SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
AUXBNLS3036TRL Infineon Technologies auxbnls3036trl -
RFQ
ECAD 7405 0.00000000 인피온 인피온 * 튜브 활동적인 AUXBNLS3036 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001522984 귀 99 8541.29.0095 50
RF3710PBF Infineon Technologies RF3710pbf 1.0000
RFQ
ECAD 3283 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BSC0923NDIATMA1 Infineon Technologies BSC0923NDIATMA1 1.5800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC0923 MOSFET (금속 (() 1W PG-Tison-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 비대칭 30V 17a, 32a 5MOHM @ 20A, 10V 2V @ 250µA 10NC @ 4.5V 1160pf @ 15V 논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브
IRG4BC30F-SPBF Infineon Technologies IRG4BC30F-SPBF -
RFQ
ECAD 2890 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRG4BC30F-SPBF 기준 100 W. D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 480v, 17a, 23ohm, 15v - 600 v 31 a 120 a 1.8V @ 15V, 17a 230µJ (on), 1.18mj (OFF) 51 NC 21ns/200ns
SPP02N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPP02N80C3XKSA1 -
RFQ
ECAD 8098 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp02n MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 800 v 2A (TC) 10V 2.7ohm @ 1.2a, 10V 3.9V @ 120µA 16 nc @ 10 v ± 20V 290 pf @ 100 v - 42W (TC)
IPP65R190CFDXKSA1 Infineon Technologies IPP65R190CFDXKSA1 2.5301
RFQ
ECAD 5739 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP65R190 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 17.5A (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10V 4.5V @ 730µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1850 pf @ 100 v - 151W (TC)
IPA80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies IPA80R1K2P7XKSA1 1.5800
RFQ
ECAD 500 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA80R1 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 4.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 1.7a, 10V 3.5V @ 80µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 500 v - 25W (TC)
IRLR3303TRLPBF Infineon Technologies irlr3303trlpbf -
RFQ
ECAD 7962 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001577002 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 31mohm @ 21a, 10V 1V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 16V 870 pf @ 25 v - 68W (TC)
IPD60R450E6ATMA1 Infineon Technologies IPD60R450E6ATMA1 -
RFQ
ECAD 3599 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ E6 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 9.2A (TC) 10V 450mohm @ 3.4a, 10V 3.5V @ 280µA 28 nc @ 10 v ± 20V 620 pf @ 100 v - 74W (TC)
IRF7831PBF Infineon Technologies IRF7831PBF -
RFQ
ECAD 1673 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001551568 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 21A (TA) 4.5V, 10V 3.6MOHM @ 20A, 10V 2.35V @ 250µA 60 nc @ 4.5 v ± 12V 6240 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IRFZ48NLPBF Infineon Technologies IRFZ48NLPBF -
RFQ
ECAD 4972 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 64A (TC) 10V 14mohm @ 32a, 10V 4V @ 250µA 81 NC @ 10 v ± 20V 1970 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 130W (TC)
FP25R12KT4B16BOSA1 Infineon Technologies FP25R12KT4B16BOSA1 -
RFQ
ECAD 5679 0.00000000 인피온 인피온 Econopim ™ 2 쟁반 sic에서 중단되었습니다 FP25R12 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 10
IRLR2905TRPBF Infineon Technologies IRLR2905TRPBF 1.5600
RFQ
ECAD 31 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR2905 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 55 v 42A (TC) 4V, 10V 27mohm @ 25a, 10V 2V @ 250µA 48 NC @ 5 v ± 16V 1700 pf @ 25 v - 110W (TC)
BC847CWH6433XTMA1 Infineon Technologies BC847CWH6433XTMA1 0.0561
RFQ
ECAD 8621 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC847 250 MW PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 250MHz
IPI80N08S207AKSA1 Infineon Technologies IPI80N08S207AKSA1 -
RFQ
ECAD 8166 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI80N MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 75 v 80A (TC) 10V 7.4mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 25 v - 300W (TC)
IPB100N08S2L07ATMA1 Infineon Technologies IPB100N08S2L07ATMA1 -
RFQ
