SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IRFR2407PBF Infineon Technologies IRFR2407PBF -
RFQ
ECAD 6133 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 75 v 42A (TC) 10V 26mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 110W (TC)
BSV236SPH6327XTSA1 Infineon Technologies BSV236SPH6327XTSA1 0.5500
RFQ
ECAD 8168 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BSV236 MOSFET (금속 (() PG-SOT363-PO 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.5A (TA) 2.5V, 4.5V 175mohm @ 1.5a, 4.5v 1.2V @ 8µA 5.7 NC @ 4.5 v ± 12V 228 pf @ 15 v - 560MW (TA)
PTFA082201F V1 Infineon Technologies PTFA082201F V1 -
RFQ
ECAD 2900 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 PTFA082201 894mhz LDMOS H-37260-2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 10µA 1.95 a 220W 18db - 30 v
IPI90N06S404AKSA2 Infineon Technologies IPI90N06S404AKSA2 -
RFQ
ECAD 8299 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI90N MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 90A (TC) 10V 4MOHM @ 90A, 10V 4V @ 90µA 128 NC @ 10 v ± 20V 10400 pf @ 25 v - 150W (TC)
IPAW60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies IPAW60R180P7SXKSA1 2.1500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPAW60 MOSFET (금속 (() PG-to220 20 팩 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 45 n 채널 650 v 18A (TC) 10V 180mohm @ 5.6a, 10V 4V @ 280µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1081 pf @ 400 v - 26W (TC)
IPD65R250C6XTMA1 Infineon Technologies IPD65R250C6XTMA1 -
RFQ
ECAD 2344 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD65R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 16.1A (TC) 10V 250mohm @ 4.4a, 10V 3.5V @ 400µA 44 NC @ 10 v ± 20V 950 pf @ 100 v - 208.3W (TC)
IRGS15B60KDTRRP Infineon Technologies IRGS15B60KDTRRP -
RFQ
ECAD 4546 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRGS15B60 기준 208 w D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 400V, 15a, 22ohm, 15V 92 ns NPT 600 v 31 a 62 a 2.2V @ 15V, 15a 220µJ (on), 340µJ (OFF) 56 NC 34ns/184ns
BSC026N04LSATMA1 Infineon Technologies BSC026N04LSATMA1 1.7500
RFQ
ECAD 9091 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC026 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 23A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 2.6mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 20 v - 2.5W (TA), 63W (TC)
BFP640E6327BTSA1 Infineon Technologies BFP640E6327BTSA1 0.6800
RFQ
ECAD 155 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 BFP640 200MW PG-SOT343-3D 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 24dB 4.5V 50ma NPN 110 @ 30MA, 3V 40GHz 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
IRF6617TRPBF Infineon Technologies IRF6617TRPBF -
RFQ
ECAD 9770 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 st IRF6617 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ st 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 30 v 14A (TA), 55A (TC) 4.5V, 10V 8.1mohm @ 15a, 10V 2.35V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1300 pf @ 15 v - 2.1W (TA), 42W (TC)
IPB80N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies IPB80N03S4L03ATMA1 -
RFQ
ECAD 3804 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 80a, 10V 2.2V @ 45µA 75 NC @ 10 v ± 16V 5100 pf @ 25 v - 94W (TC)
FS75R12KT3GBOSA1 Infineon Technologies FS75R12KT3GBOSA1 189.6000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FS75R12 355 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 100 a 2.15V @ 15V, 75A 5 MA 5.3 NF @ 25 v
IRLR4343-701PBF Infineon Technologies IRLR4343-701PBF -
RFQ
ECAD 9080 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-4, DPAK (3 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() I-PAK (LF701) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 26A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.7a, 10V 1V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 740 pf @ 50 v - 79W (TC)
PTFA191001F V4 R250 Infineon Technologies PTFA191001F V4 R250 -
RFQ
ECAD 2576 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 PTFA191001 1.96GHz LDMOS H-37248-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 250 10µA 900 MA 44dbm 17dB - 30 v
AUIRF1404 Infineon Technologies AUIRF1404 -
RFQ
ECAD 7628 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AUIRF1404 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001522606 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 160A (TC) 10V 4mohm @ 121a, 10V 4V @ 250µA 196 NC @ 10 v ± 20V 5669 pf @ 25 v - 333W (TC)
