SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
IRF7451TR Infineon Technologies IRF7451TR -
RFQ
ECAD 6923 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 150 v 3.6A (TA) 10V 90mohm @ 2.2a, 10V 5.5V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 30V 990 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
IRFB4215PBF Infineon Technologies IRFB4215PBF -
RFQ
ECAD 4684 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 115A (TC) 10V 9mohm @ 54a, 10V 4V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 4080 pf @ 25 v - 270W (TC)
IPB015N04NGATMA1 Infineon Technologies IPB015N04NGATMA1 4.5100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB015 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 1.5mohm @ 100a, 10V 4V @ 200µA 250 nc @ 10 v ± 20V 20000 PF @ 20 v - 250W (TC)
IRFS4610 Infineon Technologies IRFS4610 -
RFQ
ECAD 9160 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFS4610 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 73A (TC) 10V 14mohm @ 44a, 10V 4V @ 100µa 140 NC @ 10 v ± 20V 3550 pf @ 50 v - 190W (TC)
IPC60R520E6X1SA1 Infineon Technologies IPC60R520E6X1SA1 -
RFQ
ECAD 2346 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 IPC60 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000841526 0000.00.0000 1 -
ISC230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies ISC230N10NM6ATMA1 0.4747
RFQ
ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn ISC230N MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 7.7A (TA), 31A (TC) 8V, 10V 23mohm @ 10a, 10V 3.3V @ 13µA 9.3 NC @ 10 v ± 20V 690 pf @ 50 v - 3W (TA), 48W (TC)
FT150R12KE3B5BOSA1 Infineon Technologies FT150R12KE3B5BOSA1 -
RFQ
ECAD 3694 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 - - - FT150 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000083610 귀 99 8541.29.0095 1 - - -
PTFA210601F V4 Infineon Technologies PTFA210601F V4 -
RFQ
ECAD 3356 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 PTFA210601 2.14GHz LDMOS H-37265-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 80 10µA 550 MA 12W 16db - 28 v
SPP08N50C3XKSA1 Infineon Technologies SPP08N50C3XKSA1 -
RFQ
ECAD 6305 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp08n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 560 v 7.6A (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 350µA 32 NC @ 10 v ± 20V 750 pf @ 25 v - 83W (TC)
IPC60R075CPX1SA1 Infineon Technologies IPC60R075CPX1SA1 -
RFQ
ECAD 6848 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 IPC60 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000926270 0000.00.0000 1 -
BSS123L6433HTMA1 Infineon Technologies BSS123L6433HTMA1 -
RFQ
ECAD 8129 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 100 v 170ma (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 170ma, 10V 1.8V @ 50µA 2.67 NC @ 10 v ± 20V 69 pf @ 25 v - 360MW (TA)
IPB156N22NFDATMA1 Infineon Technologies IPB156N22NFDATMA1 8.2400
RFQ
ECAD 726 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ FD 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB156 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 220 v 72A (TC) 10V 15.6mohm @ 50a, 10V 4V @ 270µA 87 NC @ 10 v ± 20V 6930 pf @ 110 v - 300W (TC)
IRLML2402TRPBF Infineon Technologies irlml2402trpbf 0.4800
RFQ
ECAD 173 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 IRLML2402 MOSFET (금속 (() Micro3 ™/SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1.2A (TA) 2.7V, 4.5V 250mohm @ 930ma, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 3.9 NC @ 4.5 v ± 12V 110 pf @ 15 v - 540MW (TA)
IPW50R399CPFKSA1 Infineon Technologies IPW50R399CPFKSA1 -
RFQ
ECAD 6122 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW50R MOSFET (금속 (() PG-to247-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 560 v 9A (TC) 10V 399mohm @ 4.9a, 10V 3.5V @ 330µA 23 nc @ 10 v ± 20V 890 pf @ 100 v - 83W (TC)
BCX56-16E6433 Infineon Technologies BCX56-16E6433 0.0800
RFQ
ECAD 4908 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2 w PG-SOT89-4-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 100MHz
IRFR3711Z Infineon Technologies IRFR3711Z -
RFQ
ECAD 7482 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR3711Z 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 20 v 93A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 15a, 10V 2.45V @ 250µA 27 NC @ 4.5 v ± 20V 2160 pf @ 10 v - 79W (TC)
