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트랜지스터 (13833)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	전압 - 평가	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	빈도	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재 현재 (amp)	테스트 테스트	현재 - 테스트	전원 - 출력	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	노이즈 노이즈	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	전압 - 테스트	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
PTF140451F V1	-	RFQ	8785	인피온 인피온	Goldmos®	쟁반	sic에서 중단되었습니다	65 v		표면 표면	2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지			1.5GHz	LDMOS		H-31265-2	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1			1µA		550 MA	45W	18db											-										28 v
IPA70R450P7SXKSA1	1.4600	RFQ	1	인피온 인피온	Coolmos ™ P7	튜브	새로운 새로운 아닙니다		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	IPA70R450			MOSFET (금속 (()		PG-to220-FP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널						700 v	10A (TC)	10V	450mohm @ 2.3a, 10V	3.5V @ 120µA	13.1 NC @ 400 v	± 16V	424 pf @ 400 v	-	22.7W (TC)
IPD220N06L3GATMA1	0.8400	RFQ	2035	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD220N			MOSFET (금속 (()		PG-to252-3-311	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널						60 v	30A (TC)	4.5V, 10V	22mohm @ 30a, 10V	2.2V @ 11µA	10 nc @ 4.5 v	± 20V	1600 pf @ 30 v	-	36W (TC)
irl530nstrr	-	RFQ	4547	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널						100 v	17A (TC)	4V, 10V	100mohm @ 9a, 10V	2V @ 250µA	34 NC @ 5 v	± 20V	800 pf @ 25 v	-	3.8W (TA), 79W (TC)
IRFR120NPBF	-	RFQ	4484	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63				MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널						100 v	9.4A (TC)	10V	210mohm @ 5.6a, 10V	4V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 20V	330 pf @ 25 v	-	48W (TC)
BSS225H6327FTSA1	0.6600	RFQ	5692	인피온 인피온	SIPMOS®	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	BSS225			MOSFET (금속 (()		PG-SOT89	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널						600 v	90MA (TA)	4.5V, 10V	45ohm @ 90ma, 10V	2.3V @ 94µA	5.8 nc @ 10 v	± 20V	131 pf @ 25 v	-	1W (TA)
IRF7403PBF	-	RFQ	7528	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001563614	귀 99	8541.29.0095	95		n 채널						30 v	8.5A (TA)	4.5V, 10V	22mohm @ 4a, 10V	1V @ 250µA	57 NC @ 10 v	± 20V	1200 pf @ 25 v	-	2.5W (TA)
IPA65R190C7XKSA1	3.4900	RFQ	8562	인피온 인피온	Coolmos ™ C7	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	IPA65R			MOSFET (금속 (()		PG-to220-FP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널						650 v	8A (TC)	10V	190mohm @ 5.7a, 10V	4V @ 290µA	23 nc @ 10 v	± 20V	1150 pf @ 400 v	-	30W (TC)
BCR166WE6327	0.0200	RFQ	9479	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	BCR166				250 MW	PG-SOT323-3-1	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																					50 v	100 MA							100NA (ICBO)	pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 10MA	70 @ 5MA, 5V	160MHz	4.7 Kohms	47 Kohms
IKWH50N65WR6XKSA1	5.0100	RFQ	238	인피온 인피온	TrenchStop ™ 5 WR6	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	ikwh50n	기준			205 w	PG-to247-3-32	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30				400V, 50a, 22ohm, 15V																트렌치 트렌치 정지	650 v	85 a	150 a	1.85V @ 15V, 50A	1.5mj (on), 730µj (OFF)	144 NC	40ns/351ns
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BSP171PE6327T	-	RFQ	2596	인피온 인피온	SIPMOS®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA				MOSFET (금속 (()		PG-SOT223-4	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		p 채널						60 v	1.9A (TA)	4.5V, 10V	300mohm @ 1.9a, 10V	2V @ 460µA	20 nc @ 10 v	± 20V	460 pf @ 25 v	-	1.8W (TA)
IPP65R310CFDXKSA1	1.7439	RFQ	3542	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	마지막으로 마지막으로		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP65R310			MOSFET (금속 (()		PG-to220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널						650 v	11.4A (TC)	10V	310mohm @ 4.4a, 10V	4.5V @ 440µA	41 NC @ 10 v	± 20V	1100 pf @ 100 v	-	104.2W (TC)
irf6678tr1pbf	-	RFQ	2441	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DirectFet ™ ™ 메트릭 MX				MOSFET (금속 (()		DirectFet ™ MX	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널						30 v	30A (TA), 150A (TC)	4.5V, 10V	2.2MOHM @ 30A, 10V	2.25V @ 250µA	65 NC @ 4.5 v	± 20V	5640 pf @ 15 v	-	2.8W (TA), 89W (TC)
