전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFI3205PBF | 3.2300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IRFI3205 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB Full-Pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 64A (TC) | 10V | 8mohm @ 34a, 10V | 4V @ 250µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 4000 pf @ 25 v | - | 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3502STRPBF | - | ![]() | 1241 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 20 v | 110A (TC) | 4.5V, 7V | 7mohm @ 64a, 7v | 700mv @ 250µa (최소) | 110 NC @ 4.5 v | ± 10V | 4700 pf @ 15 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB05N03LB | - | ![]() | 6601 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB05N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 5MOHM @ 60A, 10V | 2V @ 40µA | 25 nc @ 5 v | ± 20V | 3209 pf @ 15 v | - | 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | PTVA127002EVV1XWSA1 | - | ![]() | 1152 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 쟁반 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001233468 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSZ023N04LSATMA1 | - | ![]() | 9200 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-8-FL | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 22A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 2.35mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250µA | 37 NC @ 10 v | ± 20V | 2630 pf @ 20 v | - | 2.1W (TA), 69W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IQFH55N04NM6ATMA1 | 2.5190 | ![]() | 9854 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 448-IQFH55N04NM6ATMA1TR | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFA092213ELV4T400XWSA1 | - | ![]() | 8106 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 쟁반 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000820802 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 40 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGP4640-EPBF | - | ![]() | 1905 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRGP4640 | 기준 | 250 W. | TO-247AD | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 24A, 10ohm, 15V | - | 600 v | 65 a | 72 a | 1.9V @ 15V, 24A | 100µJ (on), 600µJ (OFF) | 75 NC | 40ns/105ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1IRF3710pbf | 1.0000 | ![]() | 4010 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 100 v | 57A (TC) | 10V | 23mohm @ 28a, 10V | 4V @ 250µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 3130 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | F3L200R12N2H3B47BPSA1 | - | ![]() | 6757 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EconoPack ™ 2 | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | F3L200 | 20 MW | 기준 | Ag-Econo2-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 3 레벨 인버터 | - | 1200 v | 200a | 2.15V @ 15V, 150A | 1 MA | 예 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FF17MR12W1M1HPB11BPSA1 | 148.8400 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolsic ™ | 쟁반 | 활동적인 | - | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FF17MR12 | MOSFET (금속 (() | - | Ag-Easy1b | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 1200V (1.2kv) | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD135N03LGBTMA1 | 0.2780 | ![]() | 6702 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 3 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD135 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000236951 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250µA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 1000 pf @ 15 v | - | 31W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | IRL3715L | - | ![]() | 2804 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL3715L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 54A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 26a, 10V | 3V @ 250µA | 17 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1060 pf @ 10 v | - | 3.8W (TA), 71W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IPB043N10NF2SATMA1 | 2.0300 | ![]() | 745 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Strongirfet ™ 2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 21A (TA), 135A (TC) | 6V, 10V | 4.35mohm @ 80a, 10V | 3.8V @ 93µA | 85 NC @ 10 v | ± 20V | 4000 pf @ 50 v | - | 3.8W (TA), 167W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IPA600N25NM3SXKSA1 | 2.7700 | ![]() | 6993 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 3 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA600 | MOSFET (금속 (() | PG-to220 20 팩 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 250 v | 15A (TC) | 10V | 60mohm @ 15a, 10V | 4V @ 89µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 2300 pf @ 100 v | - | 38W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 64-4095pbf | - | ![]() | 9281 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | - | - | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI65R110CFD | 2.7500 | ![]() | 430 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos CFD2 ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 110 | n 채널 | 650 v | 31.2A (TC) | 10V | 110mohm @ 12.7a, 10V | 4.5V @ 1.3ma | 118 NC @ 10 v | ± 20V | 3240 pf @ 100 v | - | 277.8W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | spp16n50c3xksa1 | - | ![]() | 4345 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | spp16n | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-111 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000681056 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 560 v | 16A (TC) | 10V | 280mohm @ 10a, 10V | 3.9V @ 675µA | 66 NC @ 10 v | ± 20V | 1600 pf @ 25 v | - | 160W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IPP60R250CPXKSA1 | - | ![]() | 1690 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP60R250 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 12A (TC) | 10V | 250mohm @ 7.8a, 10V | 3.5V @ 440µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 100 v | - | 104W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BC846AE6327 | 0.0200 | ![]() | 357 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 110 @ 2MA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3711ZLPBF | - | ![]() | 3917 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 92A (TC) | 4.5V, 10V | 6MOHM @ 15A, 10V | 2.45V @ 250µA | 24 nc @ 4.5 v | ± 20V | 2150 pf @ 10 v | - | 79W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW60CE6327HTSA1 | 0.0492 | ![]() | 3814 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCW60 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 32 v | 100 MA | 20NA (ICBO) | NPN | 550MV @ 1.25ma, 50ma | 250 @ 2MA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IAUTN06S5N008GATMA1 | 7.0000 | ![]() | 7867 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1,800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F423MR12W1M1B11BOMA1 | 154.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EasyPack ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | F423MR12 | 20 MW | 기준 | Ag-EASY1BM-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 24 | 전체 전체 | 도랑 | 1200 v | 50 a | - | 예 | 3.68 NF @ 800 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB80N08S2L-07 | - | ![]() | 1823 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB80N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 75 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 6.8mohm @ 67a, 10V | 2V @ 250µA | 233 NC @ 10 v | ± 20V | 6820 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3704ZCSTRLP | - | ![]() | 7573 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 20 v | 67A (TC) | 4.5V, 10V | 7.9mohm @ 21a, 10V | 2.55V @ 250µA | 13 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1220 pf @ 10 v | - | 57W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6775MTRPBF | 2.5900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 Mz | IRF6775 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ Mz | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,800 | n 채널 | 150 v | 4.9A (TA), 28A (TC) | 10V | 56MOHM @ 5.6A, 10V | 5V @ 100µa | 36 nc @ 10 v | ± 20V | 1411 pf @ 25 v | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IPD90N04S40-4ATMA1 | 1.0000 | ![]() | 6641 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD90 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-313 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 90A (TC) | 10V | 4.1MOHM @ 90A, 10V | 4V @ 35.2ma | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 3440 pf @ 25 v | - | 71W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS7734TRLPBF | 3.0400 | ![]() | 797 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS7734 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 75 v | 183A (TC) | 6V, 10V | 3.5mohm @ 100a, 10V | 3.7V @ 250µA | 270 nc @ 10 v | ± 20V | 10150 pf @ 25 v | - | 290W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | irfh5301trpbf | 1.2500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | IRFH5301 | MOSFET (금속 (() | pqfn (5x6) 단일 다이 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 35A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1.85mohm @ 50a, 10V | 2.35V @ 100µa | 77 NC @ 10 v | ± 20V | 5114 pf @ 15 v | - | 3.6W (TA), 110W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고