- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
트랜지스터 (13833)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPL60R125C7AUMA1 | 5.7500 |  | 3 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-powertsfn | IPL60R | MOSFET (금속 (() | PG-VSON-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2A (4 주) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 17A (TC) | 10V | 125mohm @ 7.8a, 10V | 4V @ 390µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 1500 pf @ 400 v | - | 103W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS87H6327XTSA1 | 0.1749 | | 7217 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | BSS87 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT89-4-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001195034 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 240 v | 260MA (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 260ma, 10V | 1.8V @ 108µA | 5.5 nc @ 10 v | ± 20V | 97 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BCR196WE6327 | 0.0200 | | 24 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BCR196 | 250 MW | PG-SOT323-3 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 50 v | 70 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 50 @ 5MA, 5V | 150MHz | 47 Kohms | 22 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFZ48ZS | - | | 1603 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFZ48ZS | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 61A (TC) | 10V | 11mohm @ 37a, 10V | 4V @ 250µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 1720 pf @ 25 v | - | 91W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF6631TRPBF | - | | 1437 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ Sq | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,800 | n 채널 | 30 v | 13A (TA), 57A (TC) | 4.5V, 10V | 7.8mohm @ 13a, 10V | 2.35V @ 25µA | 18 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1450 pf @ 15 v | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | auxvngp4062d-e | - | | 5730 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | AUXVNGP4062 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7521D1 | - | | 7103 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Fetky ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | MOSFET (금속 (() | Micro8 ™ | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 20 v | 2.4A (TA) | 2.7V, 4.5V | 135mohm @ 1.7a, 4.5v | 700mv @ 250µa (최소) | 8 NC @ 4.5 v | ± 12V | 260 pf @ 15 v | Schottky 분리 (다이오드) | 1.3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSZ0602LSATMA1 | 1.7000 | | 9607 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 5 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSZ0602 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8 FL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 80 v | 13A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 20a, 10V | 2.3V @ 36µA | 18 nc @ 4.5 v | ± 20V | 2340 pf @ 40 v | - | 69W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPD06N80C3BTMA1 | - | | 1861 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SPD06N | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 800 v | 6A (TA) | 10V | 900mohm @ 3.8a, 10V | 3.9V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 785 pf @ 100 v | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCR 512 B6327 | - | | 6158 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR 512 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 30,000 | 50 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | npn-사전- | 300mv @ 2.5ma, 50ma | 60 @ 50MA, 5V | 100MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPU04N03LA g | - | | 2858 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IPU04N | MOSFET (금속 (() | P-to251-3-1 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 25 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 50a, 10V | 2V @ 80µa | 41 NC @ 5 v | ± 20V | 5199 pf @ 15 v | - | 115W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7403TRPBF | 1.2200 | | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF7403 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 8.5A (TA) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 4a, 10V | 1V @ 250µA | 57 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC848CE6327 | 0.0300 | | 48 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 9,427 | 30 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 420 @ 2MA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPB80N08S2-07 | - | | 6635 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB80N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 75 v | 80A (TC) | 10V | 7.1MOHM @ 66A, 10V | 4V @ 250µA | 180 NC @ 10 v | ± 20V | 6130 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPZA65R029CFD7XKSA1 | 15.4500 | | 230 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CoolMOS ™ CFD7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | IPZA65 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-4-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 69A (TC) | 10V | 29mohm @ 35.8a, 10V | 4.5V @ 1.79ma | 145 NC @ 10 v | ± 20V | 7149 pf @ 400 v | - | 305W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IPB034N06N3GATMA2 | 0.7692 | | 7579 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 3 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | MOSFET (금속 (() | PG-to263-7-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 100A (TC) | 10V | 3.4mohm @ 100a, 10V | 4V @ 93µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 11000 pf @ 30 v | - | 167W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCP 56-10 H6433 | - | | 8771 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BCP 56 | 2 w | PG-SOT223-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 63 @ 150ma, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP60R190C6XKSA1 | 3.7100 | | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP60R190 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 20.2A (TC) | 10V | 190mohm @ 9.5a, 10V | 3.5V @ 630µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 100 v | - | 151W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IQE013N04L6CGSCATMA1 | 3.1000 | | 2828 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 9-powerwdfn | MOSFET (금속 (() | PG-WHTFN-9-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 6,000 | n 채널 | 40 v | 31A (TA), 205A (TC) | 4.5V, 10V | 1.35mohm @ 20a, 10V | 2V @ 51µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 3800 pf @ 20 v | - | 2.5W (TA), 107W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | DF11MR12W1M1B11BOMA1 | - | | 3861 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | DF11MR12 | 실리콘 실리콘 (sic) | 20MW | Ag-EASY1BM-2 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 24 | 2 n 채널 (채널) | 1200V (1.2kv) | 50a | 23mohm @ 50a, 15V | 5.5V @ 20MA | 125NC @ 5V | 3950pf @ 800V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPT012N08N5ATMA1 | 6.9200 | | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Powersfn | IPT012 | MOSFET (금속 (() | PG-HSOF-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 80 v | 300A (TC) | 6V, 10V | 1.2MOHM @ 150A, 10V | 3.8V @ 280µA | 223 NC @ 10 v | ± 20V | 17000 pf @ 40 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC817SUE6327HTSA1 | 0.2166 | | 5813 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | BC817 | 1 W. | PG-SC74-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 50ma, 500ma | 160 @ 100MA, 1V | 170MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRGB4607DPBF | - | | 4203 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 기준 | 58 W. | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001541648 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 4A, 100ohm, 15V | 48 ns | - | 600 v | 11 a | 12 a | 2.05V @ 15V, 4A | 140µJ (on), 62µJ (OFF) | 9 NC | 27ns/120ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP120N06S402AKSA2 | - | | 3814 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP120N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 10V | 2.8mohm @ 100a, 10V | 4V @ 140µA | 195 NC @ 10 v | ± 20V | 15750 pf @ 25 v | - | 188W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| irlu7833pbf | - | | 8334 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001553270 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 140A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 15a, 10V | 2.3V @ 250µA | 50 nc @ 4.5 v | ± 20V | 4010 pf @ 15 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD70R600P7SAUMA1 | 0.9800 | | 3 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD70 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 700 v | 8.5A (TC) | 10V | 600mohm @ 1.8a, 10V | 3.5V @ 90µA | 10.5 nc @ 10 v | ± 16V | 364 pf @ 400 v | - | 43W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| auirfz48z | - | | 4845 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001518766 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 61A (TC) | 10V | 11mohm @ 37a, 10V | 4V @ 250µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 1720 pf @ 25 v | - | 91W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | PTFA092213FLV5R250XTMA1 | - | | 5938 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 | 960MHz | LDMOS | H-34288-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000865648 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 250 | - | 1.85 a | 200W | 17.5dB | - | 30 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7421D1 | - | | 6771 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Fetky ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF7421D1 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 5.8A (TA) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 4.1a, 10V | 1V @ 250µA | 27 NC @ 10 v | ± 20V | 510 pf @ 25 v | Schottky 분리 (다이오드) | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPG20N06S4L26AATMA1 | 1.1700 | | 5277 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powervdfn | IPG20N | MOSFET (금속 (() | 33W | PG-TDSON-8-10 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 20A | 26mohm @ 17a, 10V | 2.2V @ 10µA | 20NC @ 10V | 1430pf @ 25v | 논리 논리 게이트 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)