SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BSZ180P03NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ180P03NS3GATMA1 0.8200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ180 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 9A (TA), 39.6A (TC) 6V, 10V 18mohm @ 20a, 10V 3.1V @ 48µA 30 nc @ 10 v ± 25V 2220 pf @ 15 v - 2.1W (TA), 40W (TC)
IPD50N04S410ATMA1 Infineon Technologies IPD50N04S410ATMA1 1.1500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD50 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 50A (TC) 10V 9.3mohm @ 50a, 10V 4V @ 15µA 18.2 NC @ 10 v ± 20V 1430 pf @ 25 v - 41W (TC)
IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies IPD60R180P7ATMA1 2.7400
RFQ
ECAD 12 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 18A (TC) 10V 180mohm @ 5.6a, 10V 4V @ 280µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1081 pf @ 400 v - 72W (TC)
IPA50R800CEXKSA2 Infineon Technologies IPA50R800CEXKSA2 0.9600
RFQ
ECAD 343 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA50R800 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 4.1A (TC) 13V 800mohm @ 1.5a, 13v 3.5V @ 130µA 12.4 NC @ 10 v ± 20V 280 pf @ 100 v - 26.4W (TC)
IPD600N25N3GATMA1 Infineon Technologies IPD600N25N3GATMA1 3.0100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD600 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 250 v 25A (TC) 10V 60mohm @ 25a, 10V 4V @ 90µA 29 NC @ 10 v ± 20V 2350 pf @ 100 v - 136W (TC)
IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies IPD60R360P7ATMA1 1.7700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 360mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 140µA 13 nc @ 10 v ± 20V 555 pf @ 400 v - 41W (TC)
SPP08P06PHXKSA1 Infineon Technologies spp08p06phxksa1 -
RFQ
ECAD 5450 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp08p MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 p 채널 60 v 8.8A (TC) 10V 300mohm @ 6.2a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 420 pf @ 25 v - 42W (TC)
IPB65R225C7ATMA2 Infineon Technologies IPB65R225C7ATMA2 1.5955
RFQ
ECAD 1321 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB65R225 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 225mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 240µA 20 nc @ 10 v ± 20V 996 pf @ 400 v - 63W (TC)
BC847CWE6327BTSA1 Infineon Technologies BC847CWE6327BTSA1 -
RFQ
ECAD 6773 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC847 250 MW PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 250MHz
IPL60R225CFD7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R225CFD7AUMA1 3.4100
RFQ
ECAD 1657 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-powertsfn IPL60R225 MOSFET (금속 (() PG-VSON-4-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 225mohm @ 4.9a, 10V 4.5V @ 240µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1015 pf @ 400 v - 68W (TC)
IRF3808STRLPBF Infineon Technologies IRF3808STRLPBF 3.9000
RFQ
ECAD 780 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF3808 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 106A (TC) 10V 7mohm @ 82a, 10V 4V @ 250µA 220 NC @ 10 v ± 20V 5310 pf @ 25 v - 200W (TC)
BC817-16B5003 Infineon Technologies BC817-16B5003 0.0200
RFQ
ECAD 30 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 500MW PG-SOT23-3-11 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 170MHz
SIGC42T60UNX7SA1 Infineon Technologies SIGC42T60UNX7SA1 -
RFQ
ECAD 1099 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC42T60 기준 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 400V, 50A, 6.8OHM, 15V NPT 600 v 50 a 150 a 3.15V @ 15V, 50A - 48ns/350ns
IPTG054N15NM5ATMA1 Infineon Technologies IPTG054N15NM5ATMA1 6.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 갈매기 날개 MOSFET (금속 (() PG-HSOG-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-IPTG054N15NM5ATMA1CT 귀 99 8541.29.0095 1,800 n 채널 150 v 17.5A (TA), 143A (TC) 8V, 10V 5.4mohm @ 50a, 10V 4.6V @ 191µA 73 NC @ 10 v ± 20V 5700 pf @ 75 v - 3.8W (TA), 250W (TC)
IPP048N12N3 G Infineon Technologies IPP048N12N3 g -
RFQ
ECAD 3908 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
IRG6S330UPBF Infineon Technologies IRG6S330UPBF -
RFQ
ECAD 9487 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRG6S330 기준 160 W. D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001540476 귀 99 8541.29.0095 50 196V, 25A, 10ohm 도랑 330 v 70 a 2.1V @ 15V, 70A - 86 NC 39ns/120ns
