SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1)
BSO052N03S Infineon Technologies BSO052N03S -
RFQ
ECAD 8568 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() PG-DSO-8 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 14A (TA) 4.5V, 10V 5.2mohm @ 17a, 10V 2V @ 70µA 43 NC @ 5 v ± 20V 5530 pf @ 15 v - 1.56W (TA)
IPI70N04S307AKSA1 Infineon Technologies IPI70N04S307AKSA1 -
RFQ
ECAD 9352 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI70N MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 6.5mohm @ 70a, 10V 4V @ 50µA 40 nc @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 25 v - 79W (TC)
IRLR8103VTRRPBF Infineon Technologies irlr8103vtrrpbf -
RFQ
ECAD 6121 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 91A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 27 NC @ 5 v ± 20V 2672 pf @ 16 v - 115W (TC)
PTFA210701FV4FWSA1 Infineon Technologies PTFA210701FV4FWSA1 -
RFQ
ECAD 2391 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 PTFA210701 2.14GHz LDMOS H-37265-2 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 80 10µA 550 MA 18W 16.5dB - 30 v
IRG4BC20MD-SPBF Infineon Technologies IRG4BC20MD-SPBF -
RFQ
ECAD 7377 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 60 W. D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 480V, 11a, 50ohm, 15V 37 ns - 600 v 18 a 36 a 2.1V @ 15V, 11a 410µJ (on), 2.03mj (OFF) 39 NC 21ns/463ns
IPB720P15LMATMA1 Infineon Technologies IPB720P15LMATMA1 6.0400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB720P MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 150 v 4.6A (TA), 41A (TC) 4.5V, 10V 72mohm @ 37a, 10V 2V @ 5.55MA 224 NC @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 75 v - 3.8W (TA), 300W (TC)
IRF8513PBF Infineon Technologies IRF8513PBF -
RFQ
ECAD 7116 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF8513 MOSFET (금속 (() 1.5W, 2.4W 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001555762 귀 99 8541.29.0095 95 2 n 채널 (채널) 30V 8a, 11a 15.5mohm @ 8a, 10V 2.35V @ 25µA 8.6NC @ 4.5V 766pf @ 15V 논리 논리 게이트
AUIRF1324S-7P Infineon Technologies AUIRF1324S-7P -
RFQ
ECAD 2273 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) AUIRF1324 MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 24 v 240A (TC) 1MOHM @ 160A, 10V 4V @ 250µA 252 NC @ 10 v 7700 pf @ 19 v -
BSS205NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS205NH6327XTSA1 0.5000
RFQ
ECAD 61 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS205 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2.5A (TA) 2.5V, 4.5V 50mohm @ 2.5a, 4.5v 1.2V @ 11µA 3.2 NC @ 4.5 v ± 12V 419 pf @ 10 v - 500MW (TA)
IRF7241TRPBF Infineon Technologies IRF7241TRPBF 0.9700
RFQ
ECAD 22 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7241 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 40 v 6.2A (TA) 4.5V, 10V 41MOHM @ 6.2A, 10V 3V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 3220 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
IPP120N04S302AKSA1 Infineon Technologies IPP120N04S302AKSA1 3.8634
RFQ
ECAD 8700 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP120 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 2.3mohm @ 80a, 10V 4V @ 230µA 210 nc @ 10 v ± 20V 14300 pf @ 25 v - 300W (TC)
IPC100N04S51R9ATMA1 Infineon Technologies IPC100N04S51R9ATMA1 1.7200
RFQ
ECAD 9463 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IPC100 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 100A (TC) 7V, 10V 1.9mohm @ 50a, 10V 3.4V @ 50µA 65 nc @ 10 v ± 20V 3770 pf @ 25 v - 100W (TC)
BCR119WH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR119WH6327XTSA1 0.0553
RFQ
ECAD 8919 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 SC-70, SOT-323 BCR119 250 MW PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 120 @ 5MA, 5V 150MHz 4.7 Kohms
FS800R07A2E3B31BOSA1 Infineon Technologies FS800R07A2E3B31BOSA1 -
RFQ
ECAD 3881 0.00000000 인피온 인피온 * 쟁반 쓸모없는 FS800R07 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3
