SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
IAUA250N04S6N007AUMA1 Infineon Technologies IAUA250N04S6N007AUMA1 3.4500
RFQ
ECAD 7155 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 5-powersfn IAUA250 MOSFET (금속 (() PG-HSOF-5-4 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 435A (TJ) 7V, 10V 0.7mohm @ 100a, 10V 3V @ 130µA 151 NC @ 10 v ± 20V 9898 pf @ 25 v - 250W (TC)
IRL7472L1TRPBF Infineon Technologies irl7472l1trpbf 4.5800
RFQ
ECAD 535 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 irl7472 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 40 v 375A (TC) 4.5V, 10V 0.59mohm @ 195a, 10V 2.5V @ 250µA 330 NC @ 4.5 v ± 20V 20082 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 341W (TC)
IRF7821TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7821trpbfxtma1 1.1400
RFQ
ECAD 4314 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() PG-DSO-8-902 - Rohs3 준수 4,000 n 채널 30 v 13.6A (TA) 4.5V, 10V 9.1mohm @ 13a, 10V 1V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1010 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IRFSL3307 Infineon Technologies IRFSL3307 -
RFQ
ECAD 9127 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFSL3307 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 130A (TC) 10V 6.3mohm @ 75a, 10V 4V @ 150µA 180 NC @ 10 v ± 20V 5150 pf @ 50 v - 250W (TC)
BS0615N Infineon Technologies BS0615N -
RFQ
ECAD 8721 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
IRFHP8321TRPBF Infineon Technologies irfhp8321trpbf -
RFQ
ECAD 7302 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - - - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 irfhp8321trpbftr 귀 99 8541.29.0095 4,000 - - - - - -
IPSA70R1K4CEAKMA1 Infineon Technologies IPSA70R1K4CEAKMA1 -
RFQ
ECAD 3917 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPSA70 MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001605398 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 700 v 5.4A (TC) 10V 1.4ohm @ 1a, 10V 3.5V @ 100µA 10.5 nc @ 10 v ± 20V 225 pf @ 100 v - 53W (TC)
IRG4BC20MDPBF Infineon Technologies IRG4BC20MDPBF -
RFQ
ECAD 5715 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 60 W. TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 480V, 11a, 50ohm, 15V 37 ns - 600 v 18 a 36 a 2.1V @ 15V, 11a 410µJ (on), 2.03mj (OFF) 39 NC 21ns/463ns
BCR 112T E6327 Infineon Technologies BCR 112T E6327 -
RFQ
ECAD 6843 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-75, SOT-416 BCR 112 250 MW PG-SC-75 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 5ma, 5V 140MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
IPU50R950CE Infineon Technologies ipu50r950ce 0.1600
RFQ
ECAD 235 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 6.6A (TC) 13V 950mohm @ 1.2a, 13v 3.5V @ 100µA 10.5 nc @ 10 v ± 20V 231 pf @ 100 v - 53W (TC)
SPP47N10 Infineon Technologies spp47n10 -
RFQ
ECAD 7807 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp47n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000012415 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 47A (TC) 10V 33mohm @ 33a, 10V 4V @ 2MA 105 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 25 v - 175W (TC)
BC860BE6327HTSA1 Infineon Technologies BC860BE6327HTSA1 0.0555
RFQ
ECAD 9571 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC860 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 250MHz
IRLZ44ZL Infineon Technologies IRLZ44ZL -
RFQ
ECAD 6602 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLZ44ZL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 51A (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 31a, 10V 3V @ 250µA 36 nc @ 5 v ± 16V 1620 pf @ 25 v - 80W (TC)
IPB014N06NATMA1 Infineon Technologies IPB014N06NATMA1 4.6100
RFQ
ECAD 6721 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IPB014 MOSFET (금속 (() PG-to263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 34A (TA), 180A (TC) 6V, 10V 1.4mohm @ 100a, 10V 2.8V @ 143µA 106 NC @ 10 v ± 20V 7800 pf @ 30 v - 3W (TA), 214W (TC)
IRF6710S2TR1PBF Infineon Technologies IRF6710S2TR1PBF -
RFQ
ECAD 6363 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 메트릭 S1 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ ™ 메트릭 메트릭 S1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 25 v 12A (TA), 37A (TC) 4.5V, 10V 5.9mohm @ 12a, 10V 2.4V @ 25µA 13 nc @ 4.5 v ± 20V 1190 pf @ 13 v - 1.8W (TA), 15W (TC)
