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트랜지스터 (13833)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPZ60R041P6FKSA1 | - |  | 7212 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P6 | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | IPZ60R | MOSFET (금속 (() | PG-to247-4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | n 채널 | 600 v | 77.5A (TC) | 10V | 41mohm @ 35.5a, 10V | 4.5V @ 2.96ma | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 8180 pf @ 100 v | - | 481W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | FS50R12U1T4BPSA1 | - | | 8439 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SmartPack1 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS50R12 | 250 W. | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 90 a | 2.15V @ 15V, 50A | 1 MA | 예 | 100 pf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||
 | F4200R17N3E4BPSA1 | 284.5000 | | 10 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EconoPack ™ 3 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | F4200R17 | 20 MW | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 전체 전체 | 트렌치 트렌치 정지 | 1700 v | 200a | 2.3V @ 15V, 200a | 1 MA | 예 | 18 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||
 | IPB50R250CP | - | | 4955 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 13A (TC) | 10V | 250mohm @ 7.8a, 10V | 3.5V @ 520µA | 36 nc @ 10 v | ± 20V | 1420 pf @ 100 v | - | 114W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IKW50N120CH7XKSA1 | 9.7100 | | 8367 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop ™ | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IKW50N | 기준 | 398 w | PG-to247-3-U06 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 116 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 86 a | 200a | 2.15V @ 15V, 50A | 2.33mj (on), 1.12mj (OFF) | 375 NC | 39ns/319ns | |||||||||||||||||||||||
 | BSL211SP | - | | 6941 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | PG-TSOP6-6 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4.7A (TA) | 2.5V, 4.5V | 67mohm @ 4.7a, 4.5v | 1.2V @ 25µA | 12.4 NC @ 4.5 v | ± 12V | 654 pf @ 15 v | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRF7464TRPBF | - | | 9430 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 200 v | 1.2A (TA) | 10V | 730mohm @ 720ma, 10V | 5.5V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 30V | 280 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | IPW65R280E6FKSA1 | - | | 3088 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IPW65R | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | n 채널 | 650 v | 13.8A (TC) | 10V | 280mohm @ 4.4a, 10V | 3.5V @ 440µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 950 pf @ 100 v | - | 104W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | BC847PNH6433XTMA1 | 0.0886 | | 6968 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BC847 | 250MW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45V | 100ma | 15NA (ICBO) | NPN, PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | ICA32V2X1SA1 | - | | 4318 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001113926 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7455 | - | | 6713 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 15A (TA) | 2.8V, 10V | 7.5mohm @ 15a, 10V | 2V @ 250µA | 56 NC @ 5 v | ± 12V | 3480 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | IMW65R027M1HXKSA1 | 25.7200 | | 4354 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolsic ™ M1 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IMW65R027 | sicfet ((카바이드) | PG-to247-3-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 47A (TC) | 18V | 34mohm @ 38.3a, 18V | 5.7v @ 11ma | 62 NC @ 18 v | +23V, -5V | 2131 pf @ 400 v | - | 189W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IRF520NSTRR | - | | 4377 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | = 94-4024 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 9.7A (TC) | 10V | 200mohm @ 5.7a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 330 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||
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| AIGB30N65H5ATMA1 | 3.8600 | | 3223 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AIGB30 | 기준 | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | NPT | 650 v | 30 a | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | IPG20N06S2L35AATMA1 | 1.2800 | | 5813 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powervdfn | IPG20N | MOSFET (금속 (() | 65W | PG-TDSON-8-10 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널) | 55V | 20A (TC) | 35mohm @ 15a, 10V | 2V @ 27µA | 23NC @ 10V | 790pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||
 | IPW60R160P6 | - | | 2165 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3-41 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 600 v | 23.8A (TC) | 10V | 160mohm @ 9a, 10V | 4.5V @ 750µA | 44 NC @ 10 v | ± 20V | 2080 pf @ 100 v | - | 176W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
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 | irg4ibc30kdpbf | - | | 8225 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | 기준 | 45 W. | TO-220AB Full-Pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 480V, 16A, 23OHM, 15V | 42 ns | - | 600 v | 17 a | 34 a | 2.7V @ 15V, 16A | 600µJ (on), 580µJ (OFF) | 67 NC | 60ns/160ns | ||||||||||||||||||||||||
 | auirfr024n | - | | 3717 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AUIRFR024 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 55 v | 17A (TC) | 10V | 75mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 370 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| SPB10N10L | - | | 9710 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB10N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 10.3A (TC) | 10V | 154mohm @ 8.1a, 10V | 2V @ 21µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 444 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IPP086N10N3G | 0.5200 | | 3879 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 3 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 150 | n 채널 | 100 v | 80A (TC) | 6V, 10V | 8.6mohm @ 73a, 10V | 3.5V @ 75µA | 55 NC @ 10 v | ± 20V | 3980 pf @ 50 v | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| IPC30S2SN08NX2MA1 | 3.2013 | | 3812 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | IPC30S2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLMS1902TRPBF | - | | 9999 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | IRLMS1902 | MOSFET (금속 (() | Micro6 ™ (TSOP-6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 3.2A (TA) | 2.7V, 4.5V | 100mohm @ 2.2a, 4.5v | 700mv @ 250µa (최소) | 7 NC @ 4.5 v | ± 12V | 300 pf @ 15 v | - | 1.7W (TA) | |||||||||||||||||||||||
| FP75R12N2T7B16BPSA1 | 179.6900 | | 8397 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 20 MW | 3 정류기 정류기 브리지 | Ag-Econo2b | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 75 a | 1.55V @ 15V, 75A | 14 µA | 예 | 15.1 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||
 | irlz44npbf | 1.5900 | | 20 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRLZ44 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 47A (TC) | 4V, 10V | 25A, 25A, 10V | 2V @ 250µA | 48 NC @ 5 v | ± 16V | 1700 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| FP40R12KT3GBOSA1 | 167.2100 | | 9 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FP40R12 | 210 W. | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 3 단계 인버터 | - | 1200 v | 55 a | 2.3V @ 15V, 401A | 5 MA | 예 | 2.5 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||
| BSM400GA120DN2SE325HOSA1 | - | | 8952 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | BSM400 | - | 쓸모없는 | 1 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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