BC860BE6327HTSA1	0.0555	RFQ	9571	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC860				330 MW	PG-SOT23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																					45 v	100 MA							15NA (ICBO)	PNP	650MV @ 5MA, 100MA	220 @ 2MA, 5V	250MHz
DF23MR12W1M1B11BOMA1244	84.3000	RFQ	24	인피온 인피온	*	대부분	활동적인					DF23MR12			-			다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-DF23MR12W1M1B11BOMA1244-448			1																-
BCW67C	0.0300	RFQ	176	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3					330 MW	PG-SOT23-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																					32 v	800 MA							20NA (ICBO)		700mv @ 50ma, 500ma	250 @ 100MA, 1V	200MHz
ipi50r399cpxksa1	-	RFQ	8852	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IPI50R399			MOSFET (금속 (()		PG-to262-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000680738	귀 99	8541.29.0095	500		n 채널						500 v	9A (TC)	10V	399mohm @ 4.9a, 10V	3.5V @ 330µA	23 nc @ 10 v	± 20V	890 pf @ 100 v	-	83W (TC)
IRF9520NLPBF	-	RFQ	3423	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA				MOSFET (금속 (()		TO-262	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		p 채널						100 v	6.8A (TC)	10V	480mohm @ 4a, 10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 v	± 20V	350 pf @ 25 v	-	3.8W (TA), 48W (TC)
IRF7304PBF	-	RFQ	3122	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IRF73			MOSFET (금속 (()	2W	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001561936	귀 99	8541.29.0095	95	2 p 채널 (채널)							20V	4.3A		90mohm @ 2.2a, 4.5v	700MV @ 250µA	22NC @ 4.5V		610pf @ 15V	논리 논리 게이트
IRFH5250TRPBF	1.8000	RFQ	7	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	IRFH5250			MOSFET (금속 (()		8-pqfn (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000		n 채널						25 v	45A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	1.15mohm @ 50a, 10V	2.35V @ 150µA	110 NC @ 10 v	± 20V	7174 pf @ 13 v	-	3.6W (TA), 160W (TC)
IRF7805ZGTRPBF	-	RFQ	8336	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000		n 채널						30 v	16A (TA)	4.5V, 10V	6.8mohm @ 16a, 10V	2.25V @ 250µA	27 NC @ 4.5 v	± 20V	2080 pf @ 15 v	-	2.5W (TA)
irlml2244trpbf	0.4500	RFQ	25	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	IRLML2244			MOSFET (금속 (()		Micro3 ™/SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널						20 v	4.3A (TA)	2.5V, 4.5V	54mohm @ 4.3a, 4.5v	1.1V @ 10µA	6.9 NC @ 4.5 v	± 12V	570 pf @ 16 v	-	1.3W (TA)
irfr1205trrpbf	-	RFQ	2007	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR1205			MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널						55 v	44A (TC)	10V	27mohm @ 26a, 10V	4V @ 250µA	65 nc @ 10 v	± 20V	1300 pf @ 25 v	-	107W (TC)
IKQ140N120CH7XKSA1	19.9000	RFQ	215	인피온 인피온	TrenchStop ™	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IKQ140	기준			962 w	PG-to247-3-U01	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30				-															144 ns	트렌치 트렌치 정지	1200 v	175 a	560 a	2.15V @ 15V, 140A	8.84mj (on), 3.38mj (OFF)	970 NC	68ns/541ns
BCR 133 B6327	-	RFQ	2180	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCR 133				200 MW	PG-SOT23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	30,000																					50 v	100 MA							100NA (ICBO)	npn-사전-	300MV @ 500µA, 10MA	30 @ 5MA, 5V	130MHz	10 KOHMS	10 KOHMS
BSB881N03LX3GXUMA1	0.9600	RFQ	260	인피온 인피온	*	대부분	활동적인											-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0095	5,000
auirfz44ns	-	RFQ	8813	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET (금속 (()		d²pak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001521658	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널						55 v	49A (TC)	10V	17.5mohm @ 25a, 10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 v	± 20V	1470 pf @ 25 v	-	3.8W (TA), 94W (TC)
IRL3714ZL	-	RFQ	6021	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA				MOSFET (금속 (()		TO-262	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRL3714ZL	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널						20 v	36A (TC)	4.5V, 10V	16mohm @ 15a, 10V	2.55V @ 250µA	7.2 NC @ 4.5 v	± 20V	550 pf @ 10 v	-	35W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²