전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF5802TRPBF | 0.6900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | IRF5802 | MOSFET (금속 (() | Micro6 ™ (TSOP-6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 150 v | 900MA (TA) | 10V | 1.2ohm @ 540ma, 10V | 5.5V @ 250µA | 6.8 NC @ 10 v | ± 30V | 88 pf @ 25 v | - | 2W (TA) | |||||||||||||
![]() | IPD90P03P404ATMA1 | 1.2576 | ![]() | 5894 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD90 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 90A (TC) | 10V | 4.5mohm @ 90a, 10V | 4V @ 253µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 10300 pf @ 25 v | - | 137W (TC) | |||||||||||||
![]() | IRF8721PBF | - | ![]() | 8437 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 14A (TA) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 14a, 10V | 2.35V @ 25µA | 12 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1040 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||
![]() | IRL3714ZS | - | ![]() | 4534 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL3714ZS | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 15a, 10V | 2.55V @ 250µA | 7.2 NC @ 4.5 v | ± 20V | 550 pf @ 10 v | - | 35W (TC) | |||||||||||||
![]() | ISC080N10NM6ATMA1 | 1.7800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | ISC080N | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8 FL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 100 v | 13A (TA), 75A (TC) | 8V, 10V | 8.05mohm @ 20a, 10V | 3.3V @ 36µA | 24 nc @ 10 v | ± 20V | 1800 pf @ 50 v | - | 3W (TA), 100W (TC) | |||||||||||||
![]() | ipu50r3k0ce | 0.1200 | ![]() | 252 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | ipu50r | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847SH6730XTMA1 | - | ![]() | 5463 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BC847 | 250MW | PG-SOT363-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001008360 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100ma | 15NA (ICBO) | 2 NPN (() | 600mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||
![]() | irl3715strl | - | ![]() | 2559 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 20 v | 54A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 26a, 10V | 3V @ 250µA | 17 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1060 pf @ 10 v | - | 3.8W (TA), 71W (TC) | ||||||||||||||
![]() | IPB22N03S4L15ATMA1 | - | ![]() | 3362 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB22N03 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 22A (TC) | 4.5V, 10V | 14.6MOHM @ 22A, 10V | 2.2V @ 10µA | 14 nc @ 10 v | ± 16V | 980 pf @ 25 v | - | 31W (TC) | |||||||||||||
![]() | BC817K-16E6327 | 0.0400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC817 | 500MW | PG-SOT23 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,219 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | 700mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 100ma, 1v | 170MHz | ||||||||||||||||||
![]() | IRF7468 | - | ![]() | 4428 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF7468 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 40 v | 9.4A (TA) | 4.5V, 10V | 15.5mohm @ 9.4a, 10V | 2V @ 250µA | 34 NC @ 4.5 v | ± 12V | 2460 pf @ 20 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||
![]() | IRL3715ZSTRL | - | ![]() | 8268 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 20 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 15a, 10V | 2.55V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 20V | 870 pf @ 10 v | - | 45W (TC) | ||||||||||||||
![]() | irlu3715zpbf | - | ![]() | 9231 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 20 v | 49A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 15a, 10V | 2.55V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 20V | 810 pf @ 10 v | - | 40W (TC) | |||||||||||||||
![]() | irl5602 | - | ![]() | 7720 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 20 v | 24A (TC) | 2.5V, 4.5V | 42mohm @ 12a, 4.5v | 1V @ 250µA | 44 NC @ 4.5 v | ± 8V | 1460 pf @ 15 v | - | - | |||||||||||||||
![]() | irlr8503trr | - | ![]() | 4754 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 44A (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 5 v | ± 20V | 1650 pf @ 25 v | - | 62W (TC) | ||||||||||||||
![]() | IRF3711ZSTRL | - | ![]() | 6851 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 20 v | 92A (TC) | 4.5V, 10V | 6MOHM @ 15A, 10V | 2.45V @ 250µA | 24 nc @ 4.5 v | ± 20V | 2150 pf @ 10 v | - | 79W (TC) | ||||||||||||||
![]() | BSC010N04LS6ATMA1 | 2.4600 | ![]() | 511 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC010 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 40A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1MOHM @ 50A, 10V | 2.3V @ 250µA | 67 NC @ 4.5 v | ± 20V | 4600 pf @ 20 v | - | 3W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||
![]() | IRF3710ZSTRLPBF | 1.9600 | ![]() | 26 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF3710 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 59A (TC) | 10V | 18mohm @ 35a, 10V | 4V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 2900 pf @ 25 v | - | 160W (TC) | |||||||||||||
![]() | IPU04N03LA g | - | ![]() | 2858 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IPU04N | MOSFET (금속 (() | P-to251-3-1 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 25 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 50a, 10V | 2V @ 80µa | 41 NC @ 5 v | ± 20V | 5199 pf @ 15 v | - | 115W (TC) | ||||||||||||||
![]() | IRFU3910pbf | 1.1200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU3910 | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 100 v | 16A (TC) | 10V | 115mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | ± 20V | 640 pf @ 25 v | - | 79W (TC) | |||||||||||||
![]() | IQE008N03LM5ATMA1 | 2.6800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IQE008N | MOSFET (금속 (() | PG-TSON-8-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 27A (TA), 253A (TC) | 4.5V, 10V | 0.85mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250µA | 64 NC @ 10 v | ± 16V | 5700 pf @ 15 v | - | 2.1W (TA), 89W (TC) | |||||||||||||
![]() | IPP80R1K2P7XKSA1 | 1.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP80R1 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 4.5A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 1.7a, 10V | 3.5V @ 80µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 300 pf @ 500 v | - | 37W (TC) | |||||||||||||
![]() | IRFH8325TR2PBF | - | ![]() | 6426 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | PQFN (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 30 v | 21A (TA), 82A (TC) | 5MOHM @ 20A, 10V | 2.35V @ 50µA | 32 NC @ 10 v | 2487 pf @ 10 v | - | |||||||||||||||||||
![]() | BC847BE6433HTMA1 | 0.0418 | ![]() | 5482 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC847 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||
![]() | BC847BWE6327 | 0.0200 | ![]() | 84 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | 250 MW | PG-SOT323-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||
![]() | IRFU3709 | - | ![]() | 8044 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFU3709 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 41 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2672 pf @ 16 v | - | 120W (TC) | |||||||||||||
![]() | IRF7811A | - | ![]() | 3635 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 28 v | 11A (TA) | 4.5V | 10mohm @ 11a, 10v | 3V @ 250µA | 26 NC @ 4.5 v | ± 12V | 1760 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||
![]() | BFR182WH6327XTSA1 | 0.4100 | ![]() | 37 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BFR182 | 250MW | PG-SOT323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 19db | 12V | 35MA | NPN | 70 @ 10ma, 8v | 8GHz | 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz | |||||||||||||||||
![]() | BSP88L6327HTSA1 | - | ![]() | 7375 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BSP88 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4-21 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 240 v | 350MA (TA) | 2.8V, 4.5V | 6ohm @ 350ma, 10V | 1.4V @ 108µA | 6.8 NC @ 10 v | ± 20V | 95 pf @ 25 v | - | 1.7W (TA) | ||||||||||||||
IRF7752TRPBF | - | ![]() | 2410 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | IRF775 | MOSFET (금속 (() | 1W | 8-tssop | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 4.6a | 30mohm @ 4.6a, 10V | 2V @ 250µA | 9NC @ 4.5V | 861pf @ 25v | 논리 논리 게이트 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고