SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트
IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP034NE7N3GXKSA1 3.7800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP034 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 100A (TC) 10V 3.4mohm @ 100a, 10V 3.8V @ 155µA 117 NC @ 10 v ± 20V 8130 pf @ 37.5 v - 214W (TC)
IRFZ48VS Infineon Technologies IRFZ48VS -
RFQ
ECAD 9189 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 72A (TC) 10V 12MOHM @ 43A, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 1985 pf @ 25 v - 150W (TC)
PTFA192001EV4T350XWSA1 Infineon Technologies PTFA192001EV4T350XWSA1 -
RFQ
ECAD 8309 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000393368 귀 99 8541.29.0075 50
IRFS7734PBF Infineon Technologies IRFS7734PBF -
RFQ
ECAD 7806 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak (to-263ab) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001557528 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 183A (TC) 6V, 10V 3.5mohm @ 100a, 10V 3.7V @ 250µA 270 nc @ 10 v ± 20V 10150 pf @ 25 v - 290W (TC)
AUIRF7103Q Infineon Technologies AUIRF7103Q -
RFQ
ECAD 2457 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AUIRF7103 MOSFET (금속 (() 2.4W 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001521578 귀 99 8541.29.0095 95 2 n 채널 (채널) 50V 3A 130mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 15NC @ 10V 255pf @ 25V -
SPU30P06P Infineon Technologies spu30p06p -
RFQ
ECAD 6749 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA spu30p MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 60 v 30A (TC) 10V 75mohm @ 21.5a, 10V 4V @ 1.7ma 48 NC @ 10 v ± 20V 1535 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRF7754TRPBF Infineon Technologies IRF7754TRPBF -
RFQ
ECAD 3308 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) IRF775 MOSFET (금속 (() 1W 8-tssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 12V 5.5A 25mohm @ 5.4a, 4.5v 900MV @ 250µA 22NC @ 4.5V 1984pf @ 6v 논리 논리 게이트
IRF7507PBF Infineon Technologies IRF7507PBF -
RFQ
ECAD 5489 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) IRF7507 MOSFET (금속 (() 1.25W Micro8 ™ 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001566226 귀 99 8541.29.0095 80 n 및 p 채널 20V 2.4a, 1.7a 140mohm @ 1.7a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 8NC @ 4.5V 260pf @ 15V 논리 논리 게이트
IPAN80R450P7XKSA1 Infineon Technologies IPAN80R450P7XKSA1 2.7500
RFQ
ECAD 8554 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPAN80 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-FP 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 11A (TC) 10V 450mohm @ 4.5a, 10V 3.5V @ 220µA 24 nc @ 10 v ± 20V 770 pf @ 500 v - 29W (TC)
IRLH5030TR2PBF Infineon Technologies irlh5030tr2pbf -
RFQ
ECAD 4696 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() pqfn (5x6) 단일 다이 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 100 v 13A (TA), 100A (TC) 9mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 150µA 94 NC @ 10 v 5185 pf @ 50 v -
IPD65R950C6ATMA1 Infineon Technologies IPD65R950C6ATMA1 0.6495
RFQ
ECAD 3894 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C6 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD65R950 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 200µA 15.3 NC @ 10 v ± 20V 328 pf @ 100 v - 37W (TC)
IRFR6215TRLPBF Infineon Technologies irfr6215trlpbf 1.6400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR6215 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 13A (TC) 10V 295mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 110W (TC)
IRF7241 Infineon Technologies IRF7241 -
RFQ
ECAD 9448 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 p 채널 40 v 6.2A (TA) 4.5V, 10V 41MOHM @ 6.2A, 10V 3V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 3220 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
IPU04N03LA Infineon Technologies IPU04N03LA -
RFQ
ECAD 8225 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU04N MOSFET (금속 (() P-to251-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000014621 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 50a, 10V 2V @ 80µa 41 NC @ 5 v ± 20V 5199 pf @ 15 v - 115W (TC)
IRF6610TR1PBF Infineon Technologies irf6610tr1pbf -
RFQ
ECAD 8486 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Sq 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 20 v 15A (TA), 66A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 15a, 10V 2.55V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1520 pf @ 10 v - 2.2W (TA), 42W (TC)
