SIC
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트랜지스터 (13833)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies spd18p06pgbtma1 1.4600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SPD18P06 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 18.6A (TC) 10V 130mohm @ 13.2a, 10V 4V @ 1MA 33 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 80W (TC)
IRF6636TRPBF Infineon Technologies irf6636trpbf -
RFQ
 ECAD 8063 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 st IRF6636 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ st 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 20 v 18A (TA), 81A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 18a, 10V 2.45V @ 250µA 27 NC @ 4.5 v ± 20V 2420 pf @ 10 v - 2.2W (TA), 42W (TC)
PTF140451F V1 Infineon Technologies PTF140451F V1 -
RFQ
 ECAD 8785 0.00000000 인피온 인피온 Goldmos® 쟁반 sic에서 중단되었습니다 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 1.5GHz LDMOS H-31265-2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 1µA 550 MA 45W 18db - 28 v
IPA70R450P7SXKSA1 Infineon Technologies IPA70R450P7SXKSA1 1.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA70R450 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 10A (TC) 10V 450mohm @ 2.3a, 10V 3.5V @ 120µA 13.1 NC @ 400 v ± 16V 424 pf @ 400 v - 22.7W (TC)
IPD220N06L3GATMA1 Infineon Technologies IPD220N06L3GATMA1 0.8400
RFQ
 ECAD 2035 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD220N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-311 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 30A (TC) 4.5V, 10V 22mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 11µA 10 nc @ 4.5 v ± 20V 1600 pf @ 30 v - 36W (TC)
IRFS3507TRLPBF Infineon Technologies IRFS3507trlpbf -
RFQ
 ECAD 1302 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 97A (TC) 10V 8.8mohm @ 58a, 10V 4V @ 100µa 130 NC @ 10 v ± 20V 3540 pf @ 50 v - 190W (TC)
IRL530NSTRR Infineon Technologies irl530nstrr -
RFQ
 ECAD 4547 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 17A (TC) 4V, 10V 100mohm @ 9a, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 5 v ± 20V 800 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 79W (TC)
IRFR120NPBF Infineon Technologies IRFR120NPBF -
RFQ
 ECAD 4484 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 9.4A (TC) 10V 210mohm @ 5.6a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 330 pf @ 25 v - 48W (TC)
MMBTA42LT1HTSA1 Infineon Technologies MMBTA42LT1HTSA1 0.0830
RFQ
 ECAD 1207 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA42 360 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 30MA, 10V 70MHz
BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies BSS225H6327FTSA1 0.6600
RFQ
 ECAD 5692 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BSS225 MOSFET (금속 (() PG-SOT89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 90MA (TA) 4.5V, 10V 45ohm @ 90ma, 10V 2.3V @ 94µA 5.8 nc @ 10 v ± 20V 131 pf @ 25 v - 1W (TA)
IRF7403PBF Infineon Technologies IRF7403PBF -
RFQ
 ECAD 7528 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001563614 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 8.5A (TA) 4.5V, 10V 22mohm @ 4a, 10V 1V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
IPA65R190C7XKSA1 Infineon Technologies IPA65R190C7XKSA1 3.4900
RFQ
 ECAD 8562 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA65R MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 8A (TC) 10V 190mohm @ 5.7a, 10V 4V @ 290µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1150 pf @ 400 v - 30W (TC)
IRF7726 Infineon Technologies IRF7726 -
RFQ
 ECAD 1764 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) MOSFET (금속 (() Micro8 ™ 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF7726 귀 99 8541.29.0095 80 p 채널 30 v 7A (TA) 4.5V, 10V 26mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 250µA 69 NC @ 10 v ± 20V 2204 pf @ 25 v - 1.79W (TA)
BCR166WE6327 Infineon Technologies BCR166WE6327 0.0200
RFQ
 ECAD 9479 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BCR166 250 MW PG-SOT323-3-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 160MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
IKWH50N65WR6XKSA1 Infineon Technologies IKWH50N65WR6XKSA1 5.0100
RFQ
