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트랜지스터 (13833)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF8915 | - |  | 3254 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF89 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF8915 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 8.9a | 18.3mohm @ 8.9a, 10V | 2.5V @ 250µA | 7.4NC @ 4.5V | 540pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||
 | BFR106E6327HTSA1 | 0.4300 | | 21 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BFR106 | 700MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 8.5dB ~ 13dB | 15V | 210ma | NPN | 70 @ 70ma, 8V | 5GHz | 1.8dB ~ 3db @ 900MHz ~ 1.8GHz | |||||||||||||||||||||||||
 | IRFU3303PBF | - | | 3503 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 33A (TC) | 10V | 31mohm @ 18a, 10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 750 pf @ 25 v | - | 57W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IRF4905PBF | 2.8100 | | 76 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF4905 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 55 v | 74A (TC) | 10V | 20mohm @ 38a, 10V | 4V @ 250µA | 180 NC @ 10 v | ± 20V | 3400 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IPF13N03LA g | 0.5000 | | 485 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPF13N | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 12.8mohm @ 30a, 10V | 2V @ 20µA | 8.3 NC @ 5 v | ± 20V | 1043 pf @ 15 v | - | 46W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IPB120N06S402ATMA2 | 3.3000 | | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB120 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 10V | 2.8mohm @ 100a, 10V | 4V @ 140µA | 195 NC @ 10 v | ± 20V | 15750 pf @ 25 v | - | 188W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IRFB5615PBFXKMA1 | - | | 5367 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 448-IRFB5615PBFXKMA1 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 150 v | 35A (TC) | 10V | 39mohm @ 21a, 10V | 5V @ 100µa | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 1750 pf @ 50 v | - | 144W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IPD075N03LGBTMA1 | 0.3251 | | 7220 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD075 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000249747 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 1900 pf @ 15 v | - | 47W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | 64-9144 | - | | 9575 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 st | IRF6617 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ st | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,800 | n 채널 | 30 v | 14A (TA), 55A (TC) | 4.5V, 10V | 8.1mohm @ 15a, 10V | 2.35V @ 250µA | 17 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1300 pf @ 15 v | - | 2.1W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IRFP7537PBF | 3.5000 | | 366 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP7537 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 60 v | 172A (TC) | 6V, 10V | 3.3mohm @ 100a, 10V | 3.7V @ 150µA | 210 nc @ 10 v | ± 20V | 7020 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IPL60R285P7AUMA1 | 3.0200 | | 9416 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-powertsfn | IPL60R285 | MOSFET (금속 (() | PG-VSON-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 13A (TC) | 10V | 285mohm @ 3.8a, 10V | 4V @ 190µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 761 pf @ 400 v | - | 59W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IRL80HS120 | 1.2200 | | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | IRL80HS120 | MOSFET (금속 (() | 6-pqfn (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 80 v | 12.5A (TC) | 4.5V, 10V | 32MOHM @ 7.5A, 10V | 2V @ 10µA | 7 NC @ 4.5 v | ± 20V | 540 pf @ 25 v | - | 11.5W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IPP120N20NFDAKSA1 | 6.9700 | | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP120 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 84A (TC) | 10V | 12MOHM @ 84A, 10V | 4V @ 270µA | 87 NC @ 10 v | ± 20V | 6650 pf @ 100 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IPA60R600C6XKSA1 | 1.1203 | | 6754 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA60R600 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 7.3A (TC) | 10V | 600mohm @ 2.4a, 10V | 3.5V @ 200µA | 20.5 nc @ 10 v | ± 20V | 440 pf @ 100 v | - | 28W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | irll3303trpbf | - | | 8966 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 4.6A (TA) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 4.6a, 10V | 1V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 16V | 840 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||
| IPP80N06S2L06AKSA1 | - | | 7301 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP80N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 6.3mohm @ 69a, 10V | 2V @ 180µA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 3800 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| irfr3504ztrr | - | | 4784 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 42A (TC) | 10V | 9MOHM @ 42A, 10V | 4V @ 50µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 1510 pf @ 25 v | - | 90W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | BC846UPNE6327HTSA1 | 0.1260 | | 2055 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | BC846 | 250MW | PG-SC74-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65V | 100ma | 15NA (ICBO) | NPN, PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | BDP956 | 1.0000 | | 7126 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRL3715L | - | | 2804 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL3715L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 54A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 26a, 10V | 3V @ 250µA | 17 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1060 pf @ 10 v | - | 3.8W (TA), 71W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | AUIRF2804L-313 | - | | 6852 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 10V | 2.3mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 6450 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | PZTA42E6327HTSA1 | - | | 2708 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | PZTA42 | 1.5 w | PG-SOT223-4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 300 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 2ma, 20ma | 40 @ 30MA, 10V | 70MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| BSP179H6327XTSA1 | - | | 8081 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 400 v | 210MA (TA) | 0V, 10V | 18ohm @ 210ma, 10V | 1V @ 94µA | 6.8 NC @ 5 v | ± 20V | 135 pf @ 25 v | 고갈 고갈 | 1.8W (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | IPI90N06S4L04AKSA1 | - | | 4281 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI90N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 60 v | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 90a, 10V | 2.2V @ 90µA | 170 nc @ 10 v | ± 16V | 13000 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||
| IRL3502 | - | | 8930 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL3502 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 110A (TC) | 4.5V, 7V | 7mohm @ 64a, 7v | 700mv @ 250µa (최소) | 110 NC @ 4.5 v | ± 10V | 4700 pf @ 15 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||
| SIGC14T60NCX1SA1 | - | | 5730 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | SIGC14 | 기준 | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 1 | 300V, 15a, 18ohm, 15V | NPT | 600 v | 15 a | 45 a | 2.5V @ 15V, 15a | - | 21ns/110ns | |||||||||||||||||||||||||
 | BTS244ZE3062AATMA2 | 5.5700 | | 3572 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Tempfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB | BTS244 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-5-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 19a, 10V | 2V @ 130µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 2660 pf @ 25 v | 온도 온도 다이오드 | 170W (TC) | |||||||||||||||||||||
| auirfs4310z | - | | 1353 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 120A (TC) | 10V | 6MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 6860 pf @ 50 v | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IPC60R190E6X7SA1 | - | | 2587 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | IPC60R | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001418024 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCR 189L3 E6327 | - | | 2637 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | BCR 189 | 250 MW | PG-TSLP-3-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 120 @ 5MA, 5V | 200MHz | 22 KOHMS |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
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15,000m2
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