IRF7433PBF Infineon Technologies IRF7433PBF -
RFQ
ECAD 1706 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7433 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001571932 귀 99 8541.29.0095 95 p 채널 12 v 8.9A (TA) 1.8V, 4.5V 24mohm @ 8.7a, 4.5v 900MV @ 250µA 20 nc @ 4.5 v ± 8V 1877 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
PXAC261202FCV1XWSA1 Infineon Technologies PXAC261202FCV1XWSA1 -
RFQ
ECAD 6463 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 H-37248-4 2.61GHz LDMOS H-37248-4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001178442 쓸모없는 0000.00.0000 1 이중, 소스 일반적인 - 230 MA 28W 13.5dB - 28 v
IRF9410 Infineon Technologies IRF9410 -
RFQ
ECAD 7452 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9410 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 7A (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 7a, 10V 1V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 550 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
IRF3707ZS Infineon Technologies IRF3707ZS -
RFQ
ECAD 1438 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF3707ZS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 59A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 21a, 10V 2.25V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V 1210 pf @ 15 v - 57W (TC)
PTFA181001E V4 T500 Infineon Technologies PTFA181001E V4 T500 -
RFQ
ECAD 2416 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드 1.805GHz ~ 1.88GHz LDMOS H-36248-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 - 750 MA 45W 16.5dB - 28 v
IRLR3410TRR Infineon Technologies irlr3410trr -
RFQ
ECAD 9764 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 17A (TC) 4V, 10V 10A @ 10A, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 5 v ± 16V 800 pf @ 25 v - 79W (TC)
AUIRFR3607 Infineon Technologies AUIRFR3607 -
RFQ
ECAD 7479 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AUIRFR3607 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001521766 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 75 v 56A (TC) 10V 9mohm @ 46a, 10V 4V @ 100µa 84 NC @ 10 v ± 20V 3070 pf @ 50 v - 140W (TC)
IRGP4790-EPBF Infineon Technologies IRGP4790-EPBF -
RFQ
ECAD 4407 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 455 W. TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001549734 귀 99 8541.29.0095 25 400V, 75A, 10ohm, 15V - 650 v 140 a 225 a 2V @ 15V, 75A 2.5mj (on), 2.2mj (OFF) 210 NC 50ns/200ns
IRF7456PBF Infineon Technologies IRF7456PBF -
RFQ
ECAD 1443 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 20 v 16A (TA) 2.8V, 10V 6.5mohm @ 16a, 10V 2V @ 250µA 62 NC @ 5 v ± 12V 3640 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IPI037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies IPI037N08N3GXKSA1 -
RFQ
ECAD 8042 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI037N MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 80 v 100A (TC) 6V, 10V 3.75mohm @ 100a, 10V 3.5V @ 155µA 117 NC @ 10 v ± 20V 8110 pf @ 40 v - 214W (TC)
IPP075N15N3GHKSA1 Infineon Technologies IPP075N15N3GHKSA1 -
RFQ
ECAD 8553 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP075N MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000386663 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 150 v 100A (TC) 8V, 10V 7.5mohm @ 100a, 10V 4V @ 270µA 93 NC @ 10 v ± 20V 5470 pf @ 75 v - 300W (TC)
IRLMS1503TRPBF Infineon Technologies IRLMS1503TRPBF 0.6500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 IRLMS1503 MOSFET (금속 (() Micro6 ™ (TSOP-6) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.2A (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 2.2a, 10V 1V @ 250µA 9.6 NC @ 10 v ± 20V 210 pf @ 25 v - 1.7W (TA)
IRLR024ZPBF Infineon Technologies IRLR024ZPBF -
RFQ
ECAD 6318 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 16A (TC) 4.5V, 10V 58mohm @ 9.6a, 10V 3V @ 250µA 9.9 NC @ 5 v ± 16V 380 pf @ 25 v - 35W (TC)
IRF6218STRLPBF Infineon Technologies IRF6218STRLPBF -
RFQ
ECAD 7475 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 150 v 27A (TC) 10V 150mohm @ 16a, 10V 5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2210 pf @ 25 v - 250W (TC)
IRFR3711PBF Infineon Technologies IRFR3711PBF -
RFQ
ECAD 4764 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001552178 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 20 v 100A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 20V 2980 pf @ 10 v - 2.5W (TA), 120W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고