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트랜지스터 (13833)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	테스트 테스트	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BSM25GB120DN2	34.7300	RFQ	23	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준				200 w	기준	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	9	반 반															-	1200 v	38 a		3V @ 15V, 25A				800 µA	아니요	1.65 NF @ 25 v
IRF8721GPBF	-	RFQ	4300	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MOSFET (금속 (()			도 8-	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001555790	귀 99	8541.29.0095	95		n 채널			30 v	14A (TA)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 14a, 10V	2.35V @ 25µA	12 nc @ 4.5 v	± 20V	1040 pf @ 15 v	-	2.5W (TA)
FP50R12KS4CBOSA1	205.6510	RFQ	1282	인피온 인피온	-	대부분	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	기준 기준	FP50R12			360 W.	기준	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10	하나의															-	1200 v	70 a		3.7V @ 15V, 50A				5 MA	예	3.3 NF @ 25 v
SIGC14T60NCX1SA6	-	RFQ	6204	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위	SIGC14	기준				주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는		1			300V, 15a, 18ohm, 15V													NPT	600 v	15 a	45 a	2.5V @ 15V, 15a	-		21ns/110ns
FP50R12KT4PBPSA1	150.3600	RFQ	8778	인피온 인피온	Econopim ™ 2	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C	섀시 섀시	기준 기준	FP50R12			20 MW	3 정류기 정류기 브리지	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10	3 단계 인버터															트렌치 트렌치 정지	1200 v	100 a		2.15V @ 15V, 25A				1 MA	예	1.45 NF @ 25 v
IRGR4607DTRPBF	-	RFQ	2771	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		기준		58 W.		PG-to252-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000			400V, 1.5A, 100ohm, 15V												48 ns	-	600 v	11 a	12 a	2.05V @ 15V, 4A	140µJ (on), 62µJ (OFF)	9 NC	27ns/120ns
IRG5K75HF06A	-	RFQ	5067	인피온 인피온	-	상자	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	Powir® 34 4	IRG5K75			330 w	기준	Powir® 34	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001548060	귀 99	8541.29.0095	20	반 반															-	600 v	140 a		2.1V @ 15V, 75A				1 MA	아니요	3.6 NF @ 25 v
ika10n65et6xksa2	1.7300	RFQ	8	인피온 인피온	TrenchStop ™	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	IKA10N65	기준		40 W.		PG-to220-3-FP	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	SP001701334	귀 99	8541.29.0095	50			400V, 8.5A, 47OHM, 15V												51 ns	트렌치 트렌치 정지	650 v	15 a	42.5 a	1.9V @ 15V, 8.5A	200µJ (on), 70µJ (OFF)	27 NC	30ns/106ns
irg4bc20udstrrp	-	RFQ	4584	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		기준		60 W.		D2PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001535602	귀 99	8541.29.0095	800			480V, 6.5A, 50ohm, 15V												37 ns	-	600 v	13 a	52 a	2.1V @ 15V, 6.5A	160µJ (on), 130µJ (OFF)	27 NC	39ns/93ns
IPI037N08N3GXKSA1	-	RFQ	8042	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IPI037N		MOSFET (금속 (()			PG-to262-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널			80 v	100A (TC)	6V, 10V	3.75mohm @ 100a, 10V	3.5V @ 155µA	117 NC @ 10 v	± 20V	8110 pf @ 40 v	-	214W (TC)
BSC0702LSATMA1	1.7400	RFQ	1330	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	BSC0702		MOSFET (금속 (()			PG-TDSON-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널			60 v	100A (TC)	4.5V, 10V	2.3mohm @ 50a, 10V	2.3V @ 49µA	30 nc @ 4.5 v	± 20V	4400 pf @ 30 v	기준	83W (TC)
IRF7752TR	-	RFQ	5128	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	IRF775		MOSFET (금속 (()	1W		8-tssop	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000	2 n 채널 (채널)				30V	4.6a		30mohm @ 4.6a, 10V	2V @ 250µA	9NC @ 4.5V		861pf @ 25v	논리 논리 게이트
AUIRFR3607	-	RFQ	7479	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AUIRFR3607		MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001521766	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			75 v	56A (TC)	10V	9mohm @ 46a, 10V	4V @ 100µa	84 NC @ 10 v	± 20V	3070 pf @ 50 v	-	140W (TC)
IRGP4790-EPBF	-	RFQ	4407	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		기준		455 W.		TO-247AD	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001549734	귀 99	8541.29.0095	25			400V, 75A, 10ohm, 15V													-	650 v	140 a	225 a	2V @ 15V, 75A	2.5mj (on), 2.2mj (OFF)	210 NC	50ns/200ns
