SIC
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트랜지스터 (13833)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IPP80N04S3H4AKSA1 Infineon Technologies IPP80N04S3H4AKSA1 -
RFQ
 ECAD 6133 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 4.8mohm @ 80a, 10V 4V @ 65µA 60 nc @ 10 v ± 20V 3900 pf @ 25 v - 115W (TC)
SGP20N60 Infineon Technologies SGP20N60 -
RFQ
 ECAD 6592 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sgp20n 기준 179 w PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 20A, 16ohm, 15V NPT 600 v 40 a 80 a 2.4V @ 15V, 20A 440µJ (on), 330µJ (OFF) 100 NC 36ns/225ns
IRFZ46ZPBF Infineon Technologies IRFZ46ZPBF -
RFQ
 ECAD 5188 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 51A (TC) 10V 13.6MOHM @ 31A, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1460 pf @ 25 v - 82W (TC)
CHIPT0110L3E6762SX2XA1 Infineon Technologies chipt0110L3E6762SX2XA1 -
RFQ
 ECAD 3653 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 마지막으로 마지막으로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001155730 0000.00.0000 1
IRG4RC20FTR Infineon Technologies irg4rc20ftr -
RFQ
 ECAD 5657 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRG4RC20F 기준 66 W. D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 480V, 12A, 50ohm, 15V - 600 v 22 a 44 a 2.1V @ 15V, 12a 190µJ (on), 920µJ (OFF) 27 NC 26ns/194ns
IQD063N15NM5CGATMA1 Infineon Technologies IQD063N15NM5CGATMA1 4.8300
RFQ
 ECAD 5141 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 5,000
SPD25N06S2-40 Infineon Technologies SPD25N06S2-40 -
RFQ
 ECAD 3989 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SPD25N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 29A (TC) 10V 40mohm @ 13a, 10V 4V @ 26µA 18 nc @ 10 v ± 20V 710 pf @ 25 v - 68W (TC)
ISC036N04NM5ATMA1 Infineon Technologies ISC036N04NM5ATMA1 1.2200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ -5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn ISC036N MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 21A (TA), 98A (TC) 7V, 10V 3.6mohm @ 49a, 10V 3.4V @ 23µA 28 nc @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 20 v - 3W (TA), 63W (TC)
IRGS6B60KPBF Infineon Technologies IRGS6B60KPBF -
RFQ
 ECAD 8802 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRGS6B 기준 90 W. D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 5A, 100ohm, 15V NPT 600 v 13 a 26 a 2.2V @ 15V, 5A 110µJ (on), 135µJ (OFF) 18.2 NC 25NS/215NS
SIGC15T60EX1SA4 Infineon Technologies SIGC15T60EX1SA4 -
RFQ
 ECAD 1494 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC15 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 - 트렌치 트렌치 정지 600 v 30 a 90 a 1.9V @ 15V, 30A - -
IRG4RC10KPBF Infineon Technologies irg4rc10kpbf -
RFQ
 ECAD 8737 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 기준 38 w D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 480V, 5A, 100ohm, 15V - 600 v 9 a 18 a 2.62V @ 15V, 5A 160µJ (on), 100µJ (OFF) 19 NC 11ns/51ns
P2000DL45X168APTHPSA1 Infineon Technologies P2000DL45X168APTHPSA1 10.0000
RFQ
 ECAD 4066 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 do-200ae P2000D 기준 BG-P16826K-1 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 도랑 4500 v 2000 a 2.5V @ 15V, 2000a 200 µA 아니요 420 NF @ 25 v
ISZ330N12LM6ATMA1 Infineon Technologies ISZ330N12LM6ATMA1 1.4900
RFQ
 ECAD 9652 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn ISZ330 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8 FL - 1 (무제한) 5,000 n 채널 120 v 5.7A (TA), 24A (TC) 3.3V, 10V 33mohm @ 9a, 10V 2.2V @ 11µA 9 NC @ 10 v ± 20V 650 pf @ 60 v - 2.5W (TA), 43W (TC)
BFP640ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies BFP640ESDH6327XTSA1 0.7400
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 BFP640 200MW PG-SOT343-4-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 7dB ~ 30dB 4.7V 50ma NPN 110 @ 30MA, 3V 46GHz 0.6dB ~ 2db @ 150MHz ~ 10GHz
BSZ009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies BSZ009NE2LS5ATMA1 2.9200
RFQ
 ECAD 1139 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ009 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8-FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 25 v 39A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 900mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 124 NC @ 10 v ± 16V 5500 pf @ 12 v - 2.1W (TA), 69W (TC)
