SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
IRF3709 Infineon Technologies IRF3709 -
RFQ
ECAD 2582 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF3709 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 41 NC @ 5 v ± 20V 2672 pf @ 16 v - 3.1W (TA), 120W (TC)
SPB100N03S2L-03 Infineon Technologies SPB100N03S2L-03 -
RFQ
ECAD 8661 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB100N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 100A (TC) 10V 2.7mohm @ 80a, 10V 2V @ 250µA 220 NC @ 10 v ± 20V 8180 pf @ 25 v - 300W (TC)
94-2312PBF Infineon Technologies 94-2312pbf -
RFQ
ECAD 7067 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 - 94-2312 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
AUIRFL014NTR Infineon Technologies auirfl014ntr -
RFQ
ECAD 7086 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001521554 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 1.5A (TA) 10V 160mohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 190 pf @ 25 v - 1W (TA)
BSC152N10NSFGATMA1 Infineon Technologies BSC152N10NSFGATMA1 -
RFQ
ECAD 8310 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 9.4A (TA), 63A (TC) 10V 15.2mohm @ 25a, 10V 4V @ 72µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 50 v - 114W (TC)
AUIRFZ48NXKMA1 Infineon Technologies auirfz48nxkma1 -
RFQ
ECAD 9397 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 auirfz48n - 쓸모없는 1
IPA95R450PFD7XKSA1 Infineon Technologies IPA95R450PFD7XKSA1 2.7500
RFQ
ECAD 9329 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-313 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 950 v 7.2A (TC) 10V 450mohm @ 7.2a, 10V 3.5V @ 360µA 43 NC @ 10 v ± 20V 1230 pf @ 400 v - 30W (TC)
BSC019N04LSTATMA1 Infineon Technologies BSC019N04LSTATMA1 2.1700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TA) - BSC019 MOSFET (금속 (() - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 28A (TA), 161A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 20V 4060 pf @ 20 v - 94W (TC)
SN7002IXTSA1 Infineon Technologies SN7002IXTSA1 0.3400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SN7002I MOSFET (금속 (() PG-SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 200MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 1.8V @ 26µA 0.9 nc @ 10 v ± 20V 32 pf @ 30 v - 360MW (TA)
IPZ60R017C7XKSA1 Infineon Technologies IPZ60R017C7XKSA1 27.0600
RFQ
ECAD 171 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IPZ60R017 MOSFET (금속 (() PG-to247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 109A (TC) 10V 17mohm @ 58.2a, 10V 4V @ 2.91ma 240 NC @ 10 v ± 20V 9890 pf @ 400 v - 446W (TC)
IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies IPD35N10S3L26ATMA1 1.6700
RFQ
ECAD 19 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD35N10 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 35A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 35a, 10V 2.4V @ 39µA 39 NC @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 25 v - 71W (TC)
IRLU014N Infineon Technologies IRLU014N -
RFQ
ECAD 6850 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLU014N 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 10A (TC) 4.5V, 10V 140mohm @ 6a, 10V 1V @ 250µA 7.9 NC @ 5 v ± 16V 265 pf @ 25 v - 28W (TC)
IRF7811AVTRPBF-1 Infineon Technologies IRF7811AVTRPBF-1 -
RFQ
ECAD 4907 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 448-irf7811avtrpbf-1tr 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 10.8A (TA) 4.5V 14mohm @ 15a, 4.5v 3V @ 250µA 26 NC @ 5 v ± 20V 1801 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
IRF100B201 Infineon Technologies IRF100B201 2.9700
RFQ
ECAD 3540 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF100 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 192a (TC) 10V 4.2MOHM @ 115A, 10V 4V @ 250µA 255 NC @ 10 v ± 20V 9500 pf @ 50 v - 441W (TC)
IRFC3306EB Infineon Technologies IRFC3306EB -
RFQ
ECAD 5606 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
BSC120N12LSGATMA1 Infineon Technologies BSC120N12LSGATMA1 2.0200
RFQ