IRLU3705Z Infineon Technologies IRLU3705Z -
RFQ
ECAD 8514 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLU3705Z 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 42A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 42a, 10V 3V @ 250µA 66 NC @ 5 v ± 16V 2900 pf @ 25 v - 130W (TC)
BSO615CT Infineon Technologies BSO615CT -
RFQ
ECAD 8787 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) BSO615 MOSFET (금속 (() 2W PG-DSO-8 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 60V 3.1a, 2a 110mohm @ 3.1a, 10V 2V @ 20µA 22.5NC @ 10V 380pf @ 25V 논리 논리 게이트
IRFR9N20DTRPBF Infineon Technologies irfr9n20dtrpbf -
RFQ
ECAD 3837 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 200 v 9.4A (TC) 10V 380mohm @ 5.6a, 10V 5.5V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 30V 560 pf @ 25 v - 86W (TC)
IRLR7833TRL Infineon Technologies IRLR7833TRL -
RFQ
ECAD 9037 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 140A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 4010 pf @ 15 v - 140W (TC)
IPU13N03LA G Infineon Technologies IPU13N03LA g -
RFQ
ECAD 6499 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU13N MOSFET (금속 (() P-to251-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 30A (TC) 4.5V, 10V 12.8mohm @ 30a, 10V 2V @ 20µA 8.3 NC @ 5 v ± 20V 1043 pf @ 15 v - 46W (TC)
IPD60R360P7SE8228AUMA1 Infineon Technologies IPD60R360P7SE8228AUMA1 1.1600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 360mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 140µA 13 nc @ 10 v ± 20V 555 pf @ 400 v - 41W (TC)
IPA60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPA60R125CFD7XKSA1 5.0500
RFQ
ECAD 38 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA60R MOSFET (금속 (() PG-to220 20 팩 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 125mohm @ 7.8a, 10V 4.5V @ 390µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1503 pf @ 400 v - 32W (TC)
IPF013N04NF2SATMA1 Infineon Technologies IPF013N04NF2SATMA1 2.7500
RFQ
ECAD 800 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IPF013 MOSFET (금속 (() PG-to263-7-U02 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 40A (TA), 232A (TC) 6V, 10V 1.35mohm @ 100a, 10V 3.4V @ 126µA 159 NC @ 10 v ± 20V 7500 pf @ 20 v - 3.8W (TA), 188W (TC)
BFS 386L6 E6327 Infineon Technologies BFS 386L6 E6327 -
RFQ
ECAD 9433 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-xfdfn 210MW, 380MW TSLP-6-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 15,000 10dB ~ 14.5dB 6V 35ma, 80ma 2 NPN (() 60 @ 15ma, 3v / 60 @ 40ma, 3v 14GHz 1db ~ 1.6db @ 1.8ghz ~ 3GHz
IRLR4343 Infineon Technologies IRLR4343 -
RFQ
ECAD 4703 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 26A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.7a, 10V 1V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 740 pf @ 50 v - 79W (TC)
IRFR120NPBF Infineon Technologies IRFR120NPBF -
RFQ
ECAD 4484 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 9.4A (TC) 10V 210mohm @ 5.6a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 330 pf @ 25 v - 48W (TC)
IRLR3715ZPBF Infineon Technologies IRLR3715ZPBF -
RFQ
ECAD 6457 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001576978 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 20 v 49A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10V 2.55V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 810 pf @ 10 v - 40W (TC)
IPD031N03M G Infineon Technologies IPD031N03M g -
RFQ
ECAD 1674 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD031N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 5300 pf @ 15 v - -
IPP037N08N3GE8181XKSA1 Infineon Technologies IPP037N08N3GE8181XKSA1 -
RFQ
ECAD 6143 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP037N MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 80 v 100A (TC) 6V, 10V 3.75mohm @ 100a, 10V 3.5V @ 155µA 117 NC @ 10 v ± 20V 8110 pf @ 40 v - 214W (TC)
IPI25N06S3-25 Infineon Technologies IPI25N06S3-25 -
RFQ
ECAD 6941 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI25N MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 25A (TC) 10V 25.1mohm @ 15a, 10V 4V @ 20µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1862 pf @ 25 v - 48W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고