SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 103.5300
RFQ
ECAD 9529 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™, Coolsic ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 DF16MR12 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 24 2 n 채널 1200V 25A 32.3mohm @ 25a, 18V 5.15V @ 10MA 74NC @ 18V 2200pf @ 800V -
IPI070N08N3 G Infineon Technologies IPI070N08N3 g -
RFQ
ECAD 9613 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI070N MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 80 v 80A (TC) 6V, 10V 7MOHM @ 73A, 10V 3.5V @ 73µA 56 NC @ 10 v ± 20V 3840 pf @ 40 v - 136W (TC)
IRFL4310TR Infineon Technologies irfl4310tr -
RFQ
ECAD 1456 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 1.6A (TA) 200mohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v 330 pf @ 25 v -
IPD60R380P6ATMA1 Infineon Technologies IPD60R380P6ATMA1 2.1000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 10.6A (TC) 10V 380mohm @ 3.8a, 10V 4.5V @ 320µA 19 NC @ 10 v ± 20V 877 pf @ 100 v - 83W (TC)
IKB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies IKB20N60H3ATMA1 2.7900
RFQ
ECAD 990 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IKB20N60 기준 170 w PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 20A, 14.6OHM, 15V 112 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 40 a 80 a 2.4V @ 15V, 20A 690µJ 120 NC 16ns/194ns
BSC019N04NSG Infineon Technologies BSC019N04NSG -
RFQ
ECAD 1784 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 - 0000.00.0000 1 n 채널 40 v 29A (TA), 204A (TC) 10V 1.9mohm @ 50a, 10V 4V @ 85µA 108 NC @ 10 v ± 20V 8800 pf @ 20 v - 2.5W (TA), 125W (TC)
BC80825WE6327HTSA1 Infineon Technologies BC80825WE6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 9070 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC808 250 MW PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 25 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 200MHz
SPP80N06S08NK Infineon Technologies SPP80N06S08NK -
RFQ
ECAD 9950 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, SIPMOS® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp80n MOSFET (금속 (() PG-to220-3 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000054054 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 8mohm @ 80a, 10V 4V @ 240µA 187 NC @ 10 v ± 20V 3660 pf @ 25 v - 300W (TC)
IPP60R080P7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R080P7XKSA1 5.9900
RFQ
ECAD 371 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R080 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 37A (TC) 10V 80mohm @ 11.8a, 10V 4V @ 590µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2180 pf @ 400 v - 129W (TC)
IAUCN04S7N004ATMA1 Infineon Technologies IAUCN04S7N004ATMA1 1.8931
RFQ
ECAD 4039 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-53 다운로드 Rohs3 준수 5,000 n 채널 40 v 175a 7V, 10V 0.44mohm @ 88a, 10V 3V @ 130µA 169 NC @ 10 v ± 20V 11310 pf @ 20 v - 219W (TC)
IRFU4105PBF Infineon Technologies IRFU4105PBF -
RFQ
ECAD 7738 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 27A (TC) 10V 45mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 68W (TC)
IPP084N06L3GXK Infineon Technologies IPP084N06L3GXK -
RFQ
ECAD 1516 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 50A (TC) 4.5V, 10V 8.4mohm @ 50a, 10V 2.2V @ 34µA 29 NC @ 4.5 v ± 20V 4900 pf @ 30 v - 79W (TC)
IRF7210TRPBF Infineon Technologies IRF7210TRPBF -
RFQ
ECAD 1310 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 12 v 16A (TA) 2.5V, 4.5V 7mohm @ 16a, 4.5v 600MV @ 500µA (최소) 212 NC @ 5 v ± 12V 17179 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
BSM100GB120DLCKHOSA1 Infineon Technologies BSM100GB120DLCKHOSA1 -
RFQ
ECAD 8279 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 BSM100 830 w 기준 기준 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 - 1200 v 100 a -
IRFH7787TRPBF Infineon Technologies IRFH7787TRPBF -
RFQ
ECAD 9160 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IRFH7787 MOSFET (금속 (() PQFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 75 v 68A (TC) 6V, 10V 8mohm @ 41a, 10V 3.7v @ 100µa 110 NC @ 10 v ± 20V 4030 pf @ 25 v - 83W (TC)
IRF2807STRRPBF Infineon Technologies IRF2807STRRPBF -
RFQ
