SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies IPD90N06S4L03ATMA2 2.2100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD90 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 90A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 90a, 10V 2.2V @ 90µA 170 nc @ 10 v ± 16V 13000 pf @ 25 v - 150W (TC)
IRFC4668EF Infineon Technologies IRFC4668EF -
RFQ
ECAD 4218 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
BSM75GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies BSM75GB120DLCHOSA1 -
RFQ
ECAD 6812 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 BSM75GB120 690 W. 기준 기준 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 - 1200 v 170 a 2.6V @ 15V, 75A 5 MA 아니요 5.1 NF @ 25 v
IRF7811AVTR Infineon Technologies IRF7811AVTR -
RFQ
ECAD 1112 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001560030 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 10.8A (TA) 4.5V 14mohm @ 15a, 4.5v 3V @ 250µA 26 NC @ 5 v ± 20V 1801 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
IPC60R360P7X7SA1 Infineon Technologies IPC60R360P7X7SA1 -
RFQ
ECAD 1968 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 IPC60R - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001681342 0000.00.0000 1 -
PXAC261202FCV1S250XTMA1 Infineon Technologies PXAC261202FCV1S250XTMA1 -
RFQ
ECAD 3560 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 H-37248-4 2.61GHz LDMOS H-37248-4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001178446 쓸모없는 0000.00.0000 1 이중, 소스 일반적인 - 230 MA 28W 13.5dB - 28 v
IRFR3711 Infineon Technologies IRFR3711 -
RFQ
ECAD 5661 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 20 v 100A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 20V 2980 pf @ 10 v - 2.5W (TA), 120W (TC)
IRF7353D2TRPBF Infineon Technologies IRF7353D2TRPBF -
RFQ
ECAD 5930 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 6.5A (TA) 4.5V, 10V 29mohm @ 5.8a, 10V 1V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 650 pf @ 25 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA)
IRF7754 Infineon Technologies IRF7754 -
RFQ
ECAD 4629 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) IRF775 MOSFET (금속 (() 1W 8-tssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 2 p 채널 (채널) 12V 5.5A 25mohm @ 5.4a, 4.5v 900MV @ 250µA 22NC @ 4.5V 1984pf @ 6v 논리 논리 게이트
IRF6712STR1PBF Infineon Technologies IRF6712ST1PBF -
RFQ
ECAD 9027 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Sq 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 25 v 17A (TA), 68A (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 17a, 10V 2.4V @ 50µA 18 nc @ 4.5 v ± 20V 1570 pf @ 13 v - 2.2W (TA), 36W (TC)
IRF3711L Infineon Technologies IRF3711L -
RFQ
ECAD 6827 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF3711L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 110A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 15A, 10V 3V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 20V 2980 pf @ 10 v - 3.1W (TA), 120W (TC)
IPP100N06S205AKSA2 Infineon Technologies IPP100N06S205AKSA2 -
RFQ
ECAD 1747 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP100N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 100A (TC) 10V 5MOHM @ 80A, 10V 4V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 5110 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRG4PC30KPBF Infineon Technologies irg4pc30kpbf -
RFQ
ECAD 1209 0.00000000 인피온 인피온 - 가방 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRG4PC30 기준 100 W. TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 480V, 16A, 23OHM, 15V - 600 v 28 a 58 a 2.7V @ 15V, 16A 360µJ (on), 510µJ (OFF) 67 NC 26ns/130ns
IRF7807VTRPBF Infineon Technologies IRF7807VTRPBF -
RFQ
ECAD 9955 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 8.3A (TA) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5v 3V @ 250µA 14 nc @ 5 v ± 20V - 2.5W (TA)
IRL7472L1TRPBF Infineon Technologies irl7472l1trpbf 4.5800
RFQ
