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트랜지스터 (13833)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPP60R520CP | 0.7900 |  | 500 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 6.8A (TC) | 10V | 520mohm @ 3.8a, 10V | 3.5V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 630 pf @ 100 v | - | 66W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCW60FN | - | | 1988 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 32 v | 100 MA | 20NA (ICBO) | NPN | 550MV @ 1.25ma, 50ma | 250 @ 2MA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTS282ZE3180A | - | | 6890 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Tempfet® | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | MOSFET (금속 (() | PG-to263-7-1 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 49 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 36a, 10V | 2V @ 240µA | 232 NC @ 10 v | ± 20V | 4800 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IFS150B12N3T4_B31 | - | | 5263 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | IFS150 | 750 w | 기준 | Ag-ECONO3-4-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 전체 전체 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 150 a | 2.1V @ 15V, 150A | 1 MA | 예 | 9.35 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BTS247ZE3062AATMA1 | - | | 3779 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Tempfet® | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-5-2 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 33A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 12a, 10V | 2V @ 90µA | 90 NC @ 10 v | ± 20V | 1950 pf @ 25 v | - | 120W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP50R199CPXK | - | | 9555 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 17A (TC) | 10V | 199mohm @ 9.9a, 10V | 3.5V @ 660µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 1800 PF @ 100 v | - | 139W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC846UE6327 | 0.1000 | | 57 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | BC846 | 250MW | PG-SC74-6-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,390 | 65V | 100ma | 15NA (ICBO) | 2 NPN (() | 600mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDDF80R12W1H3B52BOMA1 | 27.6100 | | 672 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFP740FESDH6327 | 0.1700 | | 142 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 리드 | 160MW | 4-TSFP | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 39db | 4.2V | 45MA | NPN | 160 @ 25MA, 3V | 47GHz | 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF 1009SR E6327 | 0.1100 | | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 12 v | 표면 표면 | SOT-143R | 800MHz | MOSFET | PG-SOT-143R-3D | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,730 | n 채널 | 25MA | - | 22db | 1.4dB | 9 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 62-1039pbf | - | | 7696 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRGS4715DTRLPBF | - | | 1272 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 100 W. | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001549918 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | 400V, 8A, 50ohm, 15V | 86 ns | - | 650 v | 21 a | 24 a | 2V @ 15V, 8A | 200µJ (on), 90µJ (OFF) | 30 NC | 30ns/100ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD65R660CFD | 0.8300 | | 827 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CoolMOS ™ CFD2 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-313 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 650 v | 6A (TC) | 10V | 660mohm @ 2.1a, 10V | 4.5V @ 200µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 615 pf @ 100 v | - | 62.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | F4150R12N3H3FB11BPSA1 | 364.9300 | | 10 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 쟁반 | 활동적인 | F4150R | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FP30R06KE3BPSA1 | 100.0700 | | 13 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Econopim ™ 2 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FP30R06 | 125 w | 3 정류기 정류기 브리지 | Ag-ECONO2C | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 37 a | 2V @ 15V, 30A | 1 MA | 예 | 1.65 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF300R07PE4_B6 | 187.6100 | | 71 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Econopack ™ 4 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | DF300R07 | 940 w | 기준 | Ag-Econo4 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 헬리콥터를 헬리콥터를, 부스트 다리 | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 300 a | 1.95V @ 15V, 300A | 1 MA | 예 | 18.5 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS28MR12W1M1HB70BPSA1 | 148.3700 | | 2484 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 448-FS28MR12W1M1HB70BPSA1 | 24 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FS100R12KE3BOSA1 | 237.3000 | | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS100R12 | 480 W. | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 하나의 | NPT | 1200 v | 140 a | 2.15V @ 15V, 100A | 5 MA | 아니요 | 7.1 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSB008NE2LXXUMA1 | - | | 6458 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-Wdson | BSB008 | MOSFET (금속 (() | Mg-Wdson-2, Canpak M ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 25 v | 46A (TA), 180A (TC) | 4.5V, 10V | 0.8mohm @ 30a, 10V | 2V @ 250µA | 343 NC @ 10 v | ± 20V | 16000 pf @ 12 v | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPDD60R145CFD7XTMA1 | 4.5500 | | 4677 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CoolMOS ™ CFD7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-powersop op | IPDD60 | MOSFET (금속 (() | PG-HDSOP-10-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,700 | n 채널 | 600 v | 24A (TC) | 145mohm @ 6a, 10V | 4.5V @ 300µA | 28 nc @ 10 v | ± 20V | 1199 pf @ 400 v | - | 160W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP60R099CPAAKSA1 | - | | 7472 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP60R099 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 31A (TC) | 10V | 105mohm @ 18a, 10V | 3.5v @ 1.2ma | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 2800 pf @ 100 v | - | 255W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IQE022N06LM5CGATMA1 | 2.5900 | | 4519 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 9-powertdfn | IQE022 | MOSFET (금속 (() | PG-TTFN-9-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 24A (TA), 151A (TC) | 4.5V, 10V | 2.2MOHM @ 20A, 10V | 2.3V @ 48µA | 53 NC @ 10 v | ± 20V | 4420 pf @ 30 v | - | 2.5W (TA), 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPT60R028G7XTMA1 | 19.9800 | | 8 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ G7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Powersfn | IPT60R028 | MOSFET (금속 (() | PG-HSOF-8-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 600 v | 75A (TC) | 10V | 28.8A, 10V 28mohm | 4V @ 1.44ma | 123 NC @ 10 v | ± 20V | 4820 pf @ 400 v | - | 391W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMBT3904B5000 | 0.0200 | | 820 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 40 v | 200 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIGC39T60EX1SA3 | - | | 8665 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop ™ | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | SIGC39 | 기준 | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | - | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 75 a | 225 a | 1.85V @ 15V, 75A | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP65R050CFD7AAKSA1 | 12.9700 | | 4197 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ CFD7A | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP65R050 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 45A (TC) | 10V | 50mohm @ 24.8a, 10V | 4.5V @ 1.24ma | 102 NC @ 10 v | ± 20V | 4975 pf @ 400 v | - | 227W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC-848-B | 0.0300 | | 36 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 9,427 | 30 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD60R450E6BTMA1 | - | | 6914 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ E6 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD60R | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 9.2A (TC) | 10V | 450mohm @ 3.4a, 10V | 3.5V @ 280µA | 28 nc @ 10 v | ± 20V | 620 pf @ 100 v | - | 74W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP80R360P7XKSA1 | 2.8400 | | 21 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP80R360 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 13A (TC) | 10V | 360mohm @ 5.6a, 10V | 3.5V @ 280µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 930 pf @ 500 v | - | 84W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7325PBF | - | | 1921 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF732 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 p 채널 (채널) | 12V | 7.8a | 24mohm @ 7.8a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 33NC @ 4.5V | 2020pf @ 10V | 논리 논리 게이트 |
2000+
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표준 제품 단위
2800+
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