전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSO052N03S | - | ![]() | 8568 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | PG-DSO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 14A (TA) | 4.5V, 10V | 5.2mohm @ 17a, 10V | 2V @ 70µA | 43 NC @ 5 v | ± 20V | 5530 pf @ 15 v | - | 1.56W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
IPI70N04S307AKSA1 | - | ![]() | 9352 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI70N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 70a, 10V | 4V @ 50µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 2700 pf @ 25 v | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irlr8103vtrrpbf | - | ![]() | 6121 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 91A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 27 NC @ 5 v | ± 20V | 2672 pf @ 16 v | - | 115W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFA210701FV4FWSA1 | - | ![]() | 2391 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 | PTFA210701 | 2.14GHz | LDMOS | H-37265-2 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 80 | 10µA | 550 MA | 18W | 16.5dB | - | 30 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC20MD-SPBF | - | ![]() | 7377 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 60 W. | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 11a, 50ohm, 15V | 37 ns | - | 600 v | 18 a | 36 a | 2.1V @ 15V, 11a | 410µJ (on), 2.03mj (OFF) | 39 NC | 21ns/463ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB720P15LMATMA1 | 6.0400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB720P | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 150 v | 4.6A (TA), 41A (TC) | 4.5V, 10V | 72mohm @ 37a, 10V | 2V @ 5.55MA | 224 NC @ 10 v | ± 20V | 11000 pf @ 75 v | - | 3.8W (TA), 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF8513PBF | - | ![]() | 7116 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF8513 | MOSFET (금속 (() | 1.5W, 2.4W | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001555762 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 8a, 11a | 15.5mohm @ 8a, 10V | 2.35V @ 25µA | 8.6NC @ 4.5V | 766pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF1324S-7P | - | ![]() | 2273 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | AUIRF1324 | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 24 v | 240A (TC) | 1MOHM @ 160A, 10V | 4V @ 250µA | 252 NC @ 10 v | 7700 pf @ 19 v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS205NH6327XTSA1 | 0.5000 | ![]() | 61 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS205 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 2.5A (TA) | 2.5V, 4.5V | 50mohm @ 2.5a, 4.5v | 1.2V @ 11µA | 3.2 NC @ 4.5 v | ± 12V | 419 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7241TRPBF | 0.9700 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF7241 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 40 v | 6.2A (TA) | 4.5V, 10V | 41MOHM @ 6.2A, 10V | 3V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 3220 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP120N04S302AKSA1 | 3.8634 | ![]() | 8700 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP120 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 10V | 2.3mohm @ 80a, 10V | 4V @ 230µA | 210 nc @ 10 v | ± 20V | 14300 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPC100N04S51R9ATMA1 | 1.7200 | ![]() | 9463 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IPC100 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-34 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 7V, 10V | 1.9mohm @ 50a, 10V | 3.4V @ 50µA | 65 nc @ 10 v | ± 20V | 3770 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR119WH6327XTSA1 | 0.0553 | ![]() | 8919 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BCR119 | 250 MW | PG-SOT323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 120 @ 5MA, 5V | 150MHz | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS800R07A2E3B31BOSA1 | - | ![]() | 3881 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 쟁반 | 쓸모없는 | FS800R07 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF540ZL | - | ![]() | 5797 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF540ZL | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 36A (TC) | 10V | 26.5mohm @ 22a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1770 pf @ 25 v | - | 92W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPS60R650CEAKMA1 | - | ![]() | 9236 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IPS60R650 | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 600 v | 9.9A (TJ) | 10V | 650mohm @ 2.4a, 10V | 3.5V @ 200µA | 20.5 nc @ 10 v | ± 20V | 440 pf @ 100 v | - | 82W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP80P03P405AKSA1 | - | ![]() | 8112 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP80p | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | p 채널 | 30 v | 80A (TC) | 10V | 5MOHM @ 80A, 10V | 4V @ 253µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 10300 pf @ 25 v | - | 137W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF540ZSPBF | - | ![]() | 8346 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 36A (TC) | 10V | 26.5mohm @ 22a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1770 pf @ 25 v | - | 92W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB80N04S4L04ATMA1 | 2.1400 | ![]() | 958 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB80N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 80a, 10V | 2.2V @ 35µA | 60 nc @ 10 v | +20V, -16V | 4690 pf @ 25 v | - | 71W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPL60R2K1C6SATMA1 | - | ![]() | 5346 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C6 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IPL60R | MOSFET (금속 (() | PG-TSON-8-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 600 v | 2.3A (TC) | 10V | 2.1ohm @ 760ma, 10V | 3.5V @ 60µA | 6.7 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 100 v | - | 21.6W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMT65R163M1HXUMA1 | 7.7100 | ![]() | 1981 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolsic ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | 8-Powersfn | sicfet ((카바이드) | PG-HSOF-8-1 | - | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | - | 650 v | - | 18V | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFP1405-203 | - | ![]() | 5788 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 1 | 160A (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7433TRPBF | - | ![]() | 7855 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 12 v | 8.9A (TA) | 1.8V, 4.5V | 24mohm @ 8.7a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 20 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1877 pf @ 10 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | buz73alin | - | ![]() | 1870 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 503 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3709 | - | ![]() | 2582 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF3709 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 41 NC @ 5 v | ± 20V | 2672 pf @ 16 v | - | 3.1W (TA), 120W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB100N03S2L-03 | - | ![]() | 8661 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB100N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 100A (TC) | 10V | 2.7mohm @ 80a, 10V | 2V @ 250µA | 220 NC @ 10 v | ± 20V | 8180 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 94-2312pbf | - | ![]() | 7067 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 활동적인 | - | 94-2312 | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirfl014ntr | - | ![]() | 7086 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001521554 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 55 v | 1.5A (TA) | 10V | 160mohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 190 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC152N10NSFGATMA1 | - | ![]() | 8310 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 100 v | 9.4A (TA), 63A (TC) | 10V | 15.2mohm @ 25a, 10V | 4V @ 72µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 1900 pf @ 50 v | - | 114W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirfz48nxkma1 | - | ![]() | 9397 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | auirfz48n | - | 쓸모없는 | 1 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고