SPI20N60CFD	1.9300	RFQ	168	인피온 인피온	Coolmos ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA			MOSFET (금속 (()			PG-to262-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	168		n 채널			600 v	20.7A (TC)	10V	220mohm @ 13.1a, 10V	5V @ 1MA	124 NC @ 10 v	± 20V	2400 pf @ 25 v	-	208W (TC)
IPA80R1K4P7	-	RFQ	6451	인피온 인피온	Coolmos ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩			MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-31 풀 팩	다운로드						0000.00.0000	1		n 채널			800 v	4A (TC)	10V	1.4ohm @ 1.4a, 10V	3.5V @ 70µA	10 nc @ 10 v	± 20V	250 pf @ 500 v	-	24W (TC)
AUIRF3415	-	RFQ	5883	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001516548	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널			150 v	43A (TC)	10V	42mohm @ 22a, 10V	4V @ 250µA	200 nc @ 10 v	± 20V	2400 pf @ 25 v	-	200W (TC)
AIMDQ75R060M1HXUMA1	9.3056	RFQ	1250	인피온 인피온	*	테이프 & tr (TR)	활동적인										-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	448-AIMDQ75R060M1HXUMA1TR			750
IPN70R900P7SATMA1	0.7800	RFQ	7992	인피온 인피온	Coolmos ™ P7	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	IPN70R900		MOSFET (금속 (()			PG-SOT223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			700 v	6A (TC)	10V	900mohm @ 1.1a, 10V	3.5V @ 60µA	6.8 NC @ 10 v	± 16V	211 PF @ 400 v	-	6.5W (TC)
IPU075N03L g	-	RFQ	2445	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	IPU075N		MOSFET (금속 (()			PG-to251-3-21	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500		n 채널			30 v	50A (TC)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 30a, 10V	2.2V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 20V	1900 pf @ 15 v	-	47W (TC)
IRF6631TR1PBF	-	RFQ	6794	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq			MOSFET (금속 (()			DirectFet ™ Sq	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널			30 v	13A (TA), 57A (TC)	4.5V, 10V	7.8mohm @ 13a, 10V	2.35V @ 25µA	18 nc @ 4.5 v	± 20V	1450 pf @ 15 v	-	2.2W (TA), 42W (TC)
BFP 182W H6327	0.0700	RFQ	6	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-82A, SOT-343				250MW		PG-SOT343-4	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0095	3,000				22db													12V	35MA									NPN	70 @ 10ma, 8v	8GHz	0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRF7103PBF	-	RFQ	9067	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IRF71		MOSFET (금속 (()	2W		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	95	2 n 채널 (채널)				50V	3A		130mohm @ 3a, 10V	3V @ 250µA	30NC @ 10V		290pf @ 25V	-
BSM15GD120DN2E3224BOSA1	78.2250	RFQ	2492	인피온 인피온	-	쟁반	마지막으로 마지막으로	150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	BSM15G			145 w	기준	기준 기준	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10	전체 전체															-	1200 v	25 a		3V @ 15V, 15a				500 µA	아니요	1 nf @ 25 v
ISP75DP06LMXTSA1	0.6300	RFQ	8725	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	ISP75D		MOSFET (금속 (()			PG-SOT223-4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		p 채널			60 v	1.1A (TA)	4.5V, 10V	750mohm @ 1.1a, 10V	2V @ 77µA	4 NC @ 10 v	± 20V	120 pf @ 30 v	-	1.8W (TA), 4.2W (TC)
auirl2203n	-	RFQ	4411	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널			30 v	75A (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 60a, 10V	1V @ 250µA	60 nc @ 4.5 v	± 16V	3290 pf @ 25 v	-	180W (TC)
BFP450E6327	-	RFQ	1849	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-82A, SOT-343				450MW		PG-SOT343-4	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0075	1				15.5dB													5V	100ma									NPN	60 @ 50MA, 4V	24GHz	1.25dB @ 1.8GHz
IRF9Z24NPBF	0.8700	RFQ	9	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF9Z24		MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		p 채널			55 v	12A (TC)	10V	175mohm @ 7.2a, 10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 v	± 20V	350 pf @ 25 v	-	45W (TC)
IRG7PH37K10D-EPBF	-	RFQ	5707	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	irg7ph	기준		216 W.		TO-247AD	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001549436	귀 99	8541.29.0095	25			600V, 15a, 10ohm, 15V												120 ns	-	1200 v	45 a	60 a	2.4V @ 15V, 15a	1mj (on), 600µJ (OFF)	135 NC	50ns/240ns
FF300R17ME4PB11BPSA1	269.0100	RFQ	8020	인피온 인피온	Econodual ™ 3	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C	섀시 섀시	기준 기준	FF300R17			20 MW	기준	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	6	반 반															트렌치 트렌치 정지	1700 v	600 a		2.3V @ 15V, 300A				3 MA	예	24.5 NF @ 25 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²