ECAD 7577 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF2807 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001564670 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 82A (TC) 10V 13mohm @ 43a, 10V 4V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 3820 pf @ 25 v - 230W (TC)
IPI80N04S404AKSA1 Infineon Technologies IPI80N04S404AKSA1 1.2716
RFQ
ECAD 6501 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI80N04 MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 4.6mohm @ 80a, 10V 4V @ 35µA 43 NC @ 10 v ± 20V 3440 pf @ 25 v - 71W (TC)
IRFB3306PBF Infineon Technologies IRFB3306PBF 2.0700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB3306 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 4.2MOHM @ 75A, 10V 4V @ 150µA 120 nc @ 10 v ± 20V 4520 pf @ 50 v - 230W (TC)
IPS50R520CPBKMA1 Infineon Technologies IPS50R520CPBKMA1 -
RFQ
ECAD 8693 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK ips50r MOSFET (금속 (() PG-to251-3-11 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000307420 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 500 v 7.1A (TC) 10V 520mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 680 pf @ 100 v - 66W (TC)
IRFP4332PBF Infineon Technologies IRFP4332PBF 5.6400
RFQ
ECAD 341 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP4332 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 250 v 57A (TC) 10V 33mohm @ 35a, 10V 5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 30V 5860 pf @ 25 v - 360W (TC)
IRF8313PBF Infineon Technologies IRF8313PBF -
RFQ
ECAD 6927 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF8313 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 2 n 채널 (채널) 30V 9.7a 15.5mohm @ 9.7a, 10V 2.35V @ 25µA 90NC @ 4.5V 760pf @ 15V 논리 논리 게이트
ICD20V02X1SA1 Infineon Technologies ICD20V02X1SA1 -
RFQ
ECAD 4081 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000946698 쓸모없는 0000.00.0000 1
IRLR8503TRL Infineon Technologies IRLR8503TRL -
RFQ
ECAD 2045 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 44A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 20V 1650 pf @ 25 v - 62W (TC)
SPP21N50C3HKSA1 Infineon Technologies SPP21N50C3HKSA1 -
RFQ
ECAD 2699 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp21n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 560 v 21A (TC) 10V 190mohm @ 13.1a, 10V 3.9V @ 1mA 95 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 208W (TC)
IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon Technologies IPB160N04S4H1ATMA1 3.5800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IPB160 MOSFET (금속 (() PG-to263-7-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 160A (TC) 10V 1.6MOHM @ 100A, 10V 4V @ 110µA 137 NC @ 10 v ± 20V 10920 pf @ 25 v - 167W (TC)
IRF7555TRPBF Infineon Technologies IRF7555TRPBF -
RFQ
ECAD 2102 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) IRF7555 MOSFET (금속 (() 1.25W Micro8 ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.3A 55mohm @ 4.3a, 4.5v 1.2V @ 250µA 15NC @ 5V 1066pf @ 10v 논리 논리 게이트
IPB26CN10NGATMA1 Infineon Technologies IPB26CN10NGATMA1 -
RFQ
ECAD 9058 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB26C MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 35A (TC) 10V 26mohm @ 35a, 10V 4V @ 39µA 31 NC @ 10 v ± 20V 2070 pf @ 50 v - 71W (TC)
IPU09N03LA G Infineon Technologies IPU09N03LA g -
RFQ
ECAD 1988 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU09N MOSFET (금속 (() PG-to251-3-21 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 30a, 10V 2V @ 20µA 13 nc @ 5 v ± 20V 1642 pf @ 15 v - 63W (TC)
IPP60R600E6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R600E6XKSA1 -
RFQ
ECAD 4724 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 2.4a, 10V 3.5V @ 200µA 20.5 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 100 v - 63W (TC)
IPL65R130CFD7AUMA1 Infineon Technologies IPL65R130CFD7AUMA1 5.5200
RFQ
ECAD 3481 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-powertsfn MOSFET (금속 (() PG-VSON-4 다운로드 Rohs3 준수 2A (4 주) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 21A (TC) 10V 130mohm @ 8.5a, 10V 4.5V @ 420µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1694 pf @ 400 v - 127W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고