 ECAD 238 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 5 WR6 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 ikwh50n 기준 205 w PG-to247-3-32 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 50a, 22ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 85 a 150 a 1.85V @ 15V, 50A 1.5mj (on), 730µj (OFF) 144 NC 40ns/351ns
SPP08N80C3XK Infineon Technologies spp08n80c3xk -
RFQ
 ECAD 8017 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp08n MOSFET (금속 (() PG-to220-3 - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 SP000013704 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 8A (TC) 10V 650mohm @ 5.1a, 10V 3.9V @ 470µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 100 v - 104W (TC)
IRFC3306EB Infineon Technologies IRFC3306EB -
RFQ
 ECAD 5606 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모 쓸모 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
BSP171PE6327T Infineon Technologies BSP171PE6327T -
RFQ
 ECAD 2596 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 1.9A (TA) 4.5V, 10V 300mohm @ 1.9a, 10V 2V @ 460µA 20 nc @ 10 v ± 20V 460 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
IPP65R310CFDXKSA1 Infineon Technologies IPP65R310CFDXKSA1 1.7439
RFQ
 ECAD 3542 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP65R310 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 11.4A (TC) 10V 310mohm @ 4.4a, 10V 4.5V @ 440µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 100 v - 104.2W (TC)
IRF6678TR1PBF Infineon Technologies irf6678tr1pbf -
RFQ
 ECAD 2441 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 30A (TA), 150A (TC) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 30A, 10V 2.25V @ 250µA 65 NC @ 4.5 v ± 20V 5640 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
BC860BE6327HTSA1 Infineon Technologies BC860BE6327HTSA1 0.0555
RFQ
 ECAD 9571 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC860 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 250MHz
DF23MR12W1M1B11BOMA1244 Infineon Technologies DF23MR12W1M1B11BOMA1244 84.3000
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 DF23MR12 - 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-DF23MR12W1M1B11BOMA1244-448 1 -
BCW67C Infineon Technologies BCW67C 0.0300
RFQ
 ECAD 176 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 32 v 800 MA 20NA (ICBO) 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 200MHz
BCR148E6393HTSA1 Infineon Technologies BCR148E6393HTSA1 -
RFQ
 ECAD 2755 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR148 200 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 100MHz 47 Kohms 47 Kohms
IPI50R399CPXKSA1 Infineon Technologies ipi50r399cpxksa1 -
RFQ
 ECAD 8852 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI50R399 MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000680738 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 9A (TC) 10V 399mohm @ 4.9a, 10V 3.5V @ 330µA 23 nc @ 10 v ± 20V 890 pf @ 100 v - 83W (TC)
IRF9520NLPBF Infineon Technologies IRF9520NLPBF -
RFQ
 ECAD 3423 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 6.8A (TC) 10V 480mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 48W (TC)
AUIRFS8409-7P Infineon Technologies AUIRFS8409-7P 13.0100
RFQ
 ECAD 908 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) AUIRF8409 MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 240A (TC) 10V 0.75mohm @ 100a, 10V 3.9V @ 250µA 460 nc @ 10 v ± 20V 13975 pf @ 25 v - 375W (TC)
IRF7304PBF Infineon Technologies IRF7304PBF -
RFQ
 ECAD 3122 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF73 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001561936 귀 99 8541.29.0095 95 2 p 채널 (채널) 20V 4.3A 90mohm @ 2.2a, 4.5v 700MV @ 250µA 22NC @ 4.5V 610pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRF6156 Infineon Technologies IRF6156 -
RFQ
 ECAD 2360 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-FLIPFET ™ IRF615 MOSFET (금속 (() 2.5W 6-FLIPFET ™ 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF6156 귀 99 8541.29.0095 6,000 2 n 채널 (채널) 20V 6.5A 40mohm @ 6.5a, 4.5v 1.2V @ 250µA 18NC @ 5V 950pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRFH5250TRPBF Infineon Technologies IRFH5250TRPBF 1.8000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IRFH5250 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 25 v 45A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1.15mohm @ 50a, 10V 2.35V @ 150µA 110 NC @ 10 v ± 20V 7174 pf @ 13 v - 3.6W (TA), 160W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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