SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
SPD07N60C3ATMA1 Infineon Technologies SPD07N60C3ATMA1 2.7500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SPD07N60 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 350µA 27 NC @ 10 v ± 20V 790 pf @ 25 v - 83W (TC)
IRG4BC30UDPBF Infineon Technologies irg4bc30udpbf -
RFQ
ECAD 2770 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 100 W. TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 480v, 12a, 23ohm, 15v 42 ns - 600 v 23 a 92 a 2.1V @ 15V, 12a 380µJ (ON), 160µJ (OFF) 50 NC 40ns/91ns
BSP129L6327HTSA1 Infineon Technologies BSP129L6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 6906 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 240 v 350MA (TA) 0V, 10V 6ohm @ 350ma, 10V 1V @ 108µA 5.7 NC @ 5 v ± 20V 108 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.8W (TA)
FF600R12KE7EHPSA1 Infineon Technologies FF600R12KE7EHPSA1 310.8200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF600R12 기준 Ag-62mmhb - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하프 하프 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 600 a 1.75V @ 15V, 600A 100 µa 아니요 92.3 NF @ 25 v
BFP620E7764BTSA1 Infineon Technologies BFP620E7764BTSA1 -
RFQ
ECAD 8970 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 BFP620 185MW PG-SOT343-3D 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 21.5dB 2.8V 80ma NPN 110 @ 50MA, 1.5V 65GHz 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
BC858AE6327HTSA1 Infineon Technologies BC858AE6327HTSA1 0.0489
RFQ
ECAD 4305 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 250MHz
BSC025N03MSG Infineon Technologies BSC025N03MSG 1.0000
RFQ
ECAD 3642 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 23A (TA), 147A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 30a, 10V 2V @ 250µA 98 NC @ 10 v ± 20V 7600 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 83W (TC)
BFP 196R E6327 Infineon Technologies BFP 196R E6327 -
RFQ
ECAD 1084 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BFP 196 700MW PG-SOT-143-3D 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 10.5dB ~ 16.5dB 12V 150ma NPN 70 @ 50MA, 8V 7.5GHz 1.3dB ~ 2.3db @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPP65R110CFDXKSA1 Infineon Technologies IPP65R110CFDXKSA1 4.4517
RFQ
ECAD 3842 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP65R110 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 700 v 31.2A (TC) 10V 110mohm @ 12.7a, 10V 4.5V @ 1.3ma 118 NC @ 10 v ± 20V 3240 pf @ 100 v - 277.8W (TC)
F3L225R07W2H3PB63BPSA1 Infineon Technologies F3L225R07W2H3PB63BPSA1 102.7100
RFQ
ECAD 5533 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 F3L225 20 MW 기준 Ag-Easy2b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 18 단일 단일 - 650 v 225 a 1.75V @ 15V, 85A 1 MA 14 nf @ 25 v
BFP 540F E6327 Infineon Technologies BFP 540F E6327 -
RFQ
ECAD 9194 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 리드 BFP 540 250MW 4-TSFP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20dB 5V 80ma NPN 50 @ 20MA, 3.5V 30GHz 0.9dB ~ 1.4db @ 1.8GHz
IPS050N03LG Infineon Technologies IPS050N03LG 0.2300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Optimos® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 3200 pf @ 15 v - 68W (TC)
IRF1404ZSPBF Infineon Technologies IRF1404ZSPBF -
RFQ
ECAD 3745 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 180A (TC) 10V 3.7mohm @ 75a, 10V 4V @ 150µA 150 nc @ 10 v ± 20V 4340 pf @ 25 v - 200W (TC)
BFR 182W E6327 Infineon Technologies BFR 182W E6327 -
RFQ
ECAD 8086 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BFR 182 250MW PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 19db 12V 35MA NPN 70 @ 10ma, 8v 8GHz 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
BSC029N025SG Infineon Technologies BSC029N025SG 0.8100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 25 v 24A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 2.9mohm @ 50a, 10V 2V @ 80µa 41 NC @ 5 v ± 20V 5090 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 78W (TC)
IRFR7446PBF Infineon Technologies IRFR7446PBF -
RFQ
ECAD 5015 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001576132 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 40 v 56A (TC) 6V, 10V 3.9mohm @ 56a, 10V 3.9V @ 100µA 130 NC @ 10 v ± 20V 3150 pf @ 25 v - 98W (TC)
BCR183SE6433BTMA1 Infineon Technologies BCR183SE6433BTMA1 -
RFQ
ECAD 8783 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR183 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50V 100ma - 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
BSS83PL6327HTSA1 Infineon Technologies BSS83PL6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 8332 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS83 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 330ma (TA) 4.5V, 10V 2ohm @ 330ma, 10V 2V @ 80µa 3.57 NC @ 10 v ± 20V 78 pf @ 25 v - 360MW (TA)
FZ1500R33HL3NPSA1 Infineon Technologies FZ1500R33HL3NPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 40 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-FZ1500R33HL3NPSA1-448 1
ICA21V01X1SA1 Infineon Technologies ICA21V01X1SA1 -
RFQ
ECAD 8672 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001035636 쓸모없는 0000.00.0000 1
BCR 116S E6727 Infineon Technologies BCR 116S E6727 -
RFQ
ECAD 6152 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR 116 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma - 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 150MHz 4.7kohms 47kohms
BSC067N06LS3GATMA1 Infineon Technologies BSC067N06LS3GATMA1 1.6600
RFQ
ECAD 7233 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC067 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 15A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 50a, 10V 2.2V @ 35µA 67 NC @ 10 v ± 20V 5100 pf @ 30 v - 2.5W (TA), 69W (TC)
BC 847BT E6327 Infineon Technologies BC 847BT E6327 -
RFQ
ECAD 2507 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 330 MW PG-SC-75 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IRLS3034PBF Infineon Technologies IRLS3034PBF -
RFQ
ECAD 3303 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 195a (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 195a, 10V 2.5V @ 250µA 162 NC @ 4.5 v ± 20V 10315 pf @ 25 v - 375W (TC)
IPUH6N03LA G Infineon Technologies ipuh6n03la g -
RFQ
ECAD 5717 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA ipuh6n MOSFET (금속 (() P-to251-3-1 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 6.2mohm @ 50a, 10V 2V @ 30µA 19 NC @ 5 v ± 20V 2390 pf @ 15 v - 71W (TC)
BCP49E6327HTSA1 Infineon Technologies BCP49E6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 3038 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP49 1.5 w PG-SOT223-4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 200MHz
IPB60R099C7ATMA1 Infineon Technologies IPB60R099C7ATMA1 6.2800
RFQ
ECAD 5932 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB60R099 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 22A (TC) 10V 99mohm @ 9.7a, 10V 4V @ 490µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1819 pf @ 400 v - 110W (TC)
IRF1104LPBF Infineon Technologies IRF1104LPBF 0.4700
RFQ
ECAD 9745 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 100A (TC) 9mohm @ 60a, 10V 4V @ 250µA 93 NC @ 10 v 2900 pf @ 25 v -
IRF7457PBF Infineon Technologies IRF7457PBF -
RFQ
ECAD 8610 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001570360 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 20 v 15A (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 42 NC @ 4.5 v ± 20V 3100 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
BFG 193 E6433 Infineon Technologies BFG 193 E6433 -
RFQ
ECAD 1768 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BFG 193 600MW PG-SOT223-4 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 10.5dB ~ 16dB 12V 80ma NPN 70 @ 30MA, 8V 8GHz 1db ~ 1.6db @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고