IRF7523D1TRPBF Infineon Technologies IRF7523D1TRPBF -
RFQ
 ECAD 1648 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) MOSFET (금속 (() Micro8 ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 2.7A (TA) 4.5V, 10V 130mohm @ 1.7a, 10V 1V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 210 pf @ 25 v Schottky 분리 (다이오드) 1.25W (TA)
FD800R17HP4-K_B2 Infineon Technologies FD800R17HP4-K_B2 1.0000
RFQ
 ECAD 135 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FD800R 5200 w 기준 AG-IHVB130-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 단일 단일 - 1700 v 800 a - 5 MA 아니요
IPP65R380C6 Infineon Technologies IPP65R380C6 -
RFQ
 ECAD 8705 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 650 v 10.6A (TC) 10V 380mohm @ 3.2a, 10V 3.5V @ 320µA 39 NC @ 10 v ± 20V 710 pf @ 100 v - 83W (TC)
IRF3711ZCSTRRP Infineon Technologies IRF3711ZCSTRRP -
RFQ
 ECAD 2685 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 20 v 92A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 15A, 10V 2.45V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 20V 2150 pf @ 10 v - 79W (TC)
IRF135S203 Infineon Technologies IRF135S203 3.0000
RFQ
 ECAD 524 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF135 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 135 v 129A (TC) 10V 8.4mohm @ 77a, 10V 4V @ 250µA 270 nc @ 10 v ± 20V 9700 pf @ 50 v - 441W (TC)
F3L600R10W3S7B11BPSA1 Infineon Technologies F3L600R10W3S7B11BPSA1 146.6700
RFQ
 ECAD 7719 0.00000000 인피온 인피온 * 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-F3L600R10W3S7B11BPSA1 8
FS03MR12A6MA1BBPSA1 Infineon Technologies FS03MR12A6MA1BBPSA1 2.0000
RFQ
 ECAD 5382 0.00000000 인피온 인피온 Hybridpack ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS03MR12 실리콘 실리콘 (sic) 20MW Ag-Hybridd-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 6 n 채널 (3 채널 교량) 1200V (1.2kv) 400A (TJ) 3.7mohm @ 400a, 15V 5.55V @ 240ma 1320NC @ 15V 42500pf @ 600V -
BC858BE6327 Infineon Technologies BC858BE6327 0.0400
RFQ
 ECAD 121 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,460 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 250MHz
FZ1800R17HP4B29BOSA2 Infineon Technologies FZ1800R17HP4B29BOSA2 1.0000
RFQ
 ECAD 6478 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FZ1800 11500 w 기준 Ag-IHMB190 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 단일 단일 트렌치 트렌치 정지 1700 v 1800 a 2.25V @ 15V, 1.8KA 5 MA 아니요 145 NF @ 25 v
IQFH99N06NM5ATMA1 Infineon Technologies IQFH99N06NM5ATMA1 2.4512
RFQ
 ECAD 1165 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 3,000
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies ikw75n65el5xksa1 9.2400
RFQ
 ECAD 1735 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 5 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IKW75N65 기준 536 w PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 75A, 4ohm, 15V 114 ns - 650 v 80 a 300 a 1.35V @ 15V, 75A 1.61mj (on), 3.2mj (OFF) 436 NC 40ns/275ns
IPP80N06S209AKSA2 Infineon Technologies IPP80N06S209AKSA2 -
RFQ
 ECAD 1346 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80N06 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 9.1mohm @ 50a, 10V 4V @ 125µA 80 nc @ 10 v ± 20V 2360 pf @ 25 v - 190W (TC)
BSM100GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies BSM100GD60DLCBOSA1 -
RFQ
 ECAD 8395 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 BSM100 430 w 기준 기준 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 전체 전체 - 600 v 130 a 2.45V @ 15V, 100A 500 µA 아니요 4.3 NF @ 25 v
SPP20N60S5 Infineon Technologies SPP20N60S5 -
RFQ
 ECAD 1909 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp20n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 20A (TC) 10V 190mohm @ 13a, 10V 5.5V @ 1mA 103 NC @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 25 v - 208W (TC)
IRF1407STRLPBF Infineon Technologies IRF1407STRLPBF 2.8600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF1407 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 100A (TC) 10V 7.8mohm @ 78a, 10V 4V @ 250µA 250 nc @ 10 v ± 20V 5600 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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