ECAD 8233 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 120 v 10A (TA), 68A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 34A, 10V 2.4V @ 72µA 51 NC @ 10 v ± 20V 4900 pf @ 60 v - 114W (TC)
IPD025N06NATMA1 Infineon Technologies IPD025N06NATMA1 2.6700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD025 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 90A (TC) 6V, 10V 2.5mohm @ 90a, 10V 2.8V @ 95µA 71 NC @ 10 v ± 20V 5200 pf @ 30 v - 3W (TA), 167W (TC)
BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSC050NE2LSATMA1 0.9600
RFQ
ECAD 29 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC050 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 25 v 39A (TA), 58A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 30A, 10V 2V @ 250µA 10.4 NC @ 10 v ± 20V 760 pf @ 12 v - 2.5W (TA), 28W (TC)
BSP613PL6327HUSA1 Infineon Technologies BSP613PL6327HUSA1 -
RFQ
ECAD 5943 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 2.9A (TA) 10V 130mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 1MA 33 NC @ 10 v ± 20V 875 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
BSS139 E6906 Infineon Technologies BSS139 E6906 -
RFQ
ECAD 8029 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 250 v 100MA (TA) 0V, 10V 14ohm @ 0.1ma, 10V 1V @ 56µA 3.5 nc @ 5 v ± 20V 76 pf @ 25 v 고갈 고갈 360MW (TA)
IPS80R2K4P7AKMA1 Infineon Technologies IPS80R2K4P7AKMA1 0.4539
RFQ
ECAD 9697 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPS80R2 MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 800 v 2.5A (TC) 10V 2.4ohm @ 800ma, 10V 3.5V @ 40µA 7.5 NC @ 10 v ± 20V 150 pf @ 500 v - 22W (TC)
IPS06N03LZ G Infineon Technologies IPS06N03LZ g -
RFQ
ECAD 8462 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK IPS06N MOSFET (금속 (() PG-to251-3-11 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 5.9mohm @ 30a, 10V 2V @ 40µA 22 nc @ 5 v ± 20V 2653 pf @ 15 v - 83W (TC)
IPI80N06S405AKSA2 Infineon Technologies IPI80N06S405AKSA2 1.3805
RFQ
ECAD 2182 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI80N06 MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 80A (TC) 10V 5.7mohm @ 80a, 10V 4V @ 60µA 81 NC @ 10 v ± 20V 6500 pf @ 25 v - 107W (TC)
94-3412PBF Infineon Technologies 94-3412pbf -
RFQ
ECAD 9007 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7811 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 14A (TA) 4.5V 12mohm @ 15a, 4.5v 1V @ 250µA 33 NC @ 5 v ± 12V 2335 pf @ 16 v - 3.1W (TA)
BUZ31 Infineon Technologies buz31 -
RFQ
ECAD 4753 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 200 v 14.5A (TC) 5V 200mohm @ 9a, 5V 4V @ 1MA ± 20V 1120 pf @ 25 v - 95W (TC)
IRL1004PBF Infineon Technologies IRL1004PBF 3.4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRL1004 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 130A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 78a, 10V 1V @ 250µA 100 nc @ 4.5 v ± 16V 5330 pf @ 25 v - 200W (TC)
IPD60R650CEAUMA1 Infineon Technologies IPD60R650CEAUMA1 0.4450
RFQ
ECAD 7453 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3-344 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 9.9A (TC) 10V 650mohm @ 2.4a, 10V 3.5V @ 200µA 20.5 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 100 v - 82W (TC)
BSP316PE6327 Infineon Technologies BSP316PE6327 -
RFQ
ECAD 3865 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 680MA (TA) 4.5V, 10V 1.8ohm @ 680ma, 10V 2V @ 170µA 6.4 NC @ 10 v ± 20V 146 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
IRF6709S2TRPBF Infineon Technologies IRF6709S2TRPBF -
RFQ
ECAD 9888 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 메트릭 S1 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ ™ 메트릭 메트릭 S1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001530266 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 25 v 12A (TA), 39A (TC) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 12a, 10V 2.35V @ 25µA 12 nc @ 4.5 v ± 20V 1010 pf @ 13 v - 1.8W (TA), 21W (TC)
BCR185WE6327BTSA1 Infineon Technologies BCR185WE6327BTSA1 -
RFQ
ECAD 6442 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 BCR185 250 MW PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 200MHz 10 KOHMS 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고