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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7451TR | - | ![]() | 6923 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 150 v | 3.6A (TA) | 10V | 90mohm @ 2.2a, 10V | 5.5V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | ± 30V | 990 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFB4215PBF | - | ![]() | 4684 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 115A (TC) | 10V | 9mohm @ 54a, 10V | 4V @ 250µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 4080 pf @ 25 v | - | 270W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB015N04NGATMA1 | 4.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB015 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 10V | 1.5mohm @ 100a, 10V | 4V @ 200µA | 250 nc @ 10 v | ± 20V | 20000 PF @ 20 v | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS4610 | - | ![]() | 9160 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFS4610 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 73A (TC) | 10V | 14mohm @ 44a, 10V | 4V @ 100µa | 140 NC @ 10 v | ± 20V | 3550 pf @ 50 v | - | 190W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPC60R520E6X1SA1 | - | ![]() | 2346 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | IPC60 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000841526 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISC230N10NM6ATMA1 | 0.4747 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | ISC230N | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8 FL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 100 v | 7.7A (TA), 31A (TC) | 8V, 10V | 23mohm @ 10a, 10V | 3.3V @ 13µA | 9.3 NC @ 10 v | ± 20V | 690 pf @ 50 v | - | 3W (TA), 48W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FT150R12KE3B5BOSA1 | - | ![]() | 3694 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | - | - | - | FT150 | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000083610 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFA210601F V4 | - | ![]() | 3356 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 | PTFA210601 | 2.14GHz | LDMOS | H-37265-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 80 | 10µA | 550 MA | 12W | 16db | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPP08N50C3XKSA1 | - | ![]() | 6305 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | spp08n | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 560 v | 7.6A (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 3.9V @ 350µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 750 pf @ 25 v | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPC60R075CPX1SA1 | - | ![]() | 6848 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | IPC60 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000926270 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS123L6433HTMA1 | - | ![]() | 8129 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 채널 | 100 v | 170ma (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 170ma, 10V | 1.8V @ 50µA | 2.67 NC @ 10 v | ± 20V | 69 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB156N22NFDATMA1 | 8.2400 | ![]() | 726 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ FD | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB156 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 220 v | 72A (TC) | 10V | 15.6mohm @ 50a, 10V | 4V @ 270µA | 87 NC @ 10 v | ± 20V | 6930 pf @ 110 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irlml2402trpbf | 0.4800 | ![]() | 173 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | IRLML2402 | MOSFET (금속 (() | Micro3 ™/SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 1.2A (TA) | 2.7V, 4.5V | 250mohm @ 930ma, 4.5v | 700mv @ 250µa (최소) | 3.9 NC @ 4.5 v | ± 12V | 110 pf @ 15 v | - | 540MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPW50R399CPFKSA1 | - | ![]() | 6122 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IPW50R | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | n 채널 | 560 v | 9A (TC) | 10V | 399mohm @ 4.9a, 10V | 3.5V @ 330µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 890 pf @ 100 v | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX56-16E6433 | 0.0800 | ![]() | 4908 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | 2 w | PG-SOT89-4-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 2v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR3711Z | - | ![]() | 7482 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFR3711Z | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 20 v | 93A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 15a, 10V | 2.45V @ 250µA | 27 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2160 pf @ 10 v | - | 79W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGP6630DPBF | - | ![]() | 2645 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 192 w | TO-247AC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001548332 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | 400V, 18A, 22OHM, 15V | 70 ns | - | 600 v | 47 a | 54 a | 1.95V @ 15V, 18A | 75µJ (on), 350µJ (OFF) | 30 NC | 40ns/95ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO201SPNTMA1 | - | ![]() | 8940 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | PG-DSO-8 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 20 v | 14.9A (TA) | 2.5V, 4.5V | 8mohm @ 14.9a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 128 NC @ 4.5 v | ± 12V | 5962 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMYH200R050M1HXKSA1 | 54.4000 | ![]() | 195 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolsic ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | IMYH200 | sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) | PG-to247-4-U04 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | n 채널 | 2000 v | 48A (TC) | 15V, 18V | 64mohm @ 20a, 18V | 5.5V @ 12.1ma | 82 NC @ 18 v | +20V, -7V | - | 348W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS138NL6327HTSA1 | - | ![]() | 4450 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 230MA (TA) | 4.5V, 10V | 3.5ohm @ 230ma, 10V | 1.4V @ 250µA | 1.4 NC @ 10 v | ± 20V | 41 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR3706PBF | - | ![]() | 1172 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001555072 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 20 v | 75A (TC) | 2.8V, 10V | 9mohm @ 15a, 10V | 2V @ 250µA | 35 NC @ 4.5 v | ± 12V | 2410 pf @ 10 v | - | 88W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7240TRPBF | 1.8100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF7240 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 40 v | 10.5A (TA) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 10.5a, 10V | 3V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 9250 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD70P04P409ATMA2 | 1.8200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos®-P2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD70 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-313 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 73A (TC) | 8.9mohm @ 70a, 10V | 4V @ 120µA | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 4810 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP80N06S2L09AKSA1 | - | ![]() | 3897 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP80N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 52a, 10V | 2V @ 125µA | 105 NC @ 10 v | ± 20V | 2620 pf @ 25 v | - | 190W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
IPI90R500C3XKSA1 | - | ![]() | 1221 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI90R | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 900 v | 11A (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 3.5V @ 740µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 1700 pf @ 100 v | - | 156W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB407N30NATMA1 | 10.0800 | ![]() | 463 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB407 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 300 v | 44A (TC) | 10V | 40.7mohm @ 44a, 10V | 4V @ 270µA | 87 NC @ 10 v | ± 20V | 7180 pf @ 100 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
IPI80N06S3L-08 | - | ![]() | 7403 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI80N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 5V, 10V | 7.9mohm @ 43a, 10V | 2.2V @ 55µA | 134 NC @ 10 v | ± 16V | 6475 pf @ 25 v | - | 105W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP150R12KT4BPSA1 | 388.9400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Econopim ™ 3 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FP150R12 | 3 정류기 정류기 브리지 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 150 a | 2.1V @ 15V, 150A | 1 MA | 예 | 9.35 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 94-2355pbf | - | ![]() | 3475 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 50 | - | 4V, 10V | ± 16V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSZ068N06NSATMA1 | 1.3200 | ![]() | 7562 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSZ068 | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-8-FL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 40A (TC) | 6V, 10V | 6.8mohm @ 20a, 10V | 3.3V @ 20µA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | 1500 pf @ 30 v | - | 2.1W (TA), 46W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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