전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP60R125C6XKSA1 | 6.3800 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP60R125 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 30A (TC) | 10V | 125mohm @ 14.5a, 10V | 3.5V @ 960µA | 96 NC @ 10 v | ± 20V | 2127 pf @ 100 v | - | 219W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPG20N04S4L18AATMA1 | 1.0900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -T2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powervdfn | IPG20N | MOSFET (금속 (() | 26W (TC) | PG-TDSON-8-10 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 20A (TC) | 18mohm @ 17a, 10V | 2.2V @ 8µA | 15NC @ 10V | 1071pf @ 25v | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL7833SPBF | - | ![]() | 1320 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 150A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 38a, 10V | 2.3V @ 250µA | 47 NC @ 4.5 v | ± 20V | 4170 pf @ 15 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irfr3708trrpbf | - | ![]() | 5439 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR3708 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001575934 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 61A (TC) | 2.8V, 10V | 12.5mohm @ 15a, 10V | 2V @ 250µA | 24 nc @ 4.5 v | ± 12V | 2417 pf @ 15 v | - | 87W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR 101T E6327 | - | ![]() | 2100 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | BCR 101 | 250 MW | PG-SC75-3D | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 50 MA | 100NA (ICBO) | npn-사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 70 @ 5MA, 5V | 100MHz | 100 KOHMS | 100 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL1004LPBF | - | ![]() | 7060 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 130A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 78a, 10V | 1V @ 250µA | 100 nc @ 4.5 v | ± 16V | 5330 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irlu3303 | - | ![]() | 6028 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRLU3303 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 21a, 10V | 1V @ 250µA | 26 NC @ 4.5 v | ± 16V | 870 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA60R280P7XKSA1 | 2.6000 | ![]() | 7736 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA60R280 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 12A (TC) | 10V | 280mohm @ 3.8a, 10V | 4V @ 190µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 761 pf @ 400 v | - | 24W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ikd10n60rfatma1 | 1.6000 | ![]() | 6625 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IKD10N | 기준 | 150 W. | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400V, 10A, 26OHM, 15V | 72 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 20 a | 30 a | 2.5V @ 15V, 10A | 190µJ (on), 160µJ (OFF) | 64 NC | 12ns/168ns | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFP46310Z | - | ![]() | 3344 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR148WH6327XTSA1 | 0.0553 | ![]() | 6939 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BCR148 | 250 MW | PG-SOT323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 70 @ 5MA, 5V | 100MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPQC60R010S7XTMA1 | 30.2000 | ![]() | 2151 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ S7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 22-powerbsop op | MOSFET (금속 (() | PG-HDSOP-22 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 750 | n 채널 | 600 v | 50A (TC) | 12V | 10mohm @ 50a, 12v | 4.5V @ 3.08ma | 318 NC @ 12 v | ± 20V | - | 694W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF530NS | - | ![]() | 3116 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF530NS | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 17A (TC) | 10V | 90mohm @ 9a, 10V | 4V @ 250µA | 37 NC @ 10 v | ± 20V | 920 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 70W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGPC30FD2 | - | ![]() | 2576 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 가방 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 100 W. | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | - | 600 v | 31 a | 2.1V @ 15V, 17a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irlr8743trlpbf | - | ![]() | 2419 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001568702 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 160A (TC) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 25a, 10V | 2.35V @ 100µa | 59 NC @ 4.5 v | ± 20V | 4880 pf @ 15 v | - | 135W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | irfr1010z | - | ![]() | 2250 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *irfr1010z | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 55 v | 42A (TC) | 10V | 7.5mohm @ 42a, 10V | 4V @ 100µa | 95 NC @ 10 v | ± 20V | 2840 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC057N03MSGATMA1 | - | ![]() | 7503 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC057 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 15A (TA), 71A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 30a, 10V | 2V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 16V | 3100 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7452TRPBF | - | ![]() | 6881 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 100 v | 4.5A (TA) | 10V | 60mohm @ 2.7a, 10V | 5.5V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 30V | 930 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC 846B B5003 | - | ![]() | 3585 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC 846 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPG20N04S4L11ATMA1 | 1.5300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | IPG20N | MOSFET (금속 (() | 41W | PG-TDSON-8-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 20A | 11.6mohm @ 17a, 10V | 2.2V @ 15µA | 26NC @ 10V | 1990pf @ 25v | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF1404STRL | - | ![]() | 2703 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AUIRF1404 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001517298 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 75A (TC) | 10V | 4mohm @ 95a, 10V | 4V @ 250µA | 200 nc @ 10 v | ± 20V | 7360 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR158WH6327XTSA1 | - | ![]() | 3997 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BCR158 | 250 MW | PG-SOT323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 70 @ 5MA, 5V | 200MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3706STRL | - | ![]() | 9948 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 20 v | 77A (TC) | 2.8V, 10V | 8.5mohm @ 15a, 10V | 2V @ 250µA | 35 NC @ 4.5 v | ± 12V | 2410 pf @ 10 v | - | 88W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFP2602 | - | ![]() | 2210 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247AD | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001522246 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 24 v | 180A (TC) | 10V | 1.6MOHM @ 180A, 10V | 4V @ 250µA | 390 NC @ 10 v | ± 20V | 11220 pf @ 25 v | - | 380W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSP89H6327XTSA1 | 0.6600 | ![]() | 3792 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BSP89H6327 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 240 v | 350MA (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 350ma, 10V | 1.8V @ 108µA | 6.4 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPDQ60R040S7XTMA1 | 11.2200 | ![]() | 6823 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 22-powerbsop op | IPDQ60R | MOSFET (금속 (() | PG-HDSOP-22-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 750 | n 채널 | 600 v | 14A (TC) | 12V | 40mohm @ 13a, 12v | 4.5V @ 790µA | 83 NC @ 12 v | ± 20V | 3127 pf @ 300 v | - | 272W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ2400R17HP4B9HOSA2 | 1.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | IHM-B | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FZ2400 | 15500 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 단일 단일 | 도랑 | 1700 v | 4800 a | 2.25V @ 15V, 2400A | 5 MA | 아니요 | 195 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP037N08N3GXKSA1 | 2.8700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP037 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 80 v | 100A (TC) | 6V, 10V | 3.75mohm @ 100a, 10V | 3.5V @ 155µA | 117 NC @ 10 v | ± 20V | 8110 pf @ 40 v | - | 214W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP 640 H6433 | - | ![]() | 2786 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-82A, SOT-343 | BFP 640 | 200MW | PG-SOT343-3D | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 24dB | 4.5V | 50ma | NPN | 110 @ 30MA, 3V | 40GHz | 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC882N03LSGATMA1 | - | ![]() | 7502 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC882 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 34 v | - | 10V | 4.2MOHM @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 20V | 3700 pf @ 15 v | - | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고