SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1)
BCR 199L3 E6327 Infineon Technologies BCR 199L3 E6327 -
RFQ
ECAD 9955 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-101, SOT-883 BCR 199 250 MW PG-TSLP-3-4 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 15,000 50 v 70 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 120 @ 5MA, 5V 200MHz 47 Kohms
IRF7413Z Infineon Technologies IRF7413Z -
RFQ
ECAD 4520 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF7413Z 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 13A (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 13a, 10V 2.25V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1210 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPB025N10N3GATMA1 7.2200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IPB025 MOSFET (금속 (() PG-to263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 180A (TC) 6V, 10V 2.5mohm @ 100a, 10V 3.5V @ 275µA 206 NC @ 10 v ± 20V 14800 pf @ 50 v - 300W (TC)
IPP023NE7N3G Infineon Technologies IPP023NE7N3G -
RFQ
ECAD 1271 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP023N MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 SP000938080 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 75 v 120A (TC) 10V 2.3mohm @ 100a, 10V 3.8V @ 273µA 206 NC @ 10 v ± 20V 14400 pf @ 37.5 v - 300W (TC)
IPT210N25NFDATMA1 Infineon Technologies IPT210N25NFDATMA1 10.1200
RFQ
ECAD 9642 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn IPT210 MOSFET (금속 (() PG-HSOF-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 250 v 69A (TC) 10V 21mohm @ 69a, 10V 4V @ 267µA 86 NC @ 10 v ± 20V 7000 pf @ 125 v - 375W (TC)
BC857CWE6327BTSA1 Infineon Technologies BC857CWE6327BTSA1 -
RFQ
ECAD 8852 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 250 MW PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 250MHz
BSO080P03NS3EGXUMA1 Infineon Technologies BSO080P03NS3EGXUMA1 -
RFQ
ECAD 7772 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() PG-DSO-8 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 12A (TA) 6V, 10V 8mohm @ 14.8a, 10V 3.1V @ 150µA 81 NC @ 10 v ± 25V 6750 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
IRFR3706TRLPBF Infineon Technologies irfr3706trlpbf -
RFQ
ECAD 6552 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001575942 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 75A (TC) 2.8V, 10V 9mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA 35 NC @ 4.5 v ± 12V 2410 pf @ 10 v - 88W (TC)
BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies BSC022N04LSATMA1 1.6300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC022 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 20 v - 2.5W (TA), 69W (TC)
IRL3303S Infineon Technologies IRL3303S -
RFQ
ECAD 8194 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3303S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 38A (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 20a, 10V 1V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 16V 870 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 68W (TC)
IRF7820TRPBF Infineon Technologies IRF7820TRPBF 1.5400
RFQ
ECAD 6272 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7820 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 200 v 3.7A (TA) 10V 78mohm @ 2.2a, 10V 5V @ 100µa 44 NC @ 10 v ± 20V 1750 pf @ 100 v - 2.5W (TA)
IRF7752 Infineon Technologies IRF7752 -
RFQ
ECAD 3236 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) IRF775 MOSFET (금속 (() 1W 8-tssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 2 n 채널 (채널) 30V 4.6a 30mohm @ 4.6a, 10V 2V @ 250µA 9NC @ 4.5V 861pf @ 25v 논리 논리 게이트
IRLML2402TRPBF Infineon Technologies irlml2402trpbf 0.4800
RFQ
ECAD 173 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 IRLML2402 MOSFET (금속 (() Micro3 ™/SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1.2A (TA) 2.7V, 4.5V 250mohm @ 930ma, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 3.9 NC @ 4.5 v ± 12V 110 pf @ 15 v - 540MW (TA)
IRFU3911PBF Infineon Technologies IRFU3911PBF -
RFQ
ECAD 2930 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfu3911pbf 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 14A (TC) 10V 115mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 740 pf @ 25 v - 56W (TC)
SPP08N50C3XKSA1 Infineon Technologies SPP08N50C3XKSA1 -
RFQ
