SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1)
BCP55E6327 Infineon Technologies BCP55E6327 0.1100
RFQ
ECAD 31 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 2 w PG-SOT223-4-21 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 100MHz
IRL3502STRRPBF Infineon Technologies IRL3502STRPBF -
RFQ
ECAD 1241 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 20 v 110A (TC) 4.5V, 7V 7mohm @ 64a, 7v 700mv @ 250µa (최소) 110 NC @ 4.5 v ± 10V 4700 pf @ 15 v - 140W (TC)
IRLR3715ZTRPBF Infineon Technologies IRLR3715ZTRPBF -
RFQ
ECAD 1469 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6,000 n 채널 20 v 49A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10V 2.55V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 810 pf @ 10 v - 40W (TC)
FF2MR12KM1PHOSA1 Infineon Technologies FF2MR12KM1PHOSA1 -
RFQ
ECAD 5563 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF2MR12 MOSFET (금속 (() - Ag-62mm 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 8 2 n 채널 (채널 교량) 1200V (1.2kv) 500A (TC) 2.13MOHM @ 500A, 15V 5.15v @ 224ma 1340NC @ 15V 39700pf @ 800V -
BSC048N025S G Infineon Technologies BSC048N025S g -
RFQ
ECAD 1430 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 25 v 19A (TA), 89A (TC) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 50a, 10V 2V @ 35µA 21 NC @ 5 v ± 20V 2670 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 63W (TC)
IPAW60R280P7SE8228XKSA1 Infineon Technologies IPAW60R280P7SE8228XKSA1 0.9364
RFQ
ECAD 6630 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPAW60 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 280mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 190µA 18 nc @ 10 v ± 20V 761 pf @ 400 v - 24W (TC)
BC80725WE6327BTSA1 Infineon Technologies BC80725WE6327BTSA1 -
RFQ
ECAD 2445 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC807 250 MW PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 200MHz
IRF6712STRPBF Infineon Technologies IRF6712STRPBF 1.4900
RFQ
ECAD 9103 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq IRF6712 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Sq 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 25 v 17A (TA), 68A (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 17a, 10V 2.4V @ 50µA 18 nc @ 4.5 v ± 20V 1570 pf @ 13 v - 2.2W (TA), 36W (TC)
PTFA181001HL V1 Infineon Technologies PTFA181001HL V1 -
RFQ
ECAD 4133 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 PTFA181001 1.88GHz LDMOS PG-64248-2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 1µA 750 MA 100W 16.5dB - 28 v
AUIRFSL4010-313 Infineon Technologies auirfsl4010-313 -
RFQ
ECAD 9309 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 180A (TC) 10V 4.7mohm @ 106a, 10V 4V @ 250µA 215 NC @ 10 v ± 20V 9575 pf @ 50 v - 375W (TC)
IRF3315STRLPBF Infineon Technologies IRF3315STRLPBF -
RFQ
ECAD 3506 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 21A (TC) 10V 82mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 94W (TC)
IRF3000 Infineon Technologies IRF3000 -
RFQ
ECAD 7019 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 300 v 1.6A (TA) 10V 400mohm @ 960ma, 10V 5V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 30V 730 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
IRFC4668EF Infineon Technologies IRFC4668EF -
RFQ
ECAD 4218 0.00000000 인피온 인피온 - 벌크 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
BSC067N06LS3GATMA1 Infineon Technologies BSC067N06LS3GATMA1 1.6600
RFQ
ECAD 7233 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC067 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 15A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 50a, 10V 2.2V @ 35µA 67 NC @ 10 v ± 20V 5100 pf @ 30 v - 2.5W (TA), 69W (TC)
IRFSL7540PBF Infineon Technologies IRFSL7540PBF -
RFQ
ECAD 7652 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFSL7540 MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 110A (TC) 6V, 10V 5.1mohm @ 65a, 10V 3.7v @ 100µa 130 NC @ 10 v ± 20V 4555 pf @ 25 v - 160W (TC)
BCP49H6419XTMA1 Infineon Technologies BCP49H6419XTMA1 -
RFQ
ECAD 4447 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP49 1.5 w PG-SOT223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 200MHz
