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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSZ180P03NS3GATMA1 | 0.8200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSZ180 | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 30 v | 9A (TA), 39.6A (TC) | 6V, 10V | 18mohm @ 20a, 10V | 3.1V @ 48µA | 30 nc @ 10 v | ± 25V | 2220 pf @ 15 v | - | 2.1W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IPD50N04S410ATMA1 | 1.1500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD50 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-313 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 50A (TC) | 10V | 9.3mohm @ 50a, 10V | 4V @ 15µA | 18.2 NC @ 10 v | ± 20V | 1430 pf @ 25 v | - | 41W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IPD60R180P7ATMA1 | 2.7400 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD60R | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 18A (TC) | 10V | 180mohm @ 5.6a, 10V | 4V @ 280µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 1081 pf @ 400 v | - | 72W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IPA50R800CEXKSA2 | 0.9600 | ![]() | 343 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA50R800 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 4.1A (TC) | 13V | 800mohm @ 1.5a, 13v | 3.5V @ 130µA | 12.4 NC @ 10 v | ± 20V | 280 pf @ 100 v | - | 26.4W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IPD600N25N3GATMA1 | 3.0100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD600 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 250 v | 25A (TC) | 10V | 60mohm @ 25a, 10V | 4V @ 90µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 2350 pf @ 100 v | - | 136W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IPD60R360P7ATMA1 | 1.7700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD60R | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 9A (TC) | 10V | 360mohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 140µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 555 pf @ 400 v | - | 41W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | spp08p06phxksa1 | - | ![]() | 5450 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | spp08p | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | p 채널 | 60 v | 8.8A (TC) | 10V | 300mohm @ 6.2a, 10V | 4V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 420 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IPB65R225C7ATMA2 | 1.5955 | ![]() | 1321 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB65R225 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 11A (TC) | 10V | 225mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 240µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 996 pf @ 400 v | - | 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BC847CWE6327BTSA1 | - | ![]() | 6773 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC847 | 250 MW | PG-SOT323 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 420 @ 2MA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPL60R225CFD7AUMA1 | 3.4100 | ![]() | 1657 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CoolMOS ™ CFD7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-powertsfn | IPL60R225 | MOSFET (금속 (() | PG-VSON-4-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 12A (TC) | 10V | 225mohm @ 4.9a, 10V | 4.5V @ 240µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1015 pf @ 400 v | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3808STRLPBF | 3.9000 | ![]() | 780 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF3808 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 75 v | 106A (TC) | 10V | 7mohm @ 82a, 10V | 4V @ 250µA | 220 NC @ 10 v | ± 20V | 5310 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BC817-16B5003 | 0.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC817 | 500MW | PG-SOT23-3-11 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 100ma, 1v | 170MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIGC42T60UNX7SA1 | - | ![]() | 1099 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | SIGC42T60 | 기준 | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 1 | 400V, 50A, 6.8OHM, 15V | NPT | 600 v | 50 a | 150 a | 3.15V @ 15V, 50A | - | 48ns/350ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPTG054N15NM5ATMA1 | 6.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 갈매기 날개 | MOSFET (금속 (() | PG-HSOG-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 448-IPTG054N15NM5ATMA1CT | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n 채널 | 150 v | 17.5A (TA), 143A (TC) | 8V, 10V | 5.4mohm @ 50a, 10V | 4.6V @ 191µA | 73 NC @ 10 v | ± 20V | 5700 pf @ 75 v | - | 3.8W (TA), 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IPP048N12N3 g | - | ![]() | 3908 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 쓸모없는 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG6S330UPBF | - | ![]() | 9487 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRG6S330 | 기준 | 160 W. | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001540476 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 196V, 25A, 10ohm | 도랑 | 330 v | 70 a | 2.1V @ 15V, 70A | - | 86 NC | 39ns/120ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IPC70N04S54R6ATMA1 | 1.1000 | ![]() | 4360 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IPC70N04 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-34 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 70A (TC) | 7V, 10V | 4.6mohm @ 35a, 10V | 3.4V @ 17µA | 24.2 NC @ 10 v | ± 20V | 1430 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||