ECAD 535 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 irl7472 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 40 v 375A (TC) 4.5V, 10V 0.59mohm @ 195a, 10V 2.5V @ 250µA 330 NC @ 4.5 v ± 20V 20082 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 341W (TC)
SPD03N60C3BTMA1 Infineon Technologies SPD03N60C3BTMA1 -
RFQ
ECAD 2270 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SPD03N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 3.2A (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10V 3.9V @ 135µA 17 nc @ 10 v ± 20V 400 pf @ 25 v - 38W (TC)
FF300R12KE3B2HOSA1 Infineon Technologies FF300R12KE3B2HOSA1 251.7900
RFQ
ECAD 4473 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF300R12 1450 w 기준 기준 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 440 a 2.15V @ 15V, 300A 5 MA 아니요 21 NF @ 25 v
IPC100N04S51R7ATMA1 Infineon Technologies IPC100N04S51R7ATMA1 2.2200
RFQ
ECAD 5502 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IPC100 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 100A (TC) 7V, 10V 1.7mohm @ 50a, 10V 3.4V @ 60µA 83 NC @ 10 v ± 20V 4810 pf @ 25 v - 115W (TC)
BCR 129L3 E6327 Infineon Technologies BCR 129L3 E6327 -
RFQ
ECAD 9483 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-101, SOT-883 BCR 129 250 MW PG-TSLP-3-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 15,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 120 @ 5MA, 5V 150MHz 10 KOHMS
IRFP054NPBF Infineon Technologies IRFP054NPBF 2.9400
RFQ
ECAD 947 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP054 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 55 v 81A (TC) 10V 12MOHM @ 43A, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 2900 pf @ 25 v - 170W (TC)
IRL3202STRR Infineon Technologies irl3202strr -
RFQ
ECAD 4408 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 20 v 48A (TC) 4.5V, 7V 16mohm @ 29a, 7v 700mv @ 250µa (최소) 43 NC @ 4.5 v ± 10V 2000 pf @ 15 v - 69W (TC)
BCR108SH6327 Infineon Technologies BCR108SH6327 -
RFQ
ECAD 5451 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR108 250MW PG-SOT363-6-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 1 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 170MHz 2.2kohms 47kohms
IRF3709PBF Infineon Technologies IRF3709pbf -
RFQ
ECAD 8735 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 41 NC @ 5 v ± 20V 2672 pf @ 16 v - 3.1W (TA), 120W (TC)
BUZ73E3046XK Infineon Technologies BUZ73E3046XK -
RFQ
ECAD 1972 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 buz73 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 200 v 7A (TC) 10V 400mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 530 pf @ 25 v - 40W (TC)
IMIC22V01X6SA2 Infineon Technologies imic22v01x6sa2 -
RFQ
ECAD 3833 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001121576 쓸모없는 0000.00.0000 1
SPA07N60CFDXKSA1 Infineon Technologies SPA07N60CFDXKSA1 -
RFQ
ECAD 6698 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SPA07N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 6.6A (TC) 10V 700mohm @ 4.6a, 10V 5V @ 300µA 47 NC @ 10 v ± 20V 790 pf @ 25 v - 32W (TC)
IRF7809 Infineon Technologies IRF7809 -
RFQ
ECAD 7415 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 17.6A (TA) 4.5V 7.5mohm @ 15a, 4.5v 1V @ 250µA 86 NC @ 5 v ± 12V 7300 pf @ 16 v - 3.5W (TA)
IRFR3504ZTRRPBF Infineon Technologies irfr3504ztrrpbf -
RFQ
ECAD 6618 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6,000 n 채널 40 v 42A (TC) 10V 9MOHM @ 42A, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1510 pf @ 25 v - 90W (TC)
BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies BSC160N15NS5ATMA1 2.8900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC160 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 150 v 56A (TC) 8V, 10V 16mohm @ 28a, 10V 4.6V @ 60µA 23.1 NC @ 10 v ± 20V 1820 pf @ 75 v - 96W (TC)
IRFU18N15D Infineon Technologies IRFU18N15D -
RFQ
ECAD 8386 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFU18N15D 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 150 v 18A (TC) 10V 125mohm @ 11a, 10V 5.5V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 30V 900 pf @ 25 v - 110W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고