SIC
close

트랜지스터 (13833)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
AUIRLR120NTRL Infineon Technologies auirlr120ntrl 2.0900
RFQ
 ECAD 737 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 auirlr120 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 10A (TC) 4V, 10V 185mohm @ 6a, 10V 2V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 16V 440 pf @ 25 v - 48W (TC)
IAUC60N04S6N031HATMA1 Infineon Technologies IAUC60N04S6N031HATMA1 2.5900
RFQ
 ECAD 5217 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IAUC60 MOSFET (금속 (() 75W (TC) PG-TDSON-8-56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널 교량) 40V 60A (TJ) 3.1mohm @ 30a, 10V 3V @ 25µA 30NC @ 10V 1922pf @ 25v -
IRFR024NTRRPBF Infineon Technologies IRFR024NTRRPBF -
RFQ
 ECAD 1976 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001554980 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 17A (TC) 10V 75mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 370 pf @ 25 v - 45W (TC)
BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSP315PH6327XTSA1 0.9600
RFQ
 ECAD 3400 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BSP315 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 1.17A (TA) 4.5V, 10V 800mohm @ 1.17a, 10V 2V @ 160µA 7.8 NC @ 10 v ± 20V 160 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
F3L400R07W3S5B59BPSA1 Infineon Technologies F3L400R07W3S5B59BPSA1 176.3000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 F3L400 20 MW 기준 Ag-Easy3b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 8 3 레벨 인버터 트렌치 트렌치 정지 650 v 255 a 1.13V @ 15V, 100A 19 µA 예 14.3 NF @ 25 v
IKD04N60R Infineon Technologies IKD04N60R -
RFQ
 ECAD 2732 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IKD04N 기준 75 w PG-to252-3-11 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400V, 4A, 43OHM, 15V 43 ns 도랑 600 v 8 a 12 a 2.1V @ 15V, 4A 240µJ 27 NC 14ns/146ns
IPB80N08S2L07ATMA1 Infineon Technologies IPB80N08S2L07ATMA1 4.8900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 75 v 80A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 80a, 10V 2V @ 250µA 233 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRF6717MTR1PBF Infineon Technologies IRF6717MTR1PBF -
RFQ
 ECAD 7820 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 25 v 38A (TA), 200a (TC) 4.5V, 10V 1.25mohm @ 38a, 10V 2.35V @ 150µA 69 NC @ 4.5 v ± 20V 6750 pf @ 13 v - 2.8W (TA), 96W (TC)
FZ400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies Fz400R12KE3HOSA1 146.4500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FZ400R12 2250 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 - 1200 v 650 a 2.15V @ 15V, 400A 5 MA 아니요 28 nf @ 25 v
AUIRL7736M2TR Infineon Technologies auirl7736m2tr 3.5700
RFQ
 ECAD 8316 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 M4 auirl7736 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ ™ 메트릭 M4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 40 v 179a (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 67A, 10V 2.5V @ 150µA 78 NC @ 4.5 v ± 16V 5055 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 63W (TC)
IGLD60R190D1AUMA1 Infineon Technologies IgLD60R190D1AUMA1 -
RFQ
 ECAD 9890 0.00000000 인피온 인피온 Coolgan ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-ldfn n 패드 igld60 MOSFET (금속 (() PG-LSON-8-1 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 10A (TC) - - 1.6V @ 960µa -10V 157 pf @ 400 v - 62.5W (TC)
IPB530N15N3GATMA1 Infineon Technologies IPB530N15N3GATMA1 1.8100
RFQ
 ECAD 726 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB530 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 150 v 21A (TC) 8V, 10V 53mohm @ 18a, 10V 4V @ 35µA 12 nc @ 10 v ± 20V 887 pf @ 75 v - 68W (TC)
64-2092PBF Infineon Technologies 64-2092pbf -
RFQ
 ECAD 3805 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF3205 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 6.5mohm @ 66a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 3450 pf @ 25 v - 170W (TC)
FF200R17KE3S4HOSA1 Infineon Technologies FF200R17KE3S4HOSA1 179.1000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF200R17 1250 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하프 하프 인버터 트렌치 트렌치 정지 1700 v 310 a 2.45V @ 15V, 200a 3 MA 아니요 18 nf @ 25 v
IRL3303SPBF Infineon Technologies irl3303spbf -
RFQ
