SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BSO200P03SHXUMA1 Infineon Technologies BSO200P03SHXUMA1 0.5126
RFQ
ECAD 9183 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) BSO200 MOSFET (금속 (() PG-DSO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 7.4A (TA) 10V 20mohm @ 9.1a, 10V 1.5V @ 100µa 54 NC @ 10 v ± 25V 2330 pf @ 25 v - 1.56W (TA)
DDB6U180N16RRB11BPSA1 Infineon Technologies DDB6U180N16RRB11BPSA1 -
RFQ
ECAD 2085 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 2 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 DDB6U180 515 w 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 독립 트렌치 트렌치 정지 1200 v 140 a 2.2V @ 15V, 100A 1 MA 아니요 6.3 NF @ 25 v
SPP80N06S2L-11 Infineon Technologies SPP80N06S2L-11 -
RFQ
ECAD 5782 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp80n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 80A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 40a, 10V 2V @ 93µA 80 nc @ 10 v ± 20V 2650 pf @ 25 v - 158W (TC)
IRL100HS121 Infineon Technologies IRL100HS121 1.2400
RFQ
ECAD 2058 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-powervdfn IRL100 MOSFET (금속 (() 6-pqfn n (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 11A (TC) 4.5V, 10V 42mohm @ 6.7a, 10V 2.3V @ 10µA 5.6 NC @ 4.5 v ± 20V 440 pf @ 50 v - 11.5W (TC)
IRL2203NPBF-INF Infineon Technologies irl2203npbf-inf 1.0000
RFQ
ECAD 2638 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 30 v 116A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 60a, 10V 1V @ 250µA 60 nc @ 4.5 v ± 16V 3290 pf @ 25 v - 180W (TC)
IPB80P04P407ATMA1 Infineon Technologies IPB80P04P407ATMA1 -
RFQ
ECAD 2393 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80p MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 40 v 80A (TC) 10V 7.4mohm @ 80a, 10V 4V @ 150µA 89 NC @ 10 v ± 20V 6085 pf @ 25 v - 88W (TC)
BCP52-16 Infineon Technologies BCP52-16 0.0400
RFQ
ECAD 7597 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.4 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0075 1,128 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 50MHz
IPI80N04S2-04 Infineon Technologies IPI80N04S2-04 1.0700
RFQ
ECAD 296 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 296 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 3.7mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 5300 pf @ 25 v - 300W (TC)
AUIRLS3034-7TRL Infineon Technologies auirls3034-7trl 4.0351
RFQ
ECAD 7408 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA auirls3034 MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001519894 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 240A (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 200a, 10V 2.5V @ 250µA 180 NC @ 4.5 v ± 20V 10990 pf @ 40 v - 380W (TC)
IRF7811AVPBF Infineon Technologies IRF7811AVPBF -
RFQ
ECAD 6152 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 10.8A (TA) 4.5V 14mohm @ 15a, 4.5v 3V @ 250µA 26 NC @ 5 v ± 20V 1801 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies BSP125H6433XTMA1 0.9000
RFQ
ECAD 12 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BSP125 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 600 v 120MA (TA) 4.5V, 10V 2.3V @ 94µA 6.6 NC @ 10 v ± 20V 150 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
SIGC15T60EX1SA1 Infineon Technologies SIGC15T60EX1SA1 -
RFQ
ECAD 7806 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC15 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 - 트렌치 트렌치 정지 600 v 30 a 90 a 1.9V @ 15V, 30A - -
IRF6644TR1PBF Infineon Technologies IRF6644TR1PBF -
RFQ
ECAD 8973 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Mn MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Mn 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 10.3A (TA), 60A (TC) 10V 13mohm @ 10.3a, 10V 4.8V @ 150µA 47 NC @ 10 v ± 20V 2210 pf @ 25 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRF9Z34NL Infineon Technologies IRF9Z34NL -
RFQ
ECAD 8279 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9Z34NL 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 55 v 19A (TC) 10V 100mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 620 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 68W (TC)
BC817K-16 Infineon Technologies BC817K-16 -
RFQ
ECAD 7309 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 500MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 170MHz
PTVA123501FCV1XWSA1 Infineon Technologies PTVA123501FCV1XWSA1 -
RFQ
