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 24A (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 14a, 10V | 1V @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 16V | 450 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IRF7807VD2PBF | - | | 2757 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Fetky ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001575258 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 8.3A (TA) | 4.5V | 25mohm @ 7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 20V | Schottky 분리 (다이오드) | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||
 | irg4ph20kpbf | - | | 6000 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | irg4ph20 | 기준 | 60 W. | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | 960V, 5A, 50ohm, 15V | - | 1200 v | 11 a | 22 a | 4.3V @ 15V, 5A | 450µJ (on), 440µJ (OFF) | 28 NC | 23ns/93ns | ||||||||||||||||||||||
| IIPC63S4N08X2SA2 | - | | 2158 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | IIPC63S4 | - | 쓸모없는 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCW60CE6327HTSA1 | 0.0492 | | 3814 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCW60 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 32 v | 100 MA | 20NA (ICBO) | NPN | 550MV @ 1.25ma, 50ma | 250 @ 2MA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | BSL214NH6327XTSA1 | - | | 8013 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | BSL214 | MOSFET (금속 (() | 500MW | PG-TSOP6-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 1.5A | 140mohm @ 1.5a, 4.5v | 1.2V @ 3.7µA | 0.8NC @ 5V | 143pf @ 10V | 로직 로직 게이트, 2.5V 드라이브 | |||||||||||||||||||||||
 | IPB120N04S302ATMA1 | - | | 9594 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 10V | 2.3mohm @ 80a, 10V | 4V @ 230µA | 210 nc @ 10 v | ± 20V | 14300 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| SMBTA92E6327HTSA1 | 0.4800 | | 3104 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MBTA92 | 360 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 300 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 2ma, 20ma | 25 @ 30MA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | BC850BWE6327 | - | | 1407 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | 250 MW | PG-SOT323-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | BCR48PNH6433XTMA1 | 0.0975 | | 6346 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR48 | 250MW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50V | 70ma, 100ma | - | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 300mv @ 500µa, 10ma | 70 @ 5MA, 5V | 100MHz, 200MHz | 47kohms, 2.2kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||
 | IPP60R520E6 | - | | 6903 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 373 | n 채널 | 600 v | 8.1A (TC) | 10V | 520mohm @ 2.8a, 10V | 3.5V @ 230µA | 23.4 NC @ 10 v | ± 20V | 512 pf @ 100 v | - | 66W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | BC858CWH6327XTSA1 | 0.0558 | | 2242 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC858 | 250 MW | PG-SOT323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 420 @ 2MA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | IPD650P06NMSAUMA1 | - | | 8943 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD650 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-313 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP004987224 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 22A (TC) | 10V | 65mohm @ 22a, 10V | 4V @ 1.04ma | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 1600 pf @ 30 v | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IRLR3103TRLPBF | - | | 7601 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001558904 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 55A (TC) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 33a, 10V | 1V @ 250µA | 50 nc @ 4.5 v | ± 16V | 1600 pf @ 25 v | - | 107W (TC) | |||||||||||||||||||||
| IRF2807ZS | - | | 2080 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF2807ZS | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 75 v | 75A (TC) | 10V | 9.4mohm @ 53a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 3270 pf @ 25 v | - | 170W (TC) | |||||||||||||||||||||
| IPD06P005NSAUMA1 | - | | 9041 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD06P | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-313 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001863502 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 6.5A (TC) | 10V | 250mohm @ 6.5a, 10V | 4V @ 270µA | 10.6 NC @ 10 v | ± 20V | 420 pf @ 30 v | - | 28W (TC) | |||||||||||||||||||||
| BCR183SE6433BTMA1 | - | | 8783 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR183 | 250MW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50V | 100ma | - | 2 pnp--바이어스 (듀얼) | 300mv @ 500µa, 10ma | 30 @ 5MA, 5V | 200MHz | 10kohms | 10kohms | |||||||||||||||||||||||||
 | IPL65R210CFDAUMA2 | 1.9840 | | 6383 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CoolMOS ™ CFD2 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-powertsfn | IPL65R210 | MOSFET (금속 (() | PG-VSON-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2A (4 주) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 650 v | 16.6A (TC) | 10V | 210mohm @ 7.3a, 10V | 4.5V @ 700µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 1850 pf @ 100 v | - | 151W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IPS70R600CEAKMA1 | - | | 7914 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | IPS70R | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001407894 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 700 v | 10.5A (TC) | 10V | 600mohm @ 1a, 10V | 3.5V @ 210µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 474 pf @ 100 v | - | 86W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | BCX53-10E6327 | 0.0900 | | 23 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | 2 w | PG-SOT89-4-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | 500mv @ 50ma, 500ma | 40 @ 50MA, 2V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | IRFU3709Z-701p | - | | 6903 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 86A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 15a, 10V | 2.25V @ 250µA | 26 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2330 pf @ 15 v | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IPG20N06S2L65AATMA1 | 0.9900 | | 9576 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powervdfn | IPG20N | MOSFET (금속 (() | 43W | PG-TDSON-8-10 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널) | 55V | 20A | 65mohm @ 15a, 10V | 2V @ 14µA | 12NC @ 10V | 410pf @ 25v | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||
| irf7466tr | - | | 8091 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 11A (TA) | 4.5V, 10V | 12.5mohm @ 11a, 10V | 3V @ 250µA | 23 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2100 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||
| IPD60R1K4C6 | - | | 2975 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C6 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD60R | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 3.2A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 1.1a, 10V | 3.5V @ 90µA | 9.4 NC @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 100 v | - | 28.4W (TC) | |||||||||||||||||||||
| BSS83PL6327HTSA1 | - | | 8332 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS83 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 330ma (TA) | 4.5V, 10V | 2ohm @ 330ma, 10V | 2V @ 80µa | 3.57 NC @ 10 v | ± 20V | 78 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
| irfr3910trpbf | 1.3400 | | 12 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR3910 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 16A (TC) | 10V | 115mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | ± 20V | 640 pf @ 25 v | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||
| IRL3705ZSTRL | - | | 4004 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 8mohm @ 52a, 10V | 3V @ 250µA | 60 nc @ 5 v | 2880 pf @ 25 v | - | ||||||||||||||||||||||||||
| IPD110N12N3GBUMA1 | - | | 7725 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD110N | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 120 v | 75A (TC) | 10V | 11mohm @ 75a, 10V | 4V @ 83µA | 65 nc @ 10 v | ± 20V | 4310 pf @ 60 v | - | 136W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)