ECAD 8598 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB100 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 75 v 100A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 80a, 10V 2V @ 250µA 246 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v - 300W (TC)
IPP65R660CFDXKSA1 Infineon Technologies IPP65R660CFDXKSA1 -
RFQ
ECAD 4478 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP65R MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 6A (TC) 10V 660mohm @ 2.1a, 10V 4.5V @ 200µA 22 nc @ 10 v ± 20V 615 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
IPD60R800CEATMA1 Infineon Technologies IPD60R800CEATMA1 -
RFQ
ECAD 5199 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 5.6A (TC) 10V 800mohm @ 2a, 10V 3.5V @ 170µA 17.2 NC @ 10 v ± 20V 373 PF @ 100 v - 48W (TC)
PTFA261301F V1 Infineon Technologies PTFA261301F v1 -
RFQ
ECAD 6289 0.00000000 인피온 인피온 Goldmos® 쟁반 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 2.68GHz LDMOS H-31260-2 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 10µA 1.4 a 130W 13.5dB - 28 v
BFR92WH6327XTSA1 Infineon Technologies BFR92WH6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 6155 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 SC-70, SOT-323 BFR92 280MW PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 11.5dB ~ 17dB 15V 45MA NPN 70 @ 15ma, 8v 5GHz 1.4dB ~ 2db @ 900MHz ~ 1.8GHz
CHIPT0204GUE6327X6SA1 Infineon Technologies chipt0204GUE6327X6SA1 -
RFQ
ECAD 7589 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 마지막으로 마지막으로 chipt0204 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000414074 0000.00.0000 1
IAUZ40N10S5L120ATMA1 Infineon Technologies IAUZ40N10S5L120ATMA1 0.6886
RFQ
ECAD 6955 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8-33 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 46A (TJ) 4.5V, 10V 12MOHM @ 20A, 10V 27µa @ 2.2v 22.6 NC @ 10 v ± 20V 1589 pf @ 50 v - 62W (TC)
SMBTA06E6327HTSA1 Infineon Technologies SMBTA06E6327HTSA1 0.0586
RFQ
ECAD 7667 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 smbta06 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 500 MA 100NA NPN 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
IPS65R1K5CEAKMA1 Infineon Technologies IPS65R1K5CEAKMA1 -
RFQ
ECAD 3880 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK IPS65R MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 650 v 3.1A (TC) 10V 1.5ohm @ 1a, 10V 3.5V @ 100µA 10.5 nc @ 10 v ± 20V 225 pf @ 100 v - 28W (TC)
IPP80N06S4L07AKSA1 Infineon Technologies IPP80N06S4L07AKSA1 -
RFQ
ECAD 6646 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 80A (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 80a, 10V 2.2V @ 40µA 75 NC @ 10 v ± 16V 5680 pf @ 25 v - 79W (TC)
AUIRFS8409-7P Infineon Technologies AUIRFS8409-7P 13.0100
RFQ
ECAD 908 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) AUIRF8409 MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 240A (TC) 10V 0.75mohm @ 100a, 10V 3.9V @ 250µA 460 nc @ 10 v ± 20V 13975 pf @ 25 v - 375W (TC)
BTS244ZE3062ANTMA1 Infineon Technologies BTS244ze3062antma1 0.4500
RFQ
ECAD 24 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB MOSFET (금속 (() PG-to263-5-2 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 55 v 35A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 19a, 10V 2V @ 130µA 130 NC @ 10 v ± 20V 2660 pf @ 25 v - 170W (TC)
IRFS31N20DTRRP Infineon Technologies IRFS31N20DTRRP -
RFQ
ECAD 9443 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001552276 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 31A (TC) 10V 82mohm @ 18a, 10V 5.5V @ 250µA 107 NC @ 10 v ± 30V 2370 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 200W (TC)
IRF7805ZTRPBF Infineon Technologies IRF7805ZTRPBF 1.0200
RFQ
ECAD 9600 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7805 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 16A (TA) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 16a, 10V 2.25V @ 250µA 27 NC @ 4.5 v ± 20V 2080 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
SPP80N06S2-08 Infineon Technologies SPP80N06S2-08 -
RFQ
ECAD 8591 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp80n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 8mohm @ 58a, 10V 4V @ 150µA 96 NC @ 10 v ± 20V 3800 pf @ 25 v - 215W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고