SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BFS17PE6327HTSA1 Infineon Technologies BFS17PE6327HTSA1 0.0578
RFQ
ECAD 2342 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BFS17 280MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 - 15V 25MA NPN 40 @ 2MA, 1V 1.4GHz 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz
BCR169E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR169E6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 3730 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR169 200 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 120 @ 5MA, 5V 200MHz 4.7 Kohms
IPP80N06S4L07AKSA1 Infineon Technologies IPP80N06S4L07AKSA1 -
RFQ
ECAD 6646 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 80A (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 80a, 10V 2.2V @ 40µA 75 NC @ 10 v ± 16V 5680 pf @ 25 v - 79W (TC)
IPU50R950CE Infineon Technologies ipu50r950ce 0.1600
RFQ
ECAD 235 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 6.6A (TC) 13V 950mohm @ 1.2a, 13v 3.5V @ 100µA 10.5 nc @ 10 v ± 20V 231 pf @ 100 v - 53W (TC)
IRF3711ZLPBF Infineon Technologies IRF3711ZLPBF -
RFQ
ECAD 3917 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 92A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 15A, 10V 2.45V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 20V 2150 pf @ 10 v - 79W (TC)
IAUA250N04S6N007AUMA1 Infineon Technologies IAUA250N04S6N007AUMA1 3.4500
RFQ
ECAD 7155 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 5-powersfn IAUA250 MOSFET (금속 (() PG-HSOF-5-4 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 435A (TJ) 7V, 10V 0.7mohm @ 100a, 10V 3V @ 130µA 151 NC @ 10 v ± 20V 9898 pf @ 25 v - 250W (TC)
IRL7472L1TRPBF Infineon Technologies irl7472l1trpbf 4.5800
RFQ
ECAD 535 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 irl7472 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 40 v 375A (TC) 4.5V, 10V 0.59mohm @ 195a, 10V 2.5V @ 250µA 330 NC @ 4.5 v ± 20V 20082 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 341W (TC)
IRF7821TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7821trpbfxtma1 1.1400
RFQ
ECAD 4314 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() PG-DSO-8-902 - Rohs3 준수 4,000 n 채널 30 v 13.6A (TA) 4.5V, 10V 9.1mohm @ 13a, 10V 1V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1010 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IRFHP8321TRPBF Infineon Technologies irfhp8321trpbf -
RFQ
ECAD 7302 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - - - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 irfhp8321trpbftr 귀 99 8541.29.0095 4,000 - - - - - -
BCR 112T E6327 Infineon Technologies BCR 112T E6327 -
RFQ
ECAD 6843 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-75, SOT-416 BCR 112 250 MW PG-SC-75 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 5ma, 5V 140MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
BC860BE6327HTSA1 Infineon Technologies BC860BE6327HTSA1 0.0555
RFQ
ECAD 9571 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC860 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 250MHz
BCX5616H6433XTMA1 Infineon Technologies BCX5616H6433XTMA1 0.1920
RFQ
ECAD 9843 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX5616 2 w PG-SOT89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 100MHz
BTS244ZE3062ANTMA1 Infineon Technologies BTS244ze3062antma1 0.4500
RFQ
ECAD 24 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB MOSFET (금속 (() PG-to263-5-2 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 55 v 35A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 19a, 10V 2V @ 130µA 130 NC @ 10 v ± 20V 2660 pf @ 25 v - 170W (TC)
IRFS31N20DTRRP Infineon Technologies IRFS31N20DTRRP -
RFQ
ECAD 9443 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001552276 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 31A (TC) 10V 82mohm @ 18a, 10V 5.5V @ 250µA 107 NC @ 10 v ± 30V 2370 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 200W (TC)
AUIRFR1010Z Infineon Technologies auirfr1010z -
RFQ
ECAD 4580 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252AA) 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받습니다 2156-auirfr1010Z-448 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 55 v 42A (TC) 7.5mohm @ 42a, 10V 4V @ 100µa 95 NC @ 10 v 2840 pf @ 25 v - 140W (TC)