ECAD 4901 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 105 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 1.2GHz ~ 1.4GHz LDMOS H-37248-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001145562 귀 99 8541.29.0095 50 이중 10µA 350W 17dB -
IRGS4630DPBF Infineon Technologies IRGS4630DPBF -
RFQ
ECAD 2681 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 206 w D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 18A, 22OHM, 15V 100 ns - 600 v 47 a 54 a 1.95V @ 15V, 18A 95µJ (on), 350µJ (OFF) 35 NC 40ns/105ns
SPI20N60CFDHKSA1 Infineon Technologies SPI20N60CFDHKSA1 -
RFQ
ECAD 3820 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA spi20n MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 20.7A (TC) 10V 220mohm @ 13.1a, 10V 5V @ 1MA 124 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 208W (TC)
IPG16N10S4L61AATMA1 Infineon Technologies IPG16N10S4L61AATMA1 1.1200
RFQ
ECAD 5670 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn IPG16N10 MOSFET (금속 (() 29W PG-TDSON-8-10 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 100V 16A 61mohm @ 16a, 10V 2.1V @ 90µA 11nc @ 10V 845pf @ 25v 논리 논리 게이트
IPB10N03LB G Infineon Technologies IPB10N03LB g -
RFQ
ECAD 1529 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB10N MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 9.6mohm @ 50a, 10V 2V @ 20µA 13 nc @ 5 v ± 20V 1639 pf @ 15 v - 58W (TC)
IRGR4610DTRPBF Infineon Technologies irgr4610dtrpbf -
RFQ
ECAD 1054 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 기준 77 w PG-to252-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 400V, 6A, 47ohm, 15V 74 ns - 600 v 16 a 18 a 2V @ 15V, 6A 56µJ (on), 122µJ (OFF) 13 NC 27ns/75ns
SKW30N60FKSA1 Infineon Technologies skw30n60fksa1 7.4959
RFQ
ECAD 5174 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 skw30n 기준 250 W. PG-to247-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 11ohm, 15V 400 ns NPT 600 v 41 a 112 a 2.4V @ 15V, 30A 1.29mj 140 NC 44ns/291ns
SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies SPD02N80C3ATMA1 1.5300
RFQ
ECAD 1513 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SPD02N80 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 800 v 2A (TC) 10V 2.7ohm @ 1.2a, 10V 3.9V @ 120µA 16 nc @ 10 v ± 20V 290 pf @ 100 v - 42W (TC)
FF650R17IE4DB2BOSA1 Infineon Technologies FF650R17IE4DB2BOSA1 597.4400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Primepack ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF650R17 4150 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3 2 독립 - 1700 v 2.45V @ 15V, 650A 5 MA 54 NF @ 25 v
IKD10N60RF Infineon Technologies ikd10n60rf -
RFQ
ECAD 4626 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 기준 150 W. PG-to252-3-313 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 400V, 10A, 26OHM, 15V 72 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 20 a 30 a 2.5V @ 15V, 10A 190µJ (on), 160µJ (OFF) 64 NC 12ns/168ns
2ED300C17STROHSBPSA1 Infineon Technologies 2ED300C17STROHSBPSA1 188.1400
RFQ
ECAD 9443 0.00000000 인피온 인피온 EICEDRIVER ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 기준 기준 2ed300 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8543.70.9860 12 2 독립 - 1700 v - 아니요
IGZ50N65H5XKSA1 Infineon Technologies IGZ50N65H5XKSA1 4.5858
RFQ
ECAD 3918 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 5 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IGZ50N65 기준 273 w PG-to247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 400V, 25A, 12ohm, 15V 도랑 650 v 85 a 200a 2.1V @ 15V, 50A 410µJ (on), 190µJ (OFF) 109 NC 20ns/250ns
IRG7U100HF12B Infineon Technologies IRG7U100HF12B -
RFQ
ECAD 5276 0.00000000 인피온 인피온 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Powir® 62 2 irg7U 580 W. 기준 Powir® 62 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 반 반 - 1200 v 200a 2V @ 15V, 100A 1 MA 아니요 12.5 nf @ 25 v
IRFR2405TRL Infineon Technologies irfr2405trl -
RFQ
ECAD 5090 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR2405 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 56A (TC) 10V 16mohm @ 34a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2430 pf @ 25 v - 110W (TC)
DDB6U50N16W1RPBPSA1 Infineon Technologies DDB6U50N16W1RPBPSA1 67.0000
RFQ
ECAD 7042 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 DDB6U50 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Easy1b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 단일 단일 트렌치 트렌치 정지 1200 v 50 a 1.5V @ 15V, 50A 6.2 µA 아니요 11.1 NF @ 25 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고