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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD135N08N3GBTMA1 | - | ![]() | 4889 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD135N | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 80 v | 45A (TC) | 6V, 10V | 13.5mohm @ 45a, 10V | 3.5V @ 33µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 1730 pf @ 40 v | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3709ZCSTRR | - | ![]() | 8210 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 87A (TC) | 4.5V, 10V | 6.3mohm @ 21a, 10V | 2.25V @ 250µA | 26 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2130 pf @ 15 v | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB072N15N3GE8187ATMA1 | - | ![]() | 6956 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB072N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 150 v | 100A (TC) | 8V, 10V | 7.2MOHM @ 100A, 10V | 4V @ 270µA | 93 NC @ 10 v | ± 20V | 5470 pf @ 75 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IPW60R299CPFKSA1 | - | ![]() | 2413 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IPW60R | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | n 채널 | 600 v | 11A (TC) | 10V | 299mohm @ 6.6a, 10V | 3.5V @ 440µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 100 v | - | 96W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFHS8342TRPBF | 0.5400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powervdfn | IRFHS8342 | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 8.8A (TA), 19A (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 8.5a, 10V | 2.35V @ 25µA | 8.7 NC @ 10 v | ± 20V | 600 pf @ 25 v | - | 2.1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS33N15D | - | ![]() | 3118 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFS33N15D | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 150 v | 33A (TC) | 10V | 56MOHM @ 20A, 10V | 5.5V @ 250µA | 90 NC @ 10 v | ± 30V | 2020 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 170W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IPG20N06S2L65AATMA1 | 0.9900 | ![]() | 9576 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powervdfn | IPG20N | MOSFET (금속 (() | 43W | PG-TDSON-8-10 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널) | 55V | 20A | 65mohm @ 15a, 10V | 2V @ 14µA | 12NC @ 10V | 410pf @ 25v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP013N06NF2SAKMA1 | - | ![]() | 6456 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 448-IPP013N06NF2SAKMA1TR | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ICA22V14X1SA1 | - | ![]() | 6564 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001174086 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irf7103trpbfxtma1 | 0.3972 | ![]() | 6902 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 2W (TA) | PG-DSO-8-902 | - | Rohs3 준수 | 448-irf7103trpbfxtma1tr | 4,000 | 2 n 채널 | 50V | 3A (TA) | 130mohm @ 3a, 10V | 3V @ 250µA | 30NC @ 10V | 290pf @ 25V | 기준 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPS060N03LGAKMA1 | - | ![]() | 2062 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3-11 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 6MOHM @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 15 v | - | 56W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IQE046N08LM5CGSCATMA1 | 2.9900 | ![]() | 9074 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 9-powerwdfn | IQE046 | MOSFET (금속 (() | PG-WHTFN-9 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 80 v | 15.6A (TA), 99A (TC) | 4.5V, 10V | 4.6mohm @ 20a, 10V | 2.3V @ 47µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 3250 pf @ 40 v | - | 2.5W (TA), 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | irlml0060trpbf | 0.4500 | ![]() | 72 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | IRLML0060 | MOSFET (금속 (() | Micro3 ™/SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 2.7A (TA) | 4.5V, 10V | 92mohm @ 2.7a, 10V | 2.5V @ 25µA | 2.5 NC @ 4.5 v | ± 16V | 290 pf @ 25 v | - | 1.25W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7807D2PBF | - | ![]() | 6848 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Fetky ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001555606 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 8.3A (TA) | 4.5V | 25mohm @ 7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 17 nc @ 5 v | ± 12V | Schottky 분리 (다이오드) | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR 512 B6327 | - | ![]() | 6158 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR 512 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 30,000 | 50 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | npn-사전- | 300mv @ 2.5ma, 50ma | 60 @ 50MA, 5V | 100MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irfr5410trpbf | 1.7700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR5410 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 100 v | 13A (TC) | 10V | 205mohm @ 7.8a, 10V | 4V @ 250µA | 58 NC @ 10 v | ± 20V | 760 pf @ 25 v | - | 66W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | irl2703strl | - | ![]() | 9446 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 24A (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 14a, 10V | 1V @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 16V | 450 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | auirlr024n | - | ![]() | 9060 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001523060 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 55 v | 17A (TC) | 4V, 10V | 65mohm @ 10a, 10V | 2V @ 250µA | 15 nc @ 5 v | ± 16V | 480 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFC3415B | - | ![]() | 9659 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 대부분 | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 주사위 | MOSFET (금속 (() | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 448-IRFC3415B | 쓸모없는 | 1 | - | 150 v | 43A | 10V | 42MOHM @ 43A, 10V | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
IRF7705TR | - | ![]() | 4188 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 30 v | 8A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 88 NC @ 10 v | ± 20V | 2774 pf @ 25 v | - | 1.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | irlz44nstrlpbf | 1.6300 | ![]() | 788 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRLZ44 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 47A (TC) | 4V, 10V | 25A, 25A, 10V | 2V @ 250µA | 48 NC @ 5 v | ± 16V | 1700 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | irfr120ntrrpbf | - | ![]() | 8080 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001571004 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 9.4A (TC) | 10V | 210mohm @ 5.6a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 330 pf @ 25 v | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | AIKW30N60CTXKSA1 | 7.5000 | ![]() | 1122 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, TrenchStop ™ | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | AIKW30 | 기준 | 187 w | PG-to247-3-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 30A, 10.6OHM, 15V | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 60 a | 90 a | 2.05V @ 15V, 30A | 690µJ (on), 770µJ (OFF) | 167 NC | 23ns/254ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD90P03P4L04ATMA1 | 2.7500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD90 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 4.1MOHM @ 90A, 10V | 2V @ 253µA | 160 nc @ 10 v | +5V, -16V | 11300 pf @ 25 v | - | 137W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
IPN70R2K1CEATMA1 | 0.2707 | ![]() | 6640 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | IPN70R2 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 700 v | 4A (TC) | 10V | 2.1ohm @ 1a, 10V | 3.5V @ 70µA | 7.8 NC @ 10 v | ± 20V | 163 pf @ 100 v | - | 5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | irf1010zstrlpbf | 2.0900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF1010 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 7.5mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 95 NC @ 10 v | ± 20V | 2840 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | irlu024zpbf | - | ![]() | 6051 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 55 v | 16A (TC) | 4.5V, 10V | 58mohm @ 9.6a, 10V | 3V @ 250µA | 9.9 NC @ 5 v | ± 16V | 380 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FD200R12KE3HOSA1 | 149.6400 | ![]() | 7207 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 기음 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FD200R12 | 1050 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 단일 단일 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 2.15V @ 15V, 200a | 5 MA | 아니요 | 14 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA023N04NM3SXKSA1 | - | ![]() | 6574 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 활동적인 | - | IPA023 | - | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SP001017058 | 1.1300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 1 | n 채널 | 600 v | 10.6A (TC) | 10V | 380mohm @ 3.8a, 10V | 4.5V @ 320µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 877 pf @ 100 v | - | 83W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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