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트랜지스터 (13833)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7311PBF | - |  | 6047 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF731 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001572034 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 6.6a | 29mohm @ 6a, 4.5v | 700MV @ 250µA | 27NC @ 4.5V | 900pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||
| irf7304tr | - | | 3014 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF73 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 4.3A | 90mohm @ 2.2a, 4.5v | 700MV @ 250µA | 22NC @ 4.5V | 610pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||
 | IRF6648TR1 | - | | 9492 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 Mn | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ Mn | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 86A (TC) | 10V | 7mohm @ 17a, 10V | 4.9V @ 150µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 2120 pf @ 25 v | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IRFB4610 | - | | 2164 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFB4610 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 73A (TC) | 10V | 14mohm @ 44a, 10V | 4V @ 100µa | 140 NC @ 10 v | ± 20V | 3550 pf @ 50 v | - | 190W (TC) | ||||||||||||||||||
 | BSP149L6327HTSA1 | - | | 5411 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4-21 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 660MA (TA) | 0V, 10V | 1.8ohm @ 660ma, 10V | 1V @ 400µA | 14 nc @ 5 v | ± 20V | 430 pf @ 25 v | 고갈 고갈 | 1.8W (TA) | ||||||||||||||||||||
 | IPD65R1K5CEAUMA1 | - | | 1871 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD65R1 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001422862 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 700 v | 5.2A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1a, 10V | 3.5V @ 100µA | 10.5 nc @ 10 v | ± 20V | 225 pf @ 100 v | - | 53W (TC) | |||||||||||||||||
 | SPI35N10 | - | | 6256 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | SPI35N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 100 v | 35A (TC) | 10V | 44mohm @ 26.4a, 10V | 4V @ 83µA | 65 nc @ 10 v | ± 20V | 1570 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||
| IRLR120NTRLPBF | 1.2400 | | 3 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR120 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 10A (TC) | 4V, 10V | 185mohm @ 6a, 10V | 2V @ 250µA | 20 nc @ 5 v | ± 16V | 440 pf @ 25 v | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||||
 | BFP 720F E6327 | - | | 7437 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 리드 | BFP 720 | 100MW | 4-TSFP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 10.5dB ~ 28dB | 4.7V | 25MA | NPN | 160 @ 13MA, 3V | 45GHz | 0.4dB ~ 1db @ 150MHz ~ 10GHz | |||||||||||||||||||||||
 | SPW47N60CFDFKSA1 | 14.0008 | | 9322 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SPW47N60 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | n 채널 | 600 v | 46A (TC) | 10V | 83mohm @ 29a, 10V | 5V @ 2.9ma | 322 NC @ 10 v | ± 20V | 7700 pf @ 25 v | - | 417W (TC) | ||||||||||||||||||
| IRL3715ZL | - | | 5500 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL3715ZL | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 15a, 10V | 2.55V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 20V | 870 pf @ 10 v | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||
| IPD60R600CPATMA1 | - | | 1174 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CP | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD60R | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000680642 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 6.1A (TC) | 10V | 600mohm @ 3.3a, 10V | 3.5V @ 220µA | 27 NC @ 10 v | ± 20V | 550 pf @ 100 v | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||
 | BCM856SH6327XTSA1 | 0.1516 | | 4181 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCM856 | 250MW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65V | 100ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP (() | 650MV @ 5MA, 100MA | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||
| IRLR7833TRRPBF | - | | 6987 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001573116 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 140A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 15a, 10V | 2.3V @ 250µA | 50 nc @ 4.5 v | ± 20V | 4010 pf @ 15 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||