IRF540ZL Infineon Technologies IRF540ZL -
RFQ
ECAD 5797 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF540ZL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 36A (TC) 10V 26.5mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1770 pf @ 25 v - 92W (TC)
IPS60R650CEAKMA1 Infineon Technologies IPS60R650CEAKMA1 -
RFQ
ECAD 9236 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPS60R650 MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 600 v 9.9A (TJ) 10V 650mohm @ 2.4a, 10V 3.5V @ 200µA 20.5 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 100 v - 82W (TC)
IPP80P03P405AKSA1 Infineon Technologies IPP80P03P405AKSA1 -
RFQ
ECAD 8112 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80p MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 p 채널 30 v 80A (TC) 10V 5MOHM @ 80A, 10V 4V @ 253µA 130 NC @ 10 v ± 20V 10300 pf @ 25 v - 137W (TC)
IRF540ZSPBF Infineon Technologies IRF540ZSPBF -
RFQ
ECAD 8346 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 36A (TC) 10V 26.5mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1770 pf @ 25 v - 92W (TC)
IPB80N04S4L04ATMA1 Infineon Technologies IPB80N04S4L04ATMA1 2.1400
RFQ
ECAD 958 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 80A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 80a, 10V 2.2V @ 35µA 60 nc @ 10 v +20V, -16V 4690 pf @ 25 v - 71W (TC)
IPL60R2K1C6SATMA1 Infineon Technologies IPL60R2K1C6SATMA1 -
RFQ
ECAD 5346 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C6 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IPL60R MOSFET (금속 (() PG-TSON-8-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 600 v 2.3A (TC) 10V 2.1ohm @ 760ma, 10V 3.5V @ 60µA 6.7 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 100 v - 21.6W (TC)
IMT65R163M1HXUMA1 Infineon Technologies IMT65R163M1HXUMA1 7.7100
RFQ
ECAD 1981 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 8-Powersfn sicfet ((카바이드) PG-HSOF-8-1 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 - 650 v - 18V - - - - -
AUIRFP1405-203 Infineon Technologies AUIRFP1405-203 -
RFQ
ECAD 5788 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 160A (TC)
IRF7433TRPBF Infineon Technologies IRF7433TRPBF -
RFQ
ECAD 7855 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 12 v 8.9A (TA) 1.8V, 4.5V 24mohm @ 8.7a, 4.5v 900MV @ 250µA 20 nc @ 4.5 v ± 8V 1877 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
BUZ73ALIN Infineon Technologies buz73alin -
RFQ
ECAD 1870 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 503
IRF3709 Infineon Technologies IRF3709 -
RFQ
ECAD 2582 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF3709 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 41 NC @ 5 v ± 20V 2672 pf @ 16 v - 3.1W (TA), 120W (TC)
SPB100N03S2L-03 Infineon Technologies SPB100N03S2L-03 -
RFQ
ECAD 8661 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB100N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 100A (TC) 10V 2.7mohm @ 80a, 10V 2V @ 250µA 220 NC @ 10 v ± 20V 8180 pf @ 25 v - 300W (TC)
94-2312PBF Infineon Technologies 94-2312pbf -
RFQ
ECAD 7067 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 - 94-2312 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
AUIRFL014NTR Infineon Technologies auirfl014ntr -
RFQ
ECAD 7086 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001521554 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 1.5A (TA) 10V 160mohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 190 pf @ 25 v - 1W (TA)
BSC152N10NSFGATMA1 Infineon Technologies BSC152N10NSFGATMA1 -
RFQ
ECAD 8310 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 9.4A (TA), 63A (TC) 10V 15.2mohm @ 25a, 10V 4V @ 72µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 50 v - 114W (TC)
AUIRFZ48NXKMA1 Infineon Technologies auirfz48nxkma1 -
RFQ
ECAD 9397 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 auirfz48n - 쓸모없는 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고