AUIRF1324WL Infineon Technologies AUIRF1324WL 11.1800
RFQ
ECAD 2650 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 AUIRF1324 MOSFET (금속 (() 폭 262-3 2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 24 v 240A (TC) 10V 1.3mohm @ 195a, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 7630 pf @ 19 v - 300W (TC)
94-2436 Infineon Technologies 94-2436 -
RFQ
ECAD 5890 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 -
IRLR4343TRL Infineon Technologies IRLR4343TRL -
RFQ
ECAD 4877 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 26A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.7a, 10V 1V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 740 pf @ 50 v - 79W (TC)
IRF7807VD1TRPBF Infineon Technologies IRF7807VD1TRPBF -
RFQ
ECAD 1120 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 8.3A (TA) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5v 3V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V Schottky 분리 (다이오드) 2.5W (TA)
IPW65R190E6FKSA1 Infineon Technologies IPW65R190E6FKSA1 -
RFQ
ECAD 5902 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW65R MOSFET (금속 (() PG-to247-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 650 v 20.2A (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10V 3.5V @ 730µA 73 NC @ 10 v ± 20V 1620 pf @ 100 v - 151W (TC)
IRF1312PBF Infineon Technologies IRF1312PBF -
RFQ
ECAD 8986 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 95A (TC) 10V 10mohm @ 57a, 10V 5.5V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V 5450 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 210W (TC)
BSO4410 Infineon Technologies BSO4410 -
RFQ
ECAD 6576 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11.1A (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 11.1a, 10V 2V @ 42µA 21 NC @ 5 v ± 20V 1280 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
IPU60R2K0C6AKMA1 Infineon Technologies IPU60R2K0C6AKMA1 -
RFQ
ECAD 1316 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU60R MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 600 v 2.4A (TC) 10V 2ohm @ 760ma, 10V 3.5V @ 60µA 6.7 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 100 v - 22.3W (TC)
BCR 158T E6327 Infineon Technologies BCR 158T E6327 -
RFQ
ECAD 4802 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-75, SOT-416 BCR 158 250 MW PG-SC-75 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 200MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
BFN18E6327HTSA1 Infineon Technologies BFN18E6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 5377 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BFN18 1 W. PG-SOT89 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 300 v 200 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2ma, 20ma 30 @ 30MA, 10V 70MHz
IPB04N03LB Infineon Technologies IPB04N03LB -
RFQ
ECAD 1487 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB04N MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 55a, 10V 2V @ 70µA 40 nc @ 5 v ± 20V 5203 pf @ 15 v - 107W (TC)
BSP297L6327 Infineon Technologies BSP297L6327 -
RFQ
ECAD 7116 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 660MA (TA) 4.5V, 10V 1.8ohm @ 660ma, 10V 1.8V @ 400µA 16.1 NC @ 10 v ± 20V 357 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
IRFB7787PBF Infineon Technologies IRFB7787pbf -
RFQ
ECAD 3641 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB7787 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 76A (TC) 6V, 10V 8.4mohm @ 46a, 10V 3.7v @ 100µa 109 NC @ 10 v ± 20V 4020 pf @ 25 v - 125W (TC)
IPZ60R125P6FKSA1 Infineon Technologies IPZ60R125P6FKSA1 -
RFQ
ECAD 8676 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P6 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IPZ60R MOSFET (금속 (() PG-to247-4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 600 v 37.9A (TC) 10V 99mohm @ 14.5a, 10V 4.5V @ 1.21ma 70 nc @ 10 v ± 20V 3330 pf @ 100 v - 219W (TC)
IRF3704ZCSTRLP Infineon Technologies IRF3704ZCSTRLP -
RFQ
ECAD 7573 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 20 v 67A (TC) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 21a, 10V 2.55V @ 250µA 13 nc @ 4.5 v ± 20V 1220 pf @ 10 v - 57W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고