| IPW60R165CPFKSA1 | 6.7600 | | 228 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IPW60R165 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 21A (TC) | 10V | 165mohm @ 12a, 10V | 3.5V @ 790µA | 52 NC @ 10 v | ± 20V | 2000 pf @ 100 v | - | 192W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IPB80N06S2H5ATMA2 | 4.1900 | | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB80N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 10V | 5.2mohm @ 80a, 10V | 4V @ 230µA | 155 NC @ 10 v | ± 20V | 4400 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||
 | AUIRF4905L | - | | 3083 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262 | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001521094 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 55 v | 42A (TC) | 10V | 20mohm @ 42a, 10V | 4V @ 250µA | 180 NC @ 10 v | ± 20V | 3500 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||
| IRFS33N15DTRLP | - | | 8058 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 150 v | 33A (TC) | 10V | 56MOHM @ 20A, 10V | 5.5V @ 250µA | 90 NC @ 10 v | ± 30V | 2020 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 170W (TC) | |||||||||||||||||||
 | irll024z | - | | 7739 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *irll024z | 귀 99 | 8541.29.0095 | 80 | n 채널 | 55 v | 5A (TC) | 4.5V, 10V | 60mohm @ 3a, 10V | 3V @ 250µA | 11 NC @ 5 v | ± 16V | 380 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||
 | IPD50R520CPBTMA1 | - | | 8332 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CP | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD50R | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-313 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000307380 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 500 v | 7.1A (TC) | 10V | 520mohm @ 3.8a, 10V | 3.5V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 680 pf @ 100 v | - | 66W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IPP60R160C6XKSA1 | 4.5000 | | 2861 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP60R160 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 23.8A (TC) | 10V | 160mohm @ 11.3a, 10V | 3.5V @ 750µA | 75 NC @ 10 v | ± 20V | 1660 pf @ 100 v | - | 176W (TC) | ||||||||||||||||||
 | FP40R12KE3BPSA1 | 118.4600 | | 15 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | smartpim1 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FP40R12 | 210 W. | 3 정류기 정류기 브리지 | Ag-ECONO2C | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 55 a | 2.15V @ 15V, 40A | 1 MA | 예 | 2.5 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||
| IMBG120R012M2HXTMA1 | 33.0922 | | 5420 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 448-IMBG120R012M2HXTMA1TR | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMBTA56E6327 | 0.0400 | | 20 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 6,709 | 80 v | 500 MA | 100NA | PNP | 250mv @ 10ma, 100ma | 100 @ 100ma, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||
| IRF7805ATRPBF | - | | 7503 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 13A (TA) | 4.5V | 11mohm @ 7a, 4.5v | 3V @ 250µA | 31 NC @ 5 v | ± 12V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||
 | IPT029N08N5ATMA1 | 3.9700 | | 8692 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Powersfn | IPT029 | MOSFET (금속 (() | PG-HSOF-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 80 v | 52A (TA), 169A (TC) | 6V, 10V | 2.9mohm @ 150a, 10V | 3.8V @ 108µA | 87 NC @ 10 v | ± 20V | 6500 pf @ 40 v | - | 168W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IRFU3607trl701p | - | | 4999 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 75 v | 56A (TC) | 10V | 9mohm @ 46a, 10V | 4V @ 100µa | 84 NC @ 10 v | ± 20V | 3070 pf @ 50 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | BFP196WNH6327XTSA1 | 0.4600 | | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-82A, SOT-343 | BFP196 | 700MW | PG-SOT343-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 9.7dB | 12V | 150ma | NPN | 70 @ 50MA, 8V | 7.5GHz | 1.3dB @ 900MHz | ||||||||||||||||||||||
| IPW60R160C6FKSA1 | 5.5200 | | 1846 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IPW60R160 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 23.8A (TC) | 10V | 160mohm @ 11.3a, 10V | 3.5V @ 750µA | 75 NC @ 10 v | ± 20V | 1660 pf @ 100 v | - | 176W (TC) | ||||||||||||||||||
 | BSC084P03NS3GATMA1 | 1.4300 | | 8 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC084 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 30 v | 14.9A (TA), 78.6A (TC) | 6V, 10V | 8.4mohm @ 50a, 10V | 3.1V @ 105µA | 58 NC @ 10 v | ± 25V | 4785 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 69W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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