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트랜지스터 (13833)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	테스트 테스트	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IPW65R022CFD7AXKSA1	27.1900	RFQ	240	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IPW65R		MOSFET (금속 (()			PG-to247-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	240		n 채널			650 v	96A (TC)	10V	22mohm @ 58.2a, 10V	4.5V @ 2.91ma	234 NC @ 10 v	± 20V	11659 pf @ 400 v	-	446W (TC)
IPU60R1K0CEAKMA1	-	RFQ	1283	인피온 인피온	Coolmos ™ CE	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	IPU60R		MOSFET (금속 (()			PG-to251-3	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	SP001369532	귀 99	8541.29.0095	1,500		n 채널			600 v	4.3A (TC)		1ohm @ 1.5a, 10V	3.5V @ 130µA	13 nc @ 10 v		280 pf @ 100 v	-
BCP5610H6327XTSA1	0.2968	RFQ	7884	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	BCP56			2 w		PG-SOT223-4-10	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000																80 v	1 a						100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 50ma, 500ma	63 @ 150ma, 2V	100MHz
IPI200N15N3 g	-	RFQ	4096	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IPI200N		MOSFET (금속 (()			PG-to262-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널			150 v	50A (TC)	8V, 10V	20mohm @ 50a, 10V	4V @ 90µA	31 NC @ 10 v	± 20V	1820 pf @ 75 v	-	150W (TC)
BSO080P03NS3EGXUMA1	-	RFQ	7772	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MOSFET (금속 (()			PG-DSO-8	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널			30 v	12A (TA)	6V, 10V	8mohm @ 14.8a, 10V	3.1V @ 150µA	81 NC @ 10 v	± 25V	6750 pf @ 15 v	-	1.6W (TA)
BF799WE6327	-	RFQ	5122	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323				280MW		SOT-323	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0075	3,000				-												20V	35MA									NPN		40 @ 20MA, 10V	800MHz			3DB @ 100MHz
Irfr12n25dctrlp	-	RFQ	5461	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			250 v	14A (TC)	10V	260mohm @ 8.4a, 10V	5V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 30V	810 pf @ 25 v	-	144W (TC)
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BCR 183T E6327	-	RFQ	6804	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	SC-75, SOT-416	BCR 183			250 MW		PG-SC-75	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																50 v	100 MA						100NA (ICBO)			pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 10MA	30 @ 5MA, 5V	200MHz	10 KOHMS	10 KOHMS
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spu03n60s5	-	RFQ	1061	인피온 인피온	*	대부분	활동적인										-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1
IPI120P04P4L03AKSA1	-	RFQ	9812	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, Optimos ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IPI120P		MOSFET (금속 (()			PG-to262-3-1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000842296	귀 99	8541.29.0095	500		p 채널			40 v	120A (TC)	4.5V, 10V	3.4mohm @ 100a, 10V	2.2V @ 340µA	234 NC @ 10 v	± 16V	15000 pf @ 25 v	-	136W (TC)
IPI70N10S3L12AKSA1	-	RFQ	6882	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IPI70N		MOSFET (금속 (()			PG-to262-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널			100 v	70A (TC)	4.5V, 10V	12.1MOHM @ 70A, 10V	2.4V @ 83µA	80 nc @ 10 v	± 20V	5550 pf @ 25 v	-	125W (TC)
IRF6218SPBF	-	RFQ	6075	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	sic에서 중단되었습니다		표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF6218		MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001553628	귀 99	8541.29.0095	50		p 채널			150 v	27A (TC)	10V	150mohm @ 16a, 10V	5V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	2210 pf @ 25 v	-	250W (TC)
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irg4bc30u-s	-	RFQ	5521	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		기준		100 W.		D2PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*irg4bc30u-s	귀 99	8541.29.0095	50			480v, 12a, 23ohm, 15v												-	600 v	23 a	92 a	2.1V @ 15V, 12a	160µJ (on), 200µJ (OFF)	50 NC	17ns/78ns
SPP06N60C3HKSA1	-	RFQ	2166	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	spp06n		MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널			650 v	6.2A (TC)	10V	750mohm @ 3.9a, 10V	3.9V @ 260µA	31 NC @ 10 v	± 20V	620 pf @ 25 v	-	74W (TC)
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IPP60R090CFD7XKSA1	6.8100	RFQ	4563	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP60R090		MOSFET (금속 (()			PG-to220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널			600 v	25A (TC)	10V	90mohm @ 11.4a, 10V	4.5V @ 570µA	51 NC @ 10 v	± 20V	2103 PF @ 400 v	-	125W (TC)
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BC818K16WH6327XTSA1	0.0712	RFQ	8414	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC818			250 MW		PG-SOT323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																25 v	500 MA						100NA (ICBO)			NPN	700mv @ 50ma, 500ma	100 @ 100ma, 1v	170MHz
IPI60R280C6XKSA1	-	RFQ	5137	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IPI60R280		MOSFET (금속 (()			PG-to262-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널			600 v	13.8A (TC)	10V	280mohm @ 6.5a, 10V	3.5V @ 430µA	43 NC @ 10 v	± 20V	950 pf @ 100 v	-	104W (TC)
IRF3704ZCS	-	RFQ	8299	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF3704ZCS	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널			20 v	67A (TC)	4.5V, 10V	7.9mohm @ 21a, 10V	2.55V @ 250µA	13 nc @ 4.5 v	± 20V	1220 pf @ 10 v	-	57W (TC)
irg4ibc30	-	RFQ	8123	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		기준		45 W.		TO-220AB Full-Pak	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*irg4ibc30	귀 99	8541.29.0095	50			480V, 18A, 23OHM, 15V												-	600 v	23.5 a	68 a	1.6V @ 15V, 18A	260µJ (on), 3.45mj (OFF)	50 NC	22ns/540ns
IRF1407STRR	-	RFQ	5903	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널			75 v	100A (TC)	10V	7.8mohm @ 78a, 10V	4V @ 250µA	250 nc @ 10 v	± 20V	5600 pf @ 25 v	-	3.8W (TA), 200W (TC)
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IPT210N25NFDATMA1	10.1200	RFQ	9642	인피온 인피온	Optimos ™ 3	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-Powersfn	IPT210		MOSFET (금속 (()			PG-HSOF-8-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널			250 v	69A (TC)	10V	21mohm @ 69a, 10V	4V @ 267µA	86 NC @ 10 v	± 20V	7000 pf @ 125 v	-	375W (TC)
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irlml0100trpbf	0.4900	RFQ	117	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	irlml0100		MOSFET (금속 (()			Micro3 ™/SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			100 v	1.6A (TA)	4.5V, 10V	220mohm @ 1.6a, 10V	2.5V @ 25µA	2.5 NC @ 4.5 v	± 16V	290 pf @ 25 v	-	1.3W (TA)
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2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²