SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IPB120N06S402ATMA2 Infineon Technologies IPB120N06S402ATMA2 3.3000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB120 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 2.8mohm @ 100a, 10V 4V @ 140µA 195 NC @ 10 v ± 20V 15750 pf @ 25 v - 188W (TC)
IRF6655TR1PBF Infineon Technologies irf6655tr1pbf -
RFQ
ECAD 4066 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Sh MOSFET (금속 (() DirectFet ™ sh 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001576858 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 4.2A (TA), 19A (TC) 10V 62mohm @ 5a, 10V 4.8V @ 25µA 11.7 NC @ 10 v ± 20V 530 pf @ 25 v - 2.2W (TA), 42W (TC)
IQE046N08LM5CGATMA1 Infineon Technologies IQE046N08LM5CGATMA1 2.7200
RFQ
ECAD 8312 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 9-powertdfn IQE046 MOSFET (금속 (() PG-TTFN-9-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 5,000 n 채널 80 v 15.6A (TA), 99A (TC) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 47µA 38 NC @ 10 v ± 20V 3250 pf @ 40 v - 2.5W (TA), 100W (TC)
BCR523E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR523E6327HTSA1 0.3900
RFQ
ECAD 16 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR523 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 100MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
BC848BL3E6327 Infineon Technologies BC848BL3E6327 0.0900
RFQ
ECAD 180 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW PG-SOT23 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,468 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
BC 846PN H6727 Infineon Technologies BC 846pn H6727 -
RFQ
ECAD 6310 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC 846 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IRLR3410PBF-INF Infineon Technologies IRLR3410PBF-INF -
RFQ
ECAD 4239 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 100 v 17A (TC) 4V, 10V 10A @ 10A, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 5 v ± 16V 800 pf @ 25 v - 79W (TC)
IMYH200R024M1HXKSA1 Infineon Technologies IMYH200R024M1HXKSA1 93.0800
RFQ
ECAD 226 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IMYH200 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) PG-to247-4-U04 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 2000 v 89A (TC) 15V, 18V 33mohm @ 40a, 18V 5.5V @ 24MA 137 NC @ 18 v +20V, -7V - 576W (TC)
IPU95R750P7AKMA1 Infineon Technologies IPU95R750P7AKMA1 2.1600
RFQ
ECAD 8472 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU95R750 MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 950 v 9A (TC) 10V 750mohm @ 4.5a, 10V 3.5V @ 220µA 23 nc @ 10 v ± 20V 712 pf @ 400 v - 73W (TC)
ISC058N04NM5ATMA1 Infineon Technologies ISC058N04NM5ATMA1 1.2100
RFQ
ECAD 28 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ -5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn ISC058N MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 17A (TA), 63A (TC) 7V, 10V 5.8mohm @ 31a, 10V 3.4V @ 13µA 16 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 20 v - 3W (TA), 42W (TC)
IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies IPD60R950C6ATMA1 1.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 4.4A (TC) 10V 950mohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 130µA 13 nc @ 10 v ± 20V 280 pf @ 100 v - 37W (TC)
IPA60R120C7XKSA1 Infineon Technologies IPA60R120C7XKSA1 5.5100
RFQ
ECAD 8932 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA60R MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001385040 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 120mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 390µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 400 v - 32W (TC)
BCR 164T E6327 Infineon Technologies BCR 164T E6327 -
RFQ
ECAD 1521 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-75, SOT-416 BCR 164 250 MW PG-SC75-3D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 160MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
IRFB5615PBFXKMA1 Infineon Technologies IRFB5615PBFXKMA1 -
RFQ
ECAD 5367 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 448-IRFB5615PBFXKMA1 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 150 v 35A (TC) 10V 39mohm @ 21a, 10V 5V @ 100µa 40 nc @ 10 v ± 20V 1750 pf @ 50 v - 144W (TC)
IRF6635TR1PBF Infineon Technologies irf6635tr1pbf -
RFQ
ECAD 7101 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 32A (TA), 180A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 32a, 10V 2.35V @ 250µA 71 NC @ 4.5 v ± 20V 5970 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
BCR166E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR166E6327HTSA1 0.0517
RFQ
ECAD 4858 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR166 200 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 160MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
AUIRLS4030 Infineon Technologies auirls4030 -
RFQ
ECAD 3120 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB auirls4030 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 180A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 110a, 10V 2.5V @ 250µA 130 NC @ 4.5 v ± 16V 11360 pf @ 50 v - 370W (TC)
IPT60R035CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPT60R035CFD7XTMA1 13.7500
RFQ
ECAD 6580 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn IPT60R035 MOSFET (금속 (() PG-HSOF-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 67A (TC) 10V 35mohm @ 24.9a, 10V 4.5V @ 1.25ma 109 NC @ 10 v ± 20V 4354 pf @ 400 v - 351W (TC)
BG5120KH6327XTSA1 Infineon Technologies BG5120KH6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 7662 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 8 v 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 800MHz MOSFET PG-SOT363-PO 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20MA 10 MA - 23db 1.1DB 5 v
BSZ025N04LSATMA1 Infineon Technologies BSZ025N04LSATMA1 1.6300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ025 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8-FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 22A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 20V 3680 pf @ 20 v - 2.1W (TA), 69W (TC)
BFR 182 B6663 Infineon Technologies BFR 182 B6663 -
RFQ
ECAD 6676 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BFR 182 250MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 30,000 12dB ~ 18dB 12V 35MA NPN 70 @ 10ma, 8v 8GHz 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRF9317PBF Infineon Technologies IRF9317pbf -
RFQ
ECAD 3454 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001572200 귀 99 8541.29.0095 95 p 채널 30 v 16A (TA) 4.5V, 10V 6.6mohm @ 16a, 10V 2.4V @ 50µA 92 NC @ 10 v ± 20V 2820 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IRF520NPBF Infineon Technologies IRF520NPBF 1.2900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF520 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 9.7A (TC) 10V 200mohm @ 5.7a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 330 pf @ 25 v - 48W (TC)
IPD30N06S2L13ATMA4 Infineon Technologies IPD30N06S2L13ATMA4 1.6900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD30N06 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 30A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 30a, 10V 2V @ 80µa 69 NC @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 25 v - 136W (TC)
BFR720L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies Bfr720L3RHE6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 2017 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 BFR720 80MW PG-TSLP-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 15,000 24dB 4.7V 20MA NPN 160 @ 13MA, 3V 45GHz 0.5dB ~ 0.8db @ 1.8GHz ~ 6GHz
IRL3714ZSTRR Infineon Technologies IRL3714ZSTRR -
RFQ
ECAD 6280 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 20 v 36A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 15a, 10V 2.55V @ 250µA 7.2 NC @ 4.5 v ± 20V 550 pf @ 10 v - 35W (TC)
BCR 158 B6327 Infineon Technologies BCR 158 B6327 -
RFQ
ECAD 6174 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR 158 200 MW PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 30,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 200MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
SPA11N60C3IN Infineon Technologies spa11n60c3in -
RFQ
ECAD 9196 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 spa11n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10V 3.9V @ 500µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 33W (TC)
BCR148E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR148E6327HTSA1 0.3800
RFQ
ECAD 350 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR148 200 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 100MHz 47 Kohms 47 Kohms
IRG4BC40UPBF Infineon Technologies irg4bc40upbf -
RFQ
ECAD 8163 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRG4BC40 기준 160 W. TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 480V, 20A, 10ohm, 15V - 600 v 40 a 160 a 2.1V @ 15V, 20A 320µJ (on), 350µJ (OFF) 100 NC 34ns/110ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고