BC847SH6730XTMA1 Infineon Technologies BC847SH6730XTMA1 -
RFQ
ECAD 5463 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 250MW PG-SOT363-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001008360 귀 99 8541.21.0075 3,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
BSO052N03S Infineon Technologies BSO052N03S -
RFQ
ECAD 8568 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() PG-DSO-8 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 14A (TA) 4.5V, 10V 5.2mohm @ 17a, 10V 2V @ 70µA 43 NC @ 5 v ± 20V 5530 pf @ 15 v - 1.56W (TA)
IPI70N04S307AKSA1 Infineon Technologies IPI70N04S307AKSA1 -
RFQ
ECAD 9352 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI70N MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 6.5mohm @ 70a, 10V 4V @ 50µA 40 nc @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 25 v - 79W (TC)
IRLR8103VTRRPBF Infineon Technologies irlr8103vtrrpbf -
RFQ
ECAD 6121 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 91A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 27 NC @ 5 v ± 20V 2672 pf @ 16 v - 115W (TC)
PTFA210701FV4FWSA1 Infineon Technologies PTFA210701FV4FWSA1 -
RFQ
ECAD 2391 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 PTFA210701 2.14GHz LDMOS H-37265-2 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 80 10µA 550 MA 18W 16.5dB - 30 v
IRG4BC20MD-SPBF Infineon Technologies IRG4BC20MD-SPBF -
RFQ
ECAD 7377 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 60 W. D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 480V, 11a, 50ohm, 15V 37 ns - 600 v 18 a 36 a 2.1V @ 15V, 11a 410µJ (on), 2.03mj (OFF) 39 NC 21ns/463ns
IPB720P15LMATMA1 Infineon Technologies IPB720P15LMATMA1 6.0400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB720P MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 150 v 4.6A (TA), 41A (TC) 4.5V, 10V 72mohm @ 37a, 10V 2V @ 5.55MA 224 NC @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 75 v - 3.8W (TA), 300W (TC)
IRF8513PBF Infineon Technologies IRF8513PBF -
RFQ
ECAD 7116 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF8513 MOSFET (금속 (() 1.5W, 2.4W 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001555762 귀 99 8541.29.0095 95 2 n 채널 (채널) 30V 8a, 11a 15.5mohm @ 8a, 10V 2.35V @ 25µA 8.6NC @ 4.5V 766pf @ 15V 논리 논리 게이트
AUIRF1324S-7P Infineon Technologies AUIRF1324S-7P -
RFQ
ECAD 2273 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) AUIRF1324 MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 24 v 240A (TC) 1MOHM @ 160A, 10V 4V @ 250µA 252 NC @ 10 v 7700 pf @ 19 v -
BSS205NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS205NH6327XTSA1 0.5000
RFQ
ECAD 61 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS205 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2.5A (TA) 2.5V, 4.5V 50mohm @ 2.5a, 4.5v 1.2V @ 11µA 3.2 NC @ 4.5 v ± 12V 419 pf @ 10 v - 500MW (TA)
IRF7241TRPBF Infineon Technologies IRF7241TRPBF 0.9700
RFQ
ECAD 22 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7241 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 40 v 6.2A (TA) 4.5V, 10V 41MOHM @ 6.2A, 10V 3V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 3220 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
IPP120N04S302AKSA1 Infineon Technologies IPP120N04S302AKSA1 3.8634
RFQ
ECAD 8700 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP120 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 2.3mohm @ 80a, 10V 4V @ 230µA 210 nc @ 10 v ± 20V 14300 pf @ 25 v - 300W (TC)
IPC100N04S51R9ATMA1 Infineon Technologies IPC100N04S51R9ATMA1 1.7200
RFQ
ECAD 9463 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IPC100 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 100A (TC) 7V, 10V 1.9mohm @ 50a, 10V 3.4V @ 50µA 65 nc @ 10 v ± 20V 3770 pf @ 25 v - 100W (TC)
BCR119WH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR119WH6327XTSA1 0.0553
RFQ
ECAD 8919 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 SC-70, SOT-323 BCR119 250 MW PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 120 @ 5MA, 5V 150MHz 4.7 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고