IPI65R310CFDXKSA1 | - | ![]() | 9693 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI65R | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 650 v | 11.4A (TC) | 10V | 310mohm @ 4.4a, 10V | 4.5V @ 440µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 100 v | - | 104.2W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB090N06N3GATMA1 | 1.3100 | ![]() | 8706 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB090 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 10V | 9mohm @ 50a, 10V | 4V @ 34µA | 36 nc @ 10 v | ± 20V | 2900 pf @ 30 v | - | 71W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FF1200R17KE3NOSA1 | 1.0000 | ![]() | 6992 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FF1200 | 595000 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2 | 단일 단일 | - | 1700 v | 2.45V @ 15V, 1200A | 5 MA | 아니요 | 110 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF8707pbf | - | ![]() | 3234 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001560112 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 11A (TA) | 4.5V, 10V | 11.9mohm @ 11a, 10V | 2.35V @ 25µA | 9.3 NC @ 4.5 v | ± 20V | 760 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IPB160N04S2L03ATMA1 | - | ![]() | 5621 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | IPB160N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-7-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 160A (TC) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 80a, 10V | 2V @ 250µA | 230 nc @ 5 v | ± 20V | 6000 pf @ 15 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | bso303ph | - | ![]() | 2988 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | BSO303 | MOSFET (금속 (() | 2W (TA) | PG-DSO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 7A (TC) | 21mohm @ 8.2a, 10V | 2V @ 100µa | 49NC @ 10V | 2678pf @ 25v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SPS04N60C3BKMA1 | - | ![]() | 7002 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | SPS04N | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3-11 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 650 v | 4.5A (TC) | 10V | 950mohm @ 2.8a, 10V | 3.9V @ 200µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 490 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IPT60R040S7XTMA1 | 10.1000 | ![]() | 7446 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ S7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Powersfn | IPT60R040 | MOSFET (금속 (() | PG-HSOF-8-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 600 v | 13A (TC) | 12V | 40mohm @ 13a, 12v | 4.5V @ 790µA | 83 NC @ 12 v | ± 20V | 3127 pf @ 300 v | - | 245W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | ISC240P06LMATMA1 | 2.7800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ISC240P06 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPT014N08NM5ATMA1 | 6.8200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Powersfn | IP5014N | MOSFET (금속 (() | PG-HSOF-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 80 v | 37A (TA), 331A (TC) | 6V, 10V | 1.4mohm @ 150a, 10V | 3.8V @ 280µA | 200 nc @ 10 v | ± 20V | 14000 pf @ 40 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IQDH45N04LM6CGATMA1 | 4.0500 | ![]() | 8000 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 9-powertdfn | IQDH45 | MOSFET (금속 (() | PG-TTFN-9-U02 | - | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 60A (TA), 637A (TC) | 4.5V, 10V | 0.45mohm @ 50a, 10V | 2.3V @ 1.449ma | 129 NC @ 10 v | ± 20V | 12000 pf @ 20 v | - | 3W (TA), 333W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ISK036N03LM5AUSA1 | 0.4339 | ![]() | 3873 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powervdfn | MOSFET (금속 (() | PG-VSON-6-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 448 -ISC036N03LM5AUSA1TR | 3,000 | n 채널 | 30 v | 16.5A (TA), 81A (TC) | 4.5V, 10V | 3.6MOHM @ 20A, 10V | 2V @ 250µA | 21.5 nc @ 10 v | ± 16V | 1400 pf @ 15 v | - | 2.1W (TA), 39W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB013N06NF2SATMA1 | 3.9600 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Strongirfet ™ 2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB013 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 40A (TA), 198a (TC) | 6V, 10V | 1.3mohm @ 100a, 10V | 3.3V @ 246µA | 305 NC @ 10 v | ± 20V | 13800 pf @ 30 v | - | 3.8W (TA), 300W (TC) |
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