SIC
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트랜지스터 (13833)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IPA50R299CP Infineon Technologies IPA50R299CP -
RFQ
 ECAD 7270 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 12A (TC) 10V 299mohm @ 6.6a, 10V 3.5V @ 440µA 31 NC @ 10 v ± 20V 1190 pf @ 100 v - 104W (TC)
BSF885N03LQ3GXUMA1 Infineon Technologies BSF885N03LQ3GXUMA1 0.4500
RFQ
 ECAD 465 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 5,000
BSD314SPEL6327 Infineon Technologies BSD314SPEL6327 1.0000
RFQ
 ECAD 5563 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ -P 3 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() PG-SOT363-6-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 1.5A (TA) 4.5V, 10V 140mohm @ 1.5a, 10V 2V @ 6.3µA 2.9 NC @ 10 v ± 20V 294 pf @ 15 v - 500MW (TA)
BSP125L6433 Infineon Technologies BSP125L6433 0.3100
RFQ
 ECAD 231 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 120MA (TA) 4.5V, 10V 45ohm @ 120ma, 10V 2.3V @ 94µA 6.6 NC @ 10 v ± 20V 150 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
BSL302SNL6327 Infineon Technologies BSL302SNL6327 -
RFQ
 ECAD 3651 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 2 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() PG-TSOP6-6-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 7.1A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 7.1a, 10V 2V @ 30µA 6.6 NC @ 5 v ± 20V 750 pf @ 15 v - 2W (TA)
IPB240N03S4LR8ATMA1928 Infineon Technologies IPB240N03S4LR8ATMA1928 1.0000
RFQ
 ECAD 3276 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() PG-to263-7-3 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 240A (TC) 4.5V, 10V 0.76MOHM @ 100A, 10V 2.2V @ 230µA 380 nc @ 10 v ± 16V 26000 pf @ 25 v - 300W (TC)
IPB097N08N3G Infineon Technologies IPB097N08N3G -
RFQ
 ECAD 9083 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 80 v 70A (TC) 6V, 10V 9.7mohm @ 46a, 10V 3.5V @ 46µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2410 pf @ 40 v - 100W (TC)
BSF024N03LT3G Infineon Technologies BSF024N03LT3G 0.5100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() mg-wdson-2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 15A (TA), 106A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 15 v - 2.2W (TA), 42W (TC)
BSL202SNL6327 Infineon Technologies BSL202SNL6327 0.1600
RFQ
 ECAD 9535 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 2 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() PG-TSOP6-6-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 646 n 채널 20 v 7.5A (TA) 2.5V, 4.5V 22mohm @ 7.5a, 4.5v 1.2V @ 30µA 8.7 NC @ 4.5 v ± 12V 1147 pf @ 10 v - 2W (TA)
BCR141SE6327 Infineon Technologies BCR141SE6327 -
RFQ
 ECAD 2156 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR141 250MW PG-SOT363-6-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 50 @ 5MA, 5V 130MHz 22kohms 22kohms
SGW15N120 Infineon Technologies SGW15N120 -
RFQ
 ECAD 8311 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SGW15N 기준 198 w PG-to247-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 800V, 15A, 33OHM, 15V NPT 1200 v 30 a 52 a 3.6V @ 15V, 15a 1.9mj 130 NC 18ns/580ns
FP100R06KE3B16BOSA1 Infineon Technologies FP100R06KE3B16BOSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 1486 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
BCX69-10E6327 Infineon Technologies BCX69-10E6327 0.0200
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 3 w PG-SOT89-4-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 20 v 1 a 100NA (ICBO) 500mv @ 100ma, 1a 85 @ 500ma, 1V 100MHz
IPW65R280E6 Infineon Technologies IPW65R280E6 1.0000
RFQ
 ECAD 2081 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() PG-to247-3-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 650 v 13.8A (TC) 10V 280mohm @ 4.4a, 10V 3.5V @ 440µA 45 NC @ 10 v ± 20V 950 pf @ 100 v - 104W (TC)
BUZ72A Infineon Technologies buz72a 1.0000