IRGP6630DPBF Infineon Technologies IRGP6630DPBF -
RFQ
ECAD 2645 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 192 w TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001548332 귀 99 8541.29.0095 400 400V, 18A, 22OHM, 15V 70 ns - 600 v 47 a 54 a 1.95V @ 15V, 18A 75µJ (on), 350µJ (OFF) 30 NC 40ns/95ns
BSO201SPNTMA1 Infineon Technologies BSO201SPNTMA1 -
RFQ
ECAD 8940 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() PG-DSO-8 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 14.9A (TA) 2.5V, 4.5V 8mohm @ 14.9a, 4.5v 1.2V @ 250µA 128 NC @ 4.5 v ± 12V 5962 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IMYH200R050M1HXKSA1 Infineon Technologies IMYH200R050M1HXKSA1 54.4000
RFQ
ECAD 195 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IMYH200 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) PG-to247-4-U04 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 2000 v 48A (TC) 15V, 18V 64mohm @ 20a, 18V 5.5V @ 12.1ma 82 NC @ 18 v +20V, -7V - 348W (TC)
BSS138NL6327HTSA1 Infineon Technologies BSS138NL6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 4450 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 230MA (TA) 4.5V, 10V 3.5ohm @ 230ma, 10V 1.4V @ 250µA 1.4 NC @ 10 v ± 20V 41 pf @ 25 v - 360MW (TA)
IRFR3706PBF Infineon Technologies IRFR3706PBF -
RFQ
ECAD 1172 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001555072 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 20 v 75A (TC) 2.8V, 10V 9mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA 35 NC @ 4.5 v ± 12V 2410 pf @ 10 v - 88W (TC)
IRF7240TRPBF Infineon Technologies IRF7240TRPBF 1.8100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7240 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 40 v 10.5A (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 10.5a, 10V 3V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 9250 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
IPD70P04P409ATMA2 Infineon Technologies IPD70P04P409ATMA2 1.8200
RFQ
ECAD 12 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos®-P2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD70 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 73A (TC) 8.9mohm @ 70a, 10V 4V @ 120µA 70 nc @ 10 v ± 20V 4810 pf @ 25 v - 75W (TC)
IPP80N06S2L09AKSA1 Infineon Technologies IPP80N06S2L09AKSA1 -
RFQ
ECAD 3897 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 80A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 52a, 10V 2V @ 125µA 105 NC @ 10 v ± 20V 2620 pf @ 25 v - 190W (TC)
IPI90R500C3XKSA1 Infineon Technologies IPI90R500C3XKSA1 -
RFQ
ECAD 1221 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI90R MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 900 v 11A (TC) 10V 500mohm @ 6.6a, 10V 3.5V @ 740µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 100 v - 156W (TC)
IPB407N30NATMA1 Infineon Technologies IPB407N30NATMA1 10.0800
RFQ
ECAD 463 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB407 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 300 v 44A (TC) 10V 40.7mohm @ 44a, 10V 4V @ 270µA 87 NC @ 10 v ± 20V 7180 pf @ 100 v - 300W (TC)
IPI80N06S3L-08 Infineon Technologies IPI80N06S3L-08 -
RFQ
ECAD 7403 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI80N MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 80A (TC) 5V, 10V 7.9mohm @ 43a, 10V 2.2V @ 55µA 134 NC @ 10 v ± 16V 6475 pf @ 25 v - 105W (TC)
FP150R12KT4BPSA1 Infineon Technologies FP150R12KT4BPSA1 388.9400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Econopim ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FP150R12 3 정류기 정류기 브리지 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 150 a 2.1V @ 15V, 150A 1 MA 9.35 NF @ 25 v
94-2355PBF Infineon Technologies 94-2355pbf -
RFQ
ECAD 3475 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 50 - 4V, 10V ± 16V
BSZ068N06NSATMA1 Infineon Technologies BSZ068N06NSATMA1 1.3200
RFQ
ECAD 7562 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ068 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8-FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 40A (TC) 6V, 10V 6.8mohm @ 20a, 10V 3.3V @ 20µA 21 NC @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 30 v - 2.1W (TA), 46W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고