- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
트랜지스터 (13833)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 94-3412pbf | - |  | 9007 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF7811 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 14A (TA) | 4.5V | 12mohm @ 15a, 4.5v | 1V @ 250µA | 33 NC @ 5 v | ± 12V | 2335 pf @ 16 v | - | 3.1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | buz31 | - | | 4753 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 200 v | 14.5A (TC) | 5V | 200mohm @ 9a, 5V | 4V @ 1MA | ± 20V | 1120 pf @ 25 v | - | 95W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRL1004PBF | 3.4800 | | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRL1004 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 130A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 78a, 10V | 1V @ 250µA | 100 nc @ 4.5 v | ± 16V | 5330 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD60R650CEAUMA1 | 0.4450 | | 7453 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD60R | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-344 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 9.9A (TC) | 10V | 650mohm @ 2.4a, 10V | 3.5V @ 200µA | 20.5 nc @ 10 v | ± 20V | 440 pf @ 100 v | - | 82W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSP316PE6327 | - | | 3865 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 100 v | 680MA (TA) | 4.5V, 10V | 1.8ohm @ 680ma, 10V | 2V @ 170µA | 6.4 NC @ 10 v | ± 20V | 146 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF6709S2TRPBF | - | | 9888 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 메트릭 S1 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ ™ 메트릭 메트릭 S1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001530266 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,800 | n 채널 | 25 v | 12A (TA), 39A (TC) | 4.5V, 10V | 7.8mohm @ 12a, 10V | 2.35V @ 25µA | 12 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1010 pf @ 13 v | - | 1.8W (TA), 21W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCR185WE6327BTSA1 | - | | 6442 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BCR185 | 250 MW | PG-SOT323 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 70 @ 5MA, 5V | 200MHz | 10 KOHMS | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF8714GTRPBF | - | | 5194 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 14A (TA) | 4.5V, 10V | 8.7mohm @ 14a, 10V | 2.35V @ 25µA | 12 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1020 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPA60R800CEXKSA1 | - | | 3787 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA60R | MOSFET (금속 (() | PG-to220-FP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 5.6A (TC) | 10V | 800mohm @ 2a, 10V | 3.5V @ 170µA | 17.2 NC @ 10 v | ± 20V | 373 PF @ 100 v | - | 27W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFH8325TR2PBF | - | | 6426 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | PQFN (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 30 v | 21A (TA), 82A (TC) | 5MOHM @ 20A, 10V | 2.35V @ 50µA | 32 NC @ 10 v | 2487 pf @ 10 v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPI120N06S402AKSA1 | - | | 4842 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI120N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 10V | 2.8mohm @ 100a, 10V | 4V @ 140µA | 195 NC @ 10 v | ± 20V | 15750 pf @ 25 v | - | 188W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSZ018NE2LSITMA1 | 2.0800 | | 25 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSZ018 | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-8-FL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 25 v | 22A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 1.8mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250µA | 36 nc @ 10 v | ± 20V | 2500 pf @ 12 v | - | 2.1W (TA), 69W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FD400R12KE3B5HOSA1 | 223.5100 | | 2153 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 기음 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FD400R12 | 2000 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 단일 단일 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 580 a | 2.15V @ 15V, 400A | 5 MA | 아니요 | 28 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPB160N04S2L03DTMA1 | - | | 5329 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | SPB160N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-7-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 160A (TC) | 10V | 2.7mohm @ 80a, 10V | 2V @ 250µA | 230 nc @ 10 v | ± 20V | 8000 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | irg4bac50w-s | - | | 3591 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-273AA | irg4bac | 기준 | 200 w | Super-220 ™ (TO-273AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | 600 v | 55 a | 2.3V @ 15V, 27A | 80µJ (on), 320µJ (OFF) | 46ns/120ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKD03N60RF | - | | 6575 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IKD03N | 기준 | 53.6 w | PG-to252-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400V, 2.5A, 68ohm, 15V | 31 ns | 도랑 | 600 v | 5 a | 7.5 a | 2.5V @ 15V, 2.5A | 90µJ | 17.1 NC | 10ns/128ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7326D2TR | - | | 2074 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Fetky ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 30 v | 3.6A (TA) | 4.5V, 10V | 100mohm @ 1.8a, 10V | 1V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 440 pf @ 25 v | Schottky 분리 (다이오드) | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPA60R650CEXKSA1 | 1.3500 | | 395 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA60R650 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 7A (TC) | 10V | 650mohm @ 2.4a, 10V | 3.5V @ 200µA | 20.5 nc @ 10 v | ± 20V | 440 pf @ 100 v | - | 28W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSC084P03NS3GATMA1 | 1.4300 | | 8 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC084 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 30 v | 14.9A (TA), 78.6A (TC) | 6V, 10V | 8.4mohm @ 50a, 10V | 3.1V @ 105µA | 58 NC @ 10 v | ± 25V | 4785 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 69W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSL373SNH6327XTSA1 | - | | 1810 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | PG-TSOP6-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 2A (TA) | 10V | 2A 2A, 10V 230mohm | 4V @ 218µA | 9.3 NC @ 10 v | ± 20V | 265 pf @ 25 v | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRG4PSC71KPBF | - | | 5203 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 가방 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-274AA | IRG4PSC71 | 기준 | 350 w | Super-247 ™ (TO-274AA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 480V, 60A, 5ohm, 15V | - | 600 v | 85 a | 200a | 2.3V @ 15V, 60A | 790µJ (on), 1.98mj (OFF) | 340 NC | 34ns/54ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| auirfn8401tr | - | | 8401 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | AUIRFN8401 | MOSFET (금속 (() | PQFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001522256 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 40 v | 84A (TC) | 10V | 4.6mohm @ 50a, 10V | 3.9V @ 50µA | 66 NC @ 10 v | ± 20V | 2170 pf @ 25 v | - | 4.2W (TA), 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFS4115trl7pp | 4.0300 | | 21 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB | IRFS4115 | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 150 v | 105A (TC) | 10V | 11.8mohm @ 63a, 10V | 5V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 5320 pf @ 50 v | - | 380W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | irf9z34nstrrpbf | - | | 6101 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9Z34 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 55 v | 19A (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 620 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPB60R190C6ATMA1 | 3.7100 | | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C6 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB60R190 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 20.2A (TC) | 10V | 190mohm @ 9.5a, 10V | 3.5V @ 630µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 100 v | - | 151W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | irliz34npbf | 1.4200 | | 863 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | irliz34 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB Full-Pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 22A (TC) | 4V, 10V | 35mohm @ 12a, 10V | 2V @ 250µA | 25 nc @ 5 v | ± 16V | 880 pf @ 25 v | - | 37W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF8302MTR1PBF | - | | 5624 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 MX | IRF8302 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ MX | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 31A (TA), 190a (TC) | 4.5V, 10V | 1.8mohm @ 31a, 10V | 2.35V @ 150µA | 53 NC @ 4.5 v | ± 20V | 6030 pf @ 15 v | - | 2.8W (TA), 104W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFBL3703 | - | | 8683 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | d2-pak | MOSFET (금속 (() | d2-pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 260A (TC) | 7V, 10V | 2.5mohm @ 76a, 10V | 4V @ 250µA | 209 NC @ 10 v | ± 20V | 8250 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP230N06L3 g | - | | 5403 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP230N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 60 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 11µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1600 pf @ 30 v | - | 36W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PTFA092201FV4R250XTMA1 | - | | 2376 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 | PTFA092201 | 960MHz | LDMOS | H-37260-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | 10µA | 1.85 a | 220W | 18.5dB | - | 30 v |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)