SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IRF7403TRPBF Infineon Technologies IRF7403TRPBF 1.2200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7403 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 8.5A (TA) 4.5V, 10V 22mohm @ 4a, 10V 1V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
BCR196WE6327 Infineon Technologies BCR196WE6327 0.0200
RFQ
ECAD 24 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BCR196 250 MW PG-SOT323-3 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 15,000 50 v 70 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 50 @ 5MA, 5V 150MHz 47 Kohms 22 KOHMS
IRFZ48VPBF Infineon Technologies IRFZ48VPBF -
RFQ
ECAD 2424 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 72A (TC) 10V 12MOHM @ 43A, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 1985 pf @ 25 v - 150W (TC)
BC 817-40 E6327 Infineon Technologies BC 817-40 E6327 -
RFQ
ECAD 4103 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC 817 330 MW PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 170MHz
IRF7834PBF Infineon Technologies IRF7834PBF -
RFQ
ECAD 3599 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001565546 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 19A (TA) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 19a, 10V 2.25V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 20V 3710 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
AUXVNGP4062D-E Infineon Technologies auxvngp4062d-e -
RFQ
ECAD 5730 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 AUXVNGP4062 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
BCR119WE6327 Infineon Technologies BCR119WE6327 0.0200
RFQ
ECAD 147 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies irl540nstrlpbf 2.3900
RFQ
ECAD 54 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL540 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 36A (TC) 4V, 10V 44mohm @ 18a, 10V 2V @ 250µA 74 NC @ 5 v ± 16V 1800 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 140W (TC)
IRGB4607DPBF Infineon Technologies IRGB4607DPBF -
RFQ
ECAD 4203 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 58 W. TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001541648 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 4A, 100ohm, 15V 48 ns - 600 v 11 a 12 a 2.05V @ 15V, 4A 140µJ (on), 62µJ (OFF) 9 NC 27ns/120ns
BCR166WH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR166WH6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 7860 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 BCR166 250 MW PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 160MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
IPT012N08N5ATMA1 Infineon Technologies IPT012N08N5ATMA1 6.9200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn IPT012 MOSFET (금속 (() PG-HSOF-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 300A (TC) 6V, 10V 1.2MOHM @ 150A, 10V 3.8V @ 280µA 223 NC @ 10 v ± 20V 17000 pf @ 40 v - 375W (TC)
IPL60R125C7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R125C7AUMA1 5.7500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-powertsfn IPL60R MOSFET (금속 (() PG-VSON-4 다운로드 Rohs3 준수 2A (4 주) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 17A (TC) 10V 125mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 390µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 400 v - 103W (TC)
IRLU7833PBF Infineon Technologies irlu7833pbf -
RFQ
ECAD 8334 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001553270 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 140A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 4010 pf @ 15 v - 140W (TC)
SPB80N08S2-07 Infineon Technologies SPB80N08S2-07 -
RFQ
ECAD 6635 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 75 v 80A (TC) 10V 7.1MOHM @ 66A, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 6130 pf @ 25 v - 300W (TC)
BC817K40E6327HTSA1 Infineon Technologies BC817K40E6327HTSA1 0.3700
RFQ
ECAD 117 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 500MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 170MHz
PTFA092201F V1 Infineon Technologies PTFA092201F V1 -
RFQ
ECAD 1294 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 PTFA092201 960MHz LDMOS H-37260-2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 10µA 1.85 a 220W 18.5dB - 30 v
PTFA092213FLV5R250XTMA1 Infineon Technologies PTFA092213FLV5R250XTMA1 -
RFQ
ECAD 5938 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 960MHz LDMOS H-34288-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000865648 쓸모없는 0000.00.0000 250 - 1.85 a 200W 17.5dB - 30 v
SS05N70AKMA1 Infineon Technologies SS05N70AKMA1 -
RFQ
ECAD 8601 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 SS05N - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001060048 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPP11N60C3XKSA1 4.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp11n60 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10V 3.9V @ 500µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
BCR 512 B6327 Infineon Technologies BCR 512 B6327 -
RFQ
ECAD 6158 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR 512 330 MW PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 30,000 50 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 60 @ 50MA, 5V 100MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
IRLH7134TR2PBF Infineon Technologies irlh7134tr2pbf -
RFQ
ECAD 1380 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 40 v 26A (TA), 85A (TC) 3.3mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 100µa 58 NC @ 4.5 v 3720 pf @ 25 v -
BFR93AWH6327XTSA1 Infineon Technologies BFR93AWH6327XTSA1 0.4800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BFR93 300MW PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 10.5dB ~ 15.5dB 12V 90ma NPN 70 @ 30MA, 8V 6GHz 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPZA65R029CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPZA65R029CFD7XKSA1 15.4500
RFQ
ECAD 230 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IPZA65 MOSFET (금속 (() PG-to247-4-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 69A (TC) 10V 29mohm @ 35.8a, 10V 4.5V @ 1.79ma 145 NC @ 10 v ± 20V 7149 pf @ 400 v - 305W (TC)
IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies IPD70R600P7SAUMA1 0.9800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD70 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 700 v 8.5A (TC) 10V 600mohm @ 1.8a, 10V 3.5V @ 90µA 10.5 nc @ 10 v ± 16V 364 pf @ 400 v - 43W (TC)
IRF6631TRPBF Infineon Technologies IRF6631TRPBF -
RFQ
ECAD 1437 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Sq 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 30 v 13A (TA), 57A (TC) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 13a, 10V 2.35V @ 25µA 18 nc @ 4.5 v ± 20V 1450 pf @ 15 v - 2.2W (TA), 42W (TC)
BFR 193W E6327 Infineon Technologies BFR 193W E6327 -
RFQ
ECAD 5008 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BFR 193 580MW PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 10.5dB ~ 16dB 12V 80ma NPN 70 @ 30MA, 8V 8GHz 1db ~ 1.6db @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPB034N06N3GATMA2 Infineon Technologies IPB034N06N3GATMA2 0.7692
RFQ
ECAD 7579 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() PG-to263-7-3 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 100A (TC) 10V 3.4mohm @ 100a, 10V 4V @ 93µA 130 NC @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 30 v - 167W (TC)
IPP120N06S402AKSA2 Infineon Technologies IPP120N06S402AKSA2 -
RFQ
ECAD 3814 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP120N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 2.8mohm @ 100a, 10V 4V @ 140µA 195 NC @ 10 v ± 20V 15750 pf @ 25 v - 188W (TC)
IRFZ48ZS Infineon Technologies IRFZ48ZS -
RFQ
ECAD 1603 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ48ZS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 61A (TC) 10V 11mohm @ 37a, 10V 4V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 1720 pf @ 25 v - 91W (TC)
BSZ0602LSATMA1 Infineon Technologies BSZ0602LSATMA1 1.7000
RFQ
ECAD 9607 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ0602 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 FL 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 80 v 13A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 36µA 18 nc @ 4.5 v ± 20V 2340 pf @ 40 v - 69W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고