ECAD 6305 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp08n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 560 v 7.6A (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 350µA 32 NC @ 10 v ± 20V 750 pf @ 25 v - 83W (TC)
IRFB4215PBF Infineon Technologies IRFB4215PBF -
RFQ
ECAD 4684 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 115A (TC) 10V 9mohm @ 54a, 10V 4V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 4080 pf @ 25 v - 270W (TC)
IRFI4121H-117P Infineon Technologies IRFI4121H-117P -
RFQ
ECAD 4300 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 - - - - - 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 - 11A (TC) - - - -
IPAW60R280P7SE8228XKSA1 Infineon Technologies IPAW60R280P7SE8228XKSA1 0.9364
RFQ
ECAD 6630 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPAW60 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 280mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 190µA 18 nc @ 10 v ± 20V 761 pf @ 400 v - 24W (TC)
SIGC109T120R3LEX1SA2 Infineon Technologies SIGC109T120R3LEX1SA2 -
RFQ
ECAD 8788 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 표면 표면 주사위 SIGC109 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 - 트렌치 트렌치 정지 1200 v 300 a 2.1V @ 15V, 100A - -
IRFH3707TR2PBF Infineon Technologies IRFH3707TR2PBF -
RFQ
ECAD 1400 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (3x3) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 30 v 12A (TA), 29A (TC) 4.5V, 10V 12.4mohm @ 12a, 10V 2.35V @ 25µA 8.1 NC @ 4.5 v ± 20V 755 pf @ 15 v - 2.8W (TA)
AUIRF1404STRL Infineon Technologies AUIRF1404STRL -
RFQ
ECAD 2703 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB AUIRF1404 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001517298 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 4mohm @ 95a, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 20V 7360 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
IRF7807VD2TR Infineon Technologies IRF7807VD2TR -
RFQ
ECAD 5994 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 8.3A (TA) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5v 1V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V Schottky 분리 (다이오드) 2.5W (TA)
SPA03N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPA03N60C3XKSA1 -
RFQ
ECAD 9911 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SPA03N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 3.2A (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10V 3.9V @ 135µA 17 nc @ 10 v ± 20V 400 pf @ 25 v - 29.7W (TC)
IRLMS5703TR Infineon Technologies IRLMS5703TR -
RFQ
ECAD 4335 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() Micro6 ™ (SOT23-6) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2.3A (TA) 200mohm @ 1.6a, 10V 1V @ 250µA 11 NC @ 10 v 170 pf @ 25 v -
SPP80N06S2L-06 Infineon Technologies SPP80N06S2L-06 -
RFQ
ECAD 1595 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp80n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 80A (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 69a, 10V 2V @ 180µA 150 nc @ 10 v ± 20V 5050 pf @ 25 v - 250W (TC)
BCV26E6327 Infineon Technologies BCV26E6327 -
RFQ
ECAD 8009 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 360 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 500 MA 100NA (ICBO) pnp- 달링턴 1V @ 100µa, 100ma 20000 @ 100MA, 5V 200MHz
BCX55H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX55H6327XTSA1 0.1920
RFQ
ECAD 8172 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX55 2 w PG-SOT89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 100MHz
BSO203SPNTMA1 Infineon Technologies BSO203SPNTMA1 -
RFQ
ECAD 2955 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() PG-DSO-8 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 9A (TA) 2.5V, 4.5V 21mohm @ 9a, 4.5v 1.2V @ 100µa 50.4 NC @ 4.5 v ± 12V 2265 pf @ 15 v - 2.35W (TA)
IRFU3704 Infineon Technologies IRFU3704 -
RFQ
ECAD 8423 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFU3704 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 20 v 75A (TC) 10V 9.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 20V 1996 PF @ 10 v - 90W (TC)
IPW65R190E6FKSA1 Infineon Technologies IPW65R190E6FKSA1 -
RFQ
ECAD 5902 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW65R MOSFET (금속 (() PG-to247-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 650 v 20.2A (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10V 3.5V @ 730µA 73 NC @ 10 v ± 20V 1620 pf @ 100 v - 151W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고