 ECAD 2406 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 38A (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 20a, 10V 1V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 16V 870 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 68W (TC)
IRFH8325TRPBF Infineon Technologies IRFH8325TRPBF 0.6300
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IRFH8325 MOSFET (금속 (() PQFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 21A (TA), 82A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 20A, 10V 2.35V @ 50µA 32 NC @ 10 v ± 20V 2487 pf @ 10 v - 3.6W (TA), 54W (TC)
IRF7807VD1TRPBF Infineon Technologies IRF7807VD1TRPBF -
RFQ
 ECAD 1120 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 8.3A (TA) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5v 3V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V Schottky 분리 (다이오드) 2.5W (TA)
AUIRLR014N Infineon Technologies auirlr014n -
RFQ
 ECAD 9768 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001518258 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 10A (TC) 4.5V, 10V 140mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 7.9 NC @ 5 v ± 16V 265 pf @ 25 v - 28W (TC)
FS150R12N2T7B15BPSA1 Infineon Technologies FS150R12N2T7B15BPSA1 233.9900
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS150R12 20 MW 기준 Ag-Econo2b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 전체 전체 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 150 a 1.8V @ 15V, 150A 12 µA 예 30.1 NF @ 25 v
IRFZ44VZS Infineon Technologies IRFZ44VZS -
RFQ
 ECAD 5183 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ44VZS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 57A (TC) 10V 12MOHM @ 34A, 10V 4V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 20V 1690 pf @ 25 v - 92W (TC)
IPB14N03LA Infineon Technologies IPB14N03LA -
RFQ
 ECAD 2389 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB14N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 25 v 30A (TC) 4.5V, 10V 13.6MOHM @ 30A, 10V 2V @ 20µA 8.3 NC @ 5 v ± 20V 1043 pf @ 15 v - 46W (TC)
IRF540ZLPBF Infineon Technologies IRF540ZLPBF 1.6000
RFQ
 ECAD 863 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF540 MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 36A (TC) 10V 26.5mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1770 pf @ 25 v - 92W (TC)
BCR129WE6327HTSA1 Infineon Technologies BCR129WE6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 1608 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 BCR129 250 MW PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 120 @ 5MA, 5V 150MHz 10 KOHMS
SIPC07N50C3X1SA1 Infineon Technologies SIPC07N50C3X1SA1 -
RFQ
 ECAD 1632 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 SIPC07 - Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 SP000957000 0000.00.0000 1 -
IRFR3303TRR Infineon Technologies irfr3303trr -
RFQ
 ECAD 4302 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 33A (TC) 10V 31mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 750 pf @ 25 v - 57W (TC)
BSS169IXTSA1 Infineon Technologies BSS169IXTSA1 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() PG-SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 190ma (TA) 0V, 10V 2.9ohm @ 190ma, 10V 1.8V @ 50µA 2.1 NC @ 7 v ± 20V 51 pf @ 25 v - 360MW (TA)
BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies BSZ070N08LS5ATMA1 1.6400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ070 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8-FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 80 v 40A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 36µA 5 nc @ 4.5 v ± 20V 2340 pf @ 40 v 기준 69W (TC)
BFP540E6327BTSA1 Infineon Technologies BFP540E6327BTSA1 -
RFQ
 ECAD 9855 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 BFP540 250MW PG-SOT343-3D 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 21.5dB 5V 80ma NPN 50 @ 20MA, 3.5V 30GHz 0.9dB ~ 1.4db @ 1.8GHz
IRFR4105ZTR Infineon Technologies irfr4105ztr -
RFQ
 ECAD 8654 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 55 v 30A (TC) 10V 24.5mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 740 pf @ 25 v - 48W (TC)
PTFA092213ELV4R0XTMA1 Infineon Technologies PTFA092213ELV4R0XTMA1 -
RFQ
 ECAD 7540 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 30 v - 920MHz ~ 960MHz MOSFET - 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001422962 귀 99 8541.29.0075 50 n 채널 - 220W 17.5dB -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다