IPS65R1K5CEAKMA1 Infineon Technologies IPS65R1K5CEAKMA1 -
RFQ
ECAD 3880 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK IPS65R MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 650 v 3.1A (TC) 10V 1.5ohm @ 1a, 10V 3.5V @ 100µA 10.5 nc @ 10 v ± 20V 225 pf @ 100 v - 28W (TC)
BS0615N Infineon Technologies BS0615N -
RFQ
ECAD 8721 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
IRF7805ZTRPBF Infineon Technologies IRF7805ZTRPBF 1.0200
RFQ
ECAD 9600 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7805 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 16A (TA) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 16a, 10V 2.25V @ 250µA 27 NC @ 4.5 v ± 20V 2080 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
SPP80N06S2-08 Infineon Technologies SPP80N06S2-08 -
RFQ
ECAD 8591 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp80n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 8mohm @ 58a, 10V 4V @ 150µA 96 NC @ 10 v ± 20V 3800 pf @ 25 v - 215W (TC)
IRFSL3307 Infineon Technologies IRFSL3307 -
RFQ
ECAD 9127 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFSL3307 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 130A (TC) 10V 6.3mohm @ 75a, 10V 4V @ 150µA 180 NC @ 10 v ± 20V 5150 pf @ 50 v - 250W (TC)
IRLZ44ZL Infineon Technologies IRLZ44ZL -
RFQ
ECAD 6602 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLZ44ZL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 51A (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 31a, 10V 3V @ 250µA 36 nc @ 5 v ± 16V 1620 pf @ 25 v - 80W (TC)
IRF6629TR1PBF Infineon Technologies irf6629tr1pbf -
RFQ
ECAD 1640 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 25 v 29A (TA), 180A (TC) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 29a, 10V 2.35V @ 100µa 51 NC @ 4.5 v ± 20V 4260 pf @ 13 v - 2.8W (TA), 100W (TC)
SPP47N10 Infineon Technologies spp47n10 -
RFQ
ECAD 7807 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp47n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000012415 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 47A (TC) 10V 33mohm @ 33a, 10V 4V @ 2MA 105 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 25 v - 175W (TC)
AUIRFS8409-7P Infineon Technologies AUIRFS8409-7P 13.0100
RFQ
ECAD 908 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) AUIRF8409 MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 240A (TC) 10V 0.75mohm @ 100a, 10V 3.9V @ 250µA 460 nc @ 10 v ± 20V 13975 pf @ 25 v - 375W (TC)
IPB014N06NATMA1 Infineon Technologies IPB014N06NATMA1 4.6100
RFQ
ECAD 6721 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IPB014 MOSFET (금속 (() PG-to263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 34A (TA), 180A (TC) 6V, 10V 1.4mohm @ 100a, 10V 2.8V @ 143µA 106 NC @ 10 v ± 20V 7800 pf @ 30 v - 3W (TA), 214W (TC)
IPSA70R1K4CEAKMA1 Infineon Technologies IPSA70R1K4CEAKMA1 -
RFQ
ECAD 3917 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPSA70 MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001605398 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 700 v 5.4A (TC) 10V 1.4ohm @ 1a, 10V 3.5V @ 100µA 10.5 nc @ 10 v ± 20V 225 pf @ 100 v - 53W (TC)
IRG4BC20MDPBF Infineon Technologies IRG4BC20MDPBF -
RFQ
ECAD 5715 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 60 W. TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 480V, 11a, 50ohm, 15V 37 ns - 600 v 18 a 36 a 2.1V @ 15V, 11a 410µJ (on), 2.03mj (OFF) 39 NC 21ns/463ns
64-0007 Infineon Technologies 64-0007 -
RFQ
ECAD 2367 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF640 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 150mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 1160 pf @ 25 v - 150W (TC)
PTFA190451FV4R250XTMA1 Infineon Technologies PTFA190451FV4R250XTMA1 -
RFQ
ECAD 3998 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 PTFA190451 1.96GHz LDMOS H-37265-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 250 10µA 450 MA 11W 17.5dB - 28 v
BF771E6765N Infineon Technologies BF771E6765N 0.0700
RFQ
ECAD 111 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 580MW PG-SOT23-3-4 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000 15db 12V 80ma NPN 70 @ 30MA, 8V 8GHz 1db ~ 1.6db @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고