IPC70N04S54R6ATMA1 Infineon Technologies IPC70N04S54R6ATMA1 1.1000
RFQ
ECAD 4360 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IPC70N04 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 70A (TC) 7V, 10V 4.6mohm @ 35a, 10V 3.4V @ 17µA 24.2 NC @ 10 v ± 20V 1430 pf @ 25 v - 50W (TC)
IPI65R310CFDXKSA1 Infineon Technologies IPI65R310CFDXKSA1 -
RFQ
ECAD 9693 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI65R MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 11.4A (TC) 10V 310mohm @ 4.4a, 10V 4.5V @ 440µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 100 v - 104.2W (TC)
IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies IPB090N06N3GATMA1 1.3100
RFQ
ECAD 8706 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB090 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 9mohm @ 50a, 10V 4V @ 34µA 36 nc @ 10 v ± 20V 2900 pf @ 30 v - 71W (TC)
FF1200R17KE3NOSA1 Infineon Technologies FF1200R17KE3NOSA1 1.0000
RFQ
ECAD 6992 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF1200 595000 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 단일 단일 - 1700 v 2.45V @ 15V, 1200A 5 MA 아니요 110 NF @ 25 v
IRF8707PBF Infineon Technologies IRF8707pbf -
RFQ
ECAD 3234 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001560112 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 11.9mohm @ 11a, 10V 2.35V @ 25µA 9.3 NC @ 4.5 v ± 20V 760 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IPB160N04S2L03ATMA1 Infineon Technologies IPB160N04S2L03ATMA1 -
RFQ
ECAD 5621 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IPB160N MOSFET (금속 (() PG-to263-7-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 160A (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 80a, 10V 2V @ 250µA 230 nc @ 5 v ± 20V 6000 pf @ 15 v - 300W (TC)
BSO303PH Infineon Technologies bso303ph -
RFQ
ECAD 2988 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) BSO303 MOSFET (금속 (() 2W (TA) PG-DSO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 7A (TC) 21mohm @ 8.2a, 10V 2V @ 100µa 49NC @ 10V 2678pf @ 25v 논리 논리 게이트
SPS04N60C3BKMA1 Infineon Technologies SPS04N60C3BKMA1 -
RFQ
ECAD 7002 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK SPS04N MOSFET (금속 (() PG-to251-3-11 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 650 v 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 3.9V @ 200µA 25 nc @ 10 v ± 20V 490 pf @ 25 v - 50W (TC)
IPT60R040S7XTMA1 Infineon Technologies IPT60R040S7XTMA1 10.1000
RFQ
ECAD 7446 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ S7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn IPT60R040 MOSFET (금속 (() PG-HSOF-8-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 13A (TC) 12V 40mohm @ 13a, 12v 4.5V @ 790µA 83 NC @ 12 v ± 20V 3127 pf @ 300 v - 245W (TC)
ISC240P06LMATMA1 Infineon Technologies ISC240P06LMATMA1 2.7800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ISC240P06 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000
IPT014N08NM5ATMA1 Infineon Technologies IPT014N08NM5ATMA1 6.8200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn IP5014N MOSFET (금속 (() PG-HSOF-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 37A (TA), 331A (TC) 6V, 10V 1.4mohm @ 150a, 10V 3.8V @ 280µA 200 nc @ 10 v ± 20V 14000 pf @ 40 v - 300W (TC)
IQDH45N04LM6CGATMA1 Infineon Technologies IQDH45N04LM6CGATMA1 4.0500
RFQ
ECAD 8000 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 9-powertdfn IQDH45 MOSFET (금속 (() PG-TTFN-9-U02 - Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 5,000 n 채널 40 v 60A (TA), 637A (TC) 4.5V, 10V 0.45mohm @ 50a, 10V 2.3V @ 1.449ma 129 NC @ 10 v ± 20V 12000 pf @ 20 v - 3W (TA), 333W (TC)
ISK036N03LM5AUSA1 Infineon Technologies ISK036N03LM5AUSA1 0.4339
RFQ
ECAD 3873 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powervdfn MOSFET (금속 (() PG-VSON-6-1 다운로드 Rohs3 준수 448 -ISC036N03LM5AUSA1TR 3,000 n 채널 30 v 16.5A (TA), 81A (TC) 4.5V, 10V 3.6MOHM @ 20A, 10V 2V @ 250µA 21.5 nc @ 10 v ± 16V 1400 pf @ 15 v - 2.1W (TA), 39W (TC)
IPB013N06NF2SATMA1 Infineon Technologies IPB013N06NF2SATMA1 3.9600
RFQ
ECAD 800 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB013 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 40A (TA), 198a (TC) 6V, 10V 1.3mohm @ 100a, 10V 3.3V @ 246µA 305 NC @ 10 v ± 20V 13800 pf @ 30 v - 3.8W (TA), 300W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고