RFQ
 ECAD 1809 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
X97813760 Infineon Technologies x97813760 -
RFQ
 ECAD 5856 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1,000
SGP10N60A Infineon Technologies sgp10n60a 1.0000
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sgp10n60 기준 92 W. PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 10A, 25ohm, 15V NPT 600 v 20 a 40 a 2.4V @ 15V, 10A 320µj 52 NC 28ns/178ns
IGP06N60TATMA1 Infineon Technologies IGP06N60TATMA1 0.6300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 88 W. PG-to220-3-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 478 400V, 6A, 23ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 600 v 12 a 18 a 2.05V @ 15V, 6A 90µJ (on), 110µJ (OFF) 42 NC 9ns/130ns
IPP60R520CP Infineon Technologies IPP60R520CP 0.7900
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 6.8A (TC) 10V 520mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 630 pf @ 100 v - 66W (TC)
BCW60FN Infineon Technologies BCW60FN -
RFQ
 ECAD 1988 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 32 v 100 MA 20NA (ICBO) NPN 550MV @ 1.25ma, 50ma 250 @ 2MA, 5V 250MHz
BTS282ZE3180A Infineon Technologies BTS282ZE3180A -
RFQ
 ECAD 6890 0.00000000 인피온 인피온 Tempfet® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA MOSFET (금속 (() PG-to263-7-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 49 v 80A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 36a, 10V 2V @ 240µA 232 NC @ 10 v ± 20V 4800 pf @ 25 v - 300W (TC)
IFS150B12N3T4_B31 Infineon Technologies IFS150B12N3T4_B31 -
RFQ
 ECAD 5263 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 IFS150 750 w 기준 Ag-ECONO3-4-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 전체 전체 트렌치 트렌치 정지 1200 v 150 a 2.1V @ 15V, 150A 1 MA 예 9.35 NF @ 25 v
BTS247ZE3062AATMA1 Infineon Technologies BTS247ZE3062AATMA1 -
RFQ
 ECAD 3779 0.00000000 인피온 인피온 Tempfet® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB MOSFET (금속 (() PG-to263-5-2 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 33A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 12a, 10V 2V @ 90µA 90 NC @ 10 v ± 20V 1950 pf @ 25 v - 120W (TC)
IPP50R199CPXK Infineon Technologies IPP50R199CPXK -
RFQ
 ECAD 9555 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 17A (TC) 10V 199mohm @ 9.9a, 10V 3.5V @ 660µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1800 PF @ 100 v - 139W (TC)
BC846UE6327 Infineon Technologies BC846UE6327 0.1000
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 BC846 250MW PG-SC74-6-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,390 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
FDDF80R12W1H3B52BOMA1 Infineon Technologies FDDF80R12W1H3B52BOMA1 27.6100
RFQ
 ECAD 672 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
BFP740FESDH6327 Infineon Technologies BFP740FESDH6327 0.1700
RFQ
 ECAD 142 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 리드 160MW 4-TSFP 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000 39db 4.2V 45MA NPN 160 @ 25MA, 3V 47GHz 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
BF 1009SR E6327 Infineon Technologies BF 1009SR E6327 0.1100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 12 v 표면 표면 SOT-143R 800MHz MOSFET PG-SOT-143R-3D 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 2,730 n 채널 25MA - 22db 1.4dB 9 v
62-1039PBF Infineon Technologies 62-1039pbf -
RFQ
 ECAD 7696 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 -
IRGS4715DTRLPBF Infineon Technologies IRGS4715DTRLPBF -
RFQ
 ECAD 1272 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 100 W. D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001549918 귀 99 8541.29.0095 800 400V, 8A, 50ohm, 15V 86 ns - 650 v 21 a 24 a 2V @ 15V, 8A 200µJ (on), 90µJ (OFF) 30 NC 30ns/100ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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