SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IPP60R125C6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R125C6XKSA1 6.3800
RFQ
ECAD 500 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R125 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 125mohm @ 14.5a, 10V 3.5V @ 960µA 96 NC @ 10 v ± 20V 2127 pf @ 100 v - 219W (TC)
IPG20N04S4L18AATMA1 Infineon Technologies IPG20N04S4L18AATMA1 1.0900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -T2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn IPG20N MOSFET (금속 (() 26W (TC) PG-TDSON-8-10 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 40V 20A (TC) 18mohm @ 17a, 10V 2.2V @ 8µA 15NC @ 10V 1071pf @ 25v -
IRL7833SPBF Infineon Technologies IRL7833SPBF -
RFQ
ECAD 1320 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 150A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 38a, 10V 2.3V @ 250µA 47 NC @ 4.5 v ± 20V 4170 pf @ 15 v - 140W (TC)
IRFR3708TRRPBF Infineon Technologies irfr3708trrpbf -
RFQ
ECAD 5439 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR3708 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001575934 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 61A (TC) 2.8V, 10V 12.5mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 12V 2417 pf @ 15 v - 87W (TC)
BCR 101T E6327 Infineon Technologies BCR 101T E6327 -
RFQ
ECAD 2100 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-75, SOT-416 BCR 101 250 MW PG-SC75-3D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 50 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 5MA, 5V 100MHz 100 KOHMS 100 KOHMS
IRL1004LPBF Infineon Technologies IRL1004LPBF -
RFQ
ECAD 7060 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 130A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 78a, 10V 1V @ 250µA 100 nc @ 4.5 v ± 16V 5330 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
IRLU3303 Infineon Technologies irlu3303 -
RFQ
ECAD 6028 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLU3303 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 31mohm @ 21a, 10V 1V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 16V 870 pf @ 25 v - 68W (TC)
IPA60R280P7XKSA1 Infineon Technologies IPA60R280P7XKSA1 2.6000
RFQ
ECAD 7736 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA60R280 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 280mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 190µA 18 nc @ 10 v ± 20V 761 pf @ 400 v - 24W (TC)
IKD10N60RFATMA1 Infineon Technologies ikd10n60rfatma1 1.6000
RFQ
ECAD 6625 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IKD10N 기준 150 W. PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400V, 10A, 26OHM, 15V 72 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 20 a 30 a 2.5V @ 15V, 10A 190µJ (on), 160µJ (OFF) 64 NC 12ns/168ns
AUIRFP46310Z Infineon Technologies AUIRFP46310Z -
RFQ
ECAD 3344 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
BCR148WH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR148WH6327XTSA1 0.0553
RFQ
ECAD 6939 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 SC-70, SOT-323 BCR148 250 MW PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 100MHz 47 Kohms 47 Kohms
IPQC60R010S7XTMA1 Infineon Technologies IPQC60R010S7XTMA1 30.2000
RFQ
ECAD 2151 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ S7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 22-powerbsop op MOSFET (금속 (() PG-HDSOP-22 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 750 n 채널 600 v 50A (TC) 12V 10mohm @ 50a, 12v 4.5V @ 3.08ma 318 NC @ 12 v ± 20V - 694W (TC)
IRF530NS Infineon Technologies IRF530NS -
RFQ
ECAD 3116 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF530NS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 17A (TC) 10V 90mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 20V 920 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 70W (TC)
IRGPC30FD2 Infineon Technologies IRGPC30FD2 -
RFQ
ECAD 2576 0.00000000 인피온 인피온 - 가방 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 100 W. TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 - 600 v 31 a 2.1V @ 15V, 17a
IRLR8743TRLPBF Infineon Technologies irlr8743trlpbf -
RFQ
ECAD 2419 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001568702 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 160A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 25a, 10V 2.35V @ 100µa 59 NC @ 4.5 v ± 20V 4880 pf @ 15 v - 135W (TC)
IRFR1010Z Infineon Technologies irfr1010z -
RFQ
ECAD 2250 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfr1010z 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 42A (TC) 10V 7.5mohm @ 42a, 10V 4V @ 100µa 95 NC @ 10 v ± 20V 2840 pf @ 25 v - 140W (TC)
BSC057N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSC057N03MSGATMA1 -
RFQ
ECAD 7503 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC057 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 15A (TA), 71A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 30a, 10V 2V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 16V 3100 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 45W (TC)
IRF7452TRPBF Infineon Technologies IRF7452TRPBF -
RFQ
ECAD 6881 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 4.5A (TA) 10V 60mohm @ 2.7a, 10V 5.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 930 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
BC 846B B5003 Infineon Technologies BC 846B B5003 -
RFQ
ECAD 3585 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC 846 330 MW PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IPG20N04S4L11ATMA1 Infineon Technologies IPG20N04S4L11ATMA1 1.5300
RFQ
ECAD 18 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IPG20N MOSFET (금속 (() 41W PG-TDSON-8-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 40V 20A 11.6mohm @ 17a, 10V 2.2V @ 15µA 26NC @ 10V 1990pf @ 25v 논리 논리 게이트
AUIRF1404STRL Infineon Technologies AUIRF1404STRL -
RFQ
ECAD 2703 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB AUIRF1404 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001517298 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 4mohm @ 95a, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 20V 7360 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
BCR158WH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR158WH6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 3997 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 BCR158 250 MW PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 200MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
IRF3706STRL Infineon Technologies IRF3706STRL -
RFQ
ECAD 9948 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 20 v 77A (TC) 2.8V, 10V 8.5mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA 35 NC @ 4.5 v ± 12V 2410 pf @ 10 v - 88W (TC)
AUIRFP2602 Infineon Technologies AUIRFP2602 -
RFQ
ECAD 2210 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001522246 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 24 v 180A (TC) 10V 1.6MOHM @ 180A, 10V 4V @ 250µA 390 NC @ 10 v ± 20V 11220 pf @ 25 v - 380W (TC)
BSP89H6327XTSA1 Infineon Technologies BSP89H6327XTSA1 0.6600
RFQ
ECAD 3792 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BSP89H6327 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 240 v 350MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 350ma, 10V 1.8V @ 108µA 6.4 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
IPDQ60R040S7XTMA1 Infineon Technologies IPDQ60R040S7XTMA1 11.2200
RFQ
ECAD 6823 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 22-powerbsop op IPDQ60R MOSFET (금속 (() PG-HDSOP-22-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 750 n 채널 600 v 14A (TC) 12V 40mohm @ 13a, 12v 4.5V @ 790µA 83 NC @ 12 v ± 20V 3127 pf @ 300 v - 272W (TC)
FZ2400R17HP4B9HOSA2 Infineon Technologies FZ2400R17HP4B9HOSA2 1.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FZ2400 15500 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 단일 단일 도랑 1700 v 4800 a 2.25V @ 15V, 2400A 5 MA 아니요 195 NF @ 25 v
IPP037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP037N08N3GXKSA1 2.8700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP037 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 100A (TC) 6V, 10V 3.75mohm @ 100a, 10V 3.5V @ 155µA 117 NC @ 10 v ± 20V 8110 pf @ 40 v - 214W (TC)
BFP 640 H6433 Infineon Technologies BFP 640 H6433 -
RFQ
ECAD 2786 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 BFP 640 200MW PG-SOT343-3D 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 24dB 4.5V 50ma NPN 110 @ 30MA, 3V 40GHz 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
BSC882N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSC882N03LSGATMA1 -
RFQ
ECAD 7502 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC882 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 34 v - 10V 4.2MOHM